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半导体功率放大激光器耦合效率的研究
1
作者
杨琏
杨晓妍
+6 位作者
朱明方
刘丹
王征宇
李松柏
王安锋
博报学
任大翠
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期938-939,共2页
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词
半导体
功率放大
耦合效率
减反射膜
下载PDF
职称材料
半导体功率放大激光器及列阵的研究
2
作者
杨晓妍
杨琏
+4 位作者
朱明方
刘杰
叶文
李光耀
王兴权
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2004年第1期24-25,共2页
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透...
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜 ,使反射率和透射率由无膜时的 31%、 6 9%提高到 94 %以上。提高激光输出 ,保护器件端面。
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关键词
半导体
功率放大
器
LD-SLA
集成
高反射膜
谐振腔
半导体
激光器
功率放大
器
下载PDF
职称材料
GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究
被引量:
1
3
作者
杨晓妍
杨琏
+2 位作者
朱明方
刘杰
任大翠
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期428-429,共2页
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高...
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29%、71%提高到90%以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。
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关键词
半导体
功率放大
激光器
GAALAS/GAAS
直接耦合
谐振腔
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职称材料
基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计
被引量:
1
4
作者
徐乐
陶李
+1 位作者
刘宏
田彤
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第3期63-66,共4页
基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高...
基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1. 08 mm×1. 37 mm。仿真结果表明:在2. 4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22. 9 d Bm,功率附加效率为23. 5%,小信号增益为27. 2 d B,三阶交调失真为-35. 6 d Bc。
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关键词
互补金属氧化物
半导体
功率放大
器
片上变压器
模拟预失真
高线性度
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职称材料
星用S频段3W功率放大器设计
被引量:
1
5
作者
康瑞媛
汪蕾
刘萌萌
《空间电子技术》
2012年第3期44-47,共4页
文章采用S参数的设计方法,找到场效应管的最佳源阻抗和漏阻抗,随后采用MOMENTUM法对版图进行优化仿真,得到三级微波半导体固态功率放大器。其具有高增益(50dB)、高效率(33%)、非线性特性好且小型化的特点。
关键词
微波
半导体
固态
功率放大
器
S参数
非线性特性
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职称材料
题名
半导体功率放大激光器耦合效率的研究
1
作者
杨琏
杨晓妍
朱明方
刘丹
王征宇
李松柏
王安锋
博报学
任大翠
机构
长春理工大学
长春一汽技术中心
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期938-939,共2页
文摘
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词
半导体
功率放大
耦合效率
减反射膜
Keywords
semiconductor power amplification
coupling efficiency
antireflection films
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
半导体功率放大激光器及列阵的研究
2
作者
杨晓妍
杨琏
朱明方
刘杰
叶文
李光耀
王兴权
机构
长春理工大学
吉林大学
出处
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2004年第1期24-25,共2页
文摘
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜 ,使反射率和透射率由无膜时的 31%、 6 9%提高到 94 %以上。提高激光输出 ,保护器件端面。
关键词
半导体
功率放大
器
LD-SLA
集成
高反射膜
谐振腔
半导体
激光器
功率放大
器
Keywords
High power
High reflecting coatings
Resonant cavities
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN722
下载PDF
职称材料
题名
GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究
被引量:
1
3
作者
杨晓妍
杨琏
朱明方
刘杰
任大翠
机构
长春理工大学
吉林大学
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期428-429,共2页
文摘
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29%、71%提高到90%以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。
关键词
半导体
功率放大
激光器
GAALAS/GAAS
直接耦合
谐振腔
Keywords
high power LD
semiconductor Power amplificative laser
resonant cavities
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计
被引量:
1
4
作者
徐乐
陶李
刘宏
田彤
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院大学
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第3期63-66,共4页
基金
上海经信委资金资助项目(13XI-32)
国家科技重大专项项目(2011ZX02506-004)
文摘
基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1. 08 mm×1. 37 mm。仿真结果表明:在2. 4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22. 9 d Bm,功率附加效率为23. 5%,小信号增益为27. 2 d B,三阶交调失真为-35. 6 d Bc。
关键词
互补金属氧化物
半导体
功率放大
器
片上变压器
模拟预失真
高线性度
Keywords
complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)power amplifier(PA)
on-chip transformer
analog predistortion
high linearity
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
星用S频段3W功率放大器设计
被引量:
1
5
作者
康瑞媛
汪蕾
刘萌萌
机构
中国空间技术研究院西安分院
出处
《空间电子技术》
2012年第3期44-47,共4页
文摘
文章采用S参数的设计方法,找到场效应管的最佳源阻抗和漏阻抗,随后采用MOMENTUM法对版图进行优化仿真,得到三级微波半导体固态功率放大器。其具有高增益(50dB)、高效率(33%)、非线性特性好且小型化的特点。
关键词
微波
半导体
固态
功率放大
器
S参数
非线性特性
Keywords
SSPA
S Parameter
Nonlinear character
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体功率放大激光器耦合效率的研究
杨琏
杨晓妍
朱明方
刘丹
王征宇
李松柏
王安锋
博报学
任大翠
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
2
半导体功率放大激光器及列阵的研究
杨晓妍
杨琏
朱明方
刘杰
叶文
李光耀
王兴权
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2004
0
下载PDF
职称材料
3
GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究
杨晓妍
杨琏
朱明方
刘杰
任大翠
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
4
基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计
徐乐
陶李
刘宏
田彤
《传感器与微系统》
CSCD
2019
1
下载PDF
职称材料
5
星用S频段3W功率放大器设计
康瑞媛
汪蕾
刘萌萌
《空间电子技术》
2012
1
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职称材料
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