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半导体功率放大激光器耦合效率的研究
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作者 杨琏 杨晓妍 +6 位作者 朱明方 刘丹 王征宇 李松柏 王安锋 博报学 任大翠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期938-939,共2页
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词 半导体功率放大 耦合效率 减反射膜
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半导体功率放大激光器及列阵的研究
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作者 杨晓妍 杨琏 +4 位作者 朱明方 刘杰 叶文 李光耀 王兴权 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2004年第1期24-25,共2页
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透... 研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜 ,使反射率和透射率由无膜时的 31%、 6 9%提高到 94 %以上。提高激光输出 ,保护器件端面。 展开更多
关键词 半导体功率放大 LD-SLA 集成 高反射膜 谐振腔 半导体激光器 功率放大
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GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究 被引量:1
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作者 杨晓妍 杨琏 +2 位作者 朱明方 刘杰 任大翠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期428-429,共2页
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高... 研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29%、71%提高到90%以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。 展开更多
关键词 半导体功率放大激光器 GAALAS/GAAS 直接耦合 谐振腔
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基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计 被引量:1
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作者 徐乐 陶李 +1 位作者 刘宏 田彤 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期63-66,共4页
基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高... 基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1. 08 mm×1. 37 mm。仿真结果表明:在2. 4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22. 9 d Bm,功率附加效率为23. 5%,小信号增益为27. 2 d B,三阶交调失真为-35. 6 d Bc。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体功率放大 片上变压器 模拟预失真 高线性度
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星用S频段3W功率放大器设计 被引量:1
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作者 康瑞媛 汪蕾 刘萌萌 《空间电子技术》 2012年第3期44-47,共4页
文章采用S参数的设计方法,找到场效应管的最佳源阻抗和漏阻抗,随后采用MOMENTUM法对版图进行优化仿真,得到三级微波半导体固态功率放大器。其具有高增益(50dB)、高效率(33%)、非线性特性好且小型化的特点。
关键词 微波半导体固态功率放大 S参数 非线性特性
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