期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
新型亚纳秒切断半导体开关器件研制 被引量:3
1
作者 马红梅 刘忠山 +2 位作者 杨勇 刘英坤 崔占东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期337-339,共3页
介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,... 介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 漂移阶跃恢复器件 等离子体 半导体切断开关 脉冲开关 脉冲发生器
下载PDF
特种快速大功率半导体切断开关的研制 被引量:2
2
作者 杨勇 刘英坤 +3 位作者 崔占东 刘忠山 马红梅 陈洪斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期244-246,290,共4页
介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果。面积为0.28cm2的开关(59只串联)在300Hz连续工作模式中,切断电流为1.9kA,电流切断时间为9.56ns;在1000Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73kA,电流切断时间为10.86ns;在负载为470Ω... 介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果。面积为0.28cm2的开关(59只串联)在300Hz连续工作模式中,切断电流为1.9kA,电流切断时间为9.56ns;在1000Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73kA,电流切断时间为10.86ns;在负载为470Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270kV,宽度约为10ns。 展开更多
关键词 半导体切断开关 连续工作模式 猝发工作模式 高压窄脉冲
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部