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Zn_(1-x)Mn_xSe中Mn^(2+)电子自旋翻转能级的光致发光谱
1
作者
张颖君
郑玉祥
+7 位作者
钱栋梁
陈良尧
黄大呜
周仕明
郑卫民
张荣君
王杰
靳彩霞
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期317-320,共4页
用光致发光谱(PL)方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn++内部3d壳层电子4T1(4G)→6A1(6S)跃迁的发光特性.实验结果表明,随着温度的升高,Zn1-xMnxSe(x=0.11,0.17)的发光谱的...
用光致发光谱(PL)方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn++内部3d壳层电子4T1(4G)→6A1(6S)跃迁的发光特性.实验结果表明,随着温度的升高,Zn1-xMnxSe(x=0.11,0.17)的发光谱的发光峰位置产生蓝移,这一变化规律主要是由于温度升高引起晶格膨胀。
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关键词
Zn1-xMnxSe
MN^2+
电子自旋翻转能级
半磁
半导体
光致发光谱
半导体
光学
性质
蓝移
晶格膨胀
配位场效应
原文传递
脉冲激光制备银掺杂硅及其红外性能研究
2
作者
王凯
李晓红
+2 位作者
张延彬
温才
刘德雄
《科技创新与生产力》
2018年第4期39-43,共5页
通过磁控溅射交替镀硅-银-硅多层薄膜并结合532 nm纳秒脉冲激光熔融处理的方式制备了具有较高红外吸收的银掺杂多晶硅薄膜材料。红外光吸收测试表明掺杂银的硅薄膜在大于1 200 nm波长区域具有显著的红外增强吸收,最高红外吸收系数约为2....
通过磁控溅射交替镀硅-银-硅多层薄膜并结合532 nm纳秒脉冲激光熔融处理的方式制备了具有较高红外吸收的银掺杂多晶硅薄膜材料。红外光吸收测试表明掺杂银的硅薄膜在大于1 200 nm波长区域具有显著的红外增强吸收,最高红外吸收系数约为2.7×103cm-1,远高于单晶硅材料,并且呈现出较为明显的亚能带吸收特点。经X射线衍射分析结果表明,经过脉冲激光处理后的掺杂硅薄膜部分结晶,结晶率约为25%,具有多晶结构。硅膜层中银原子掺杂的粒子数浓度达到8.5×1019cm-3,达到超掺杂浓度。同时薄膜层具有较高的载流子浓度,超过5×1018cm-3。红外吸收系数与结晶率之间呈现正相关性。该方法可以较为方便地制备适用于多种不同深能级元素的超掺杂硅光电薄膜材料,且具有较为明显的红外增强吸收。
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关键词
半导体
光学
性质
红外吸收
超掺杂
脉冲激光熔融
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职称材料
题名
Zn_(1-x)Mn_xSe中Mn^(2+)电子自旋翻转能级的光致发光谱
1
作者
张颖君
郑玉祥
钱栋梁
陈良尧
黄大呜
周仕明
郑卫民
张荣君
王杰
靳彩霞
机构
复旦大学物理系
出处
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期317-320,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
用光致发光谱(PL)方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn++内部3d壳层电子4T1(4G)→6A1(6S)跃迁的发光特性.实验结果表明,随着温度的升高,Zn1-xMnxSe(x=0.11,0.17)的发光谱的发光峰位置产生蓝移,这一变化规律主要是由于温度升高引起晶格膨胀。
关键词
Zn1-xMnxSe
MN^2+
电子自旋翻转能级
半磁
半导体
光致发光谱
半导体
光学
性质
蓝移
晶格膨胀
配位场效应
Keywords
semimagnetic semiconducters
photoluminescence
optical properties of semiconducters
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
脉冲激光制备银掺杂硅及其红外性能研究
2
作者
王凯
李晓红
张延彬
温才
刘德雄
机构
西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室
出处
《科技创新与生产力》
2018年第4期39-43,共5页
基金
国家自然科学基金项目(11204250)
四川省教育厅科技成果转化重大培育项目(17CZ0038)
+1 种基金
绵阳市科技攻关项目(16G-01-11)
西南科技大学研究生创新基金资助项目(17ycx071)
文摘
通过磁控溅射交替镀硅-银-硅多层薄膜并结合532 nm纳秒脉冲激光熔融处理的方式制备了具有较高红外吸收的银掺杂多晶硅薄膜材料。红外光吸收测试表明掺杂银的硅薄膜在大于1 200 nm波长区域具有显著的红外增强吸收,最高红外吸收系数约为2.7×103cm-1,远高于单晶硅材料,并且呈现出较为明显的亚能带吸收特点。经X射线衍射分析结果表明,经过脉冲激光处理后的掺杂硅薄膜部分结晶,结晶率约为25%,具有多晶结构。硅膜层中银原子掺杂的粒子数浓度达到8.5×1019cm-3,达到超掺杂浓度。同时薄膜层具有较高的载流子浓度,超过5×1018cm-3。红外吸收系数与结晶率之间呈现正相关性。该方法可以较为方便地制备适用于多种不同深能级元素的超掺杂硅光电薄膜材料,且具有较为明显的红外增强吸收。
关键词
半导体
光学
性质
红外吸收
超掺杂
脉冲激光熔融
Keywords
optical properties of semiconductors
infrared absorption
hyper-doping
pulse laser process
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn_(1-x)Mn_xSe中Mn^(2+)电子自旋翻转能级的光致发光谱
张颖君
郑玉祥
钱栋梁
陈良尧
黄大呜
周仕明
郑卫民
张荣君
王杰
靳彩霞
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
原文传递
2
脉冲激光制备银掺杂硅及其红外性能研究
王凯
李晓红
张延彬
温才
刘德雄
《科技创新与生产力》
2018
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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