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高功率半导体激光器评述
被引量：
10
1
作者
曹三松
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期203-206,共4页
作者综合评述了高功率半导体激光器的发展现状 ,对高功率半导体阵列器件结构进行了分析 ,介绍了设计高功率半导体激光器所涉及的关键技术。
关键词
半导
休
光器
列阵
高功率
GAALAS/GAAS
下载PDF
职称材料
CdF_2半导体中表面磁极化子的性质
被引量：
7
2
作者
肖景林
额尔敦朝鲁
张鹏
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期441-447,共7页
本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声...
本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算，结果表明，ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小，随磁场Ｂ的增加而增加；诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加，但与外磁场Ｂ无关；有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加而增加；当ｚ＜３ｎｍ时，声子之间相互作用的影响Δ随坐标ｚ的增加而增加，当ｚ＞３ｎｍ时，Δ随ｚ的增加而缓慢减小．
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关键词
氟化镉
表面磁极化子
性质
半导
休
亘子阱
下载PDF
职称材料
常规四探针法和双位四探针法测量半导体薄片电阻率的比较与探讨
被引量：
3
3
作者
鲁效明
《计量技术》
1994年第4期24-26,共3页
本文主要介绍了三种测量薄片电阻率的方法及其测量结果的差别，并探讨了产生不同测量结果的根源。
关键词
探针法
半导
休
薄膜
电阻率
测量
下载PDF
职称材料
升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响
被引量：
1
4
作者
姚尧
王依琳
《上海微电子技术和应用》
1996年第1期17-22,共6页
低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片。
关键词
低共熔点
升温速率
异常晶粒生长
半导
休
陶瓷
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职称材料
题名
高功率半导体激光器评述
被引量：
10
1
作者
曹三松
机构
西南技术物理研究所
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期203-206,共4页
文摘
作者综合评述了高功率半导体激光器的发展现状 ,对高功率半导体阵列器件结构进行了分析 ,介绍了设计高功率半导体激光器所涉及的关键技术。
关键词
半导
休
光器
列阵
高功率
GAALAS/GAAS
Keywords
semiconductor lasers array high power GaAlAs/GaAs
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CdF_2半导体中表面磁极化子的性质
被引量：
7
2
作者
肖景林
额尔敦朝鲁
张鹏
机构
内蒙古民族师院物理系
中国科学院激发态物理开放实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期441-447,共7页
基金
中国科学院激发态物理开放实验室基金
文摘
本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算，结果表明，ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小，随磁场Ｂ的增加而增加；诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加，但与外磁场Ｂ无关；有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加而增加；当ｚ＜３ｎｍ时，声子之间相互作用的影响Δ随坐标ｚ的增加而增加，当ｚ＞３ｎｍ时，Δ随ｚ的增加而缓慢减小．
关键词
氟化镉
表面磁极化子
性质
半导
休
亘子阱
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
TN304.01
下载PDF
职称材料
题名
常规四探针法和双位四探针法测量半导体薄片电阻率的比较与探讨
被引量：
3
3
作者
鲁效明
机构
中国计量科学研究院
出处
《计量技术》
1994年第4期24-26,共3页
文摘
本文主要介绍了三种测量薄片电阻率的方法及其测量结果的差别，并探讨了产生不同测量结果的根源。
关键词
探针法
半导
休
薄膜
电阻率
测量
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响
被引量：
1
4
作者
姚尧
王依琳
出处
《上海微电子技术和应用》
1996年第1期17-22,共6页
文摘
低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片。
关键词
低共熔点
升温速率
异常晶粒生长
半导
休
陶瓷
分类号
TN304.82 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率半导体激光器评述
曹三松
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000
10
下载PDF
职称材料
2
CdF_2半导体中表面磁极化子的性质
肖景林
额尔敦朝鲁
张鹏
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
7
下载PDF
职称材料
3
常规四探针法和双位四探针法测量半导体薄片电阻率的比较与探讨
鲁效明
《计量技术》
1994
3
下载PDF
职称材料
4
升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响
姚尧
王依琳
《上海微电子技术和应用》
1996
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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