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题名生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响
被引量：2
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作者
闫萍
索开南
庞炳远
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2011年第9期11-13,38,共4页
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文摘
分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构(包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计)基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。
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关键词
区熔炉
高阻
硅单晶
电阻率径向分布
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Keywords
Higher-Resistivity
FZ-Si
Radial resistivity variation
Float-zone furnace
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分类号
TN304.05
[电子电信—物理电子学]
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题名在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶
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作者
魏斌
王炎
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机构
峨嵋半导体材料厂
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出处
《四川有色金属》
1998年第3期16-19,共4页
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文摘
高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.
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关键词
区熔硅单晶
区熔炉
半导体
硅
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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题名TDG—28型大直径区熔单晶炉
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作者
盛耀昌
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机构
东风电机厂
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出处
《东方电气评论》
1990年第4期270-273,269,共5页
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文摘
本文介绍了TDG-28型大直径区熔单晶炉的主要技术指标和性能特点。该炉在一定的工艺条件下可以稳定生产直径为75mm～100mm的高阻率无位错单晶硅。由于采用铸铁件结构使该设备具有一定的防震吸震能力,故无需安装庞大的减震器防震基座。在国内首次使用晶体夹持机构和伸缩炉体是该炉的两个重要特点。采用可控硅链式触发器进行可控硅调压,使高频振荡器输出功率稳定性好,效率高,且有较好的节能效果。
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关键词
区熔炉
单晶炉
大直径
冶金炉
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分类号
TF806.9
[冶金工程—有色金属冶金]
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题名Fz115型区熔炉的设计及特点
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作者
陈应斗
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机构
北京有色冶金设计研究总院
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出处
《有色设备》
1997年第4期11-14,共4页
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文摘
Fz115型区熔炉是八十年代末设计用于生产区熔单晶硅，有八十年代初国际先进水平的炉子。本文着重介绍该炉的技术性能，主要机构的设计，动作原理及其结构特点等。
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关键词
单晶硅
区熔炉
晶体夹持器
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
TF806.9
[冶金工程—有色金属冶金]
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题名直径130毫米区熔硅单晶在天津出炉
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出处
《集成电路应用》
2002年第9期44-44,共1页
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关键词
硅单晶
天津
环欧半导体材料公司
FZ-30区熔炉
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分类号
TN304.053
[电子电信—物理电子学]
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