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区域熔炼提纯超高纯锗 被引量：5
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作者 赵青松 牛晓东 +1 位作者 黄幸慰 朱刘 《广州化工》 CAS 2019年第17期88-90,共3页
采用区域熔炼生长单晶的方法提纯超高纯锗,采用镀碳膜石英舟为容器,提纯后的锗锭在液氮温度下检测净杂质浓度。实验讨论了区熔次数和保护气氛对提纯效果的影响,结果表明区熔次数的增加可以明显提高提纯效果,在10~20次的范围内,最佳区熔... 采用区域熔炼生长单晶的方法提纯超高纯锗,采用镀碳膜石英舟为容器,提纯后的锗锭在液氮温度下检测净杂质浓度。实验讨论了区熔次数和保护气氛对提纯效果的影响,结果表明区熔次数的增加可以明显提高提纯效果,在10~20次的范围内,最佳区熔次数为20次;在氢气氛围下提纯可避免微量氧对提纯的不利影响,有利于得到更高纯度的锗。实验提纯得到的锗锭净杂质浓度最低为5×1010cm^-3。 展开更多
关键词 超高纯锗 区域熔炼 区熔次数 净杂质浓度
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