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铜在氨水介质铁氰化钾CMP抛光液中抛光速率及其影响因素的研究 被引量：8
1
作者 何捍卫 胡岳华 黄可龙 《电化学》 CAS CSCD 2002年第2期202-206,共5页
本文研究了腐蚀介质氨水、成膜剂铁氰化钾及磨粒γ_Al2 O3 浓度、抛光压力和抛光转速对铜化学_机械抛光速率的影响 .解释了各影响因素的影响机理 .实验表明了在一定范围内抛光速率与抛光压力及抛光转速呈线性关系 ,组分浓度对抛光速率... 本文研究了腐蚀介质氨水、成膜剂铁氰化钾及磨粒γ_Al2 O3 浓度、抛光压力和抛光转速对铜化学_机械抛光速率的影响 .解释了各影响因素的影响机理 .实验表明了在一定范围内抛光速率与抛光压力及抛光转速呈线性关系 ,组分浓度对抛光速率的影响为非线性关系 ,Preston系数Kp是变量 .最大抛光速率的化学_机械抛光液的配方为 :4 %K3Fe(CN) 6 + 1 %NH3·H2 O + 2 5%γ -Al2 O3,Kp=0 .0 2 3 83 ;工艺条件为 :3 0 0r/min、80kpa .最佳抛光效果为 :Ra=50nm ,Rmax=4 0 展开更多
关键词 氨水介质 铁氰化钾 抛光液 铜 CMP 抛光速率 影响因素 化学-机械抛光 电化学腐蚀
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铜在硝酸介质苯并三唑抛光液中化学-机械抛光时的电化学行为 被引量：4
2
作者 何捍卫 胡岳华 黄可龙 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期67-70,共4页
用电化学测试技术研究了硝酸、苯并三唑及H2O2浓度对铜表面的成膜及铜抛光过程的影响.测试了各种体系中铜的交流阻抗及其影响因素,探讨了腐蚀电流密度与抛光压力、抛光转速的关系,考察了化学-机械抛光过程中腐蚀电位及极化曲线的变化规... 用电化学测试技术研究了硝酸、苯并三唑及H2O2浓度对铜表面的成膜及铜抛光过程的影响.测试了各种体系中铜的交流阻抗及其影响因素,探讨了腐蚀电流密度与抛光压力、抛光转速的关系,考察了化学-机械抛光过程中腐蚀电位及极化曲线的变化规律. 用腐蚀电流密度及腐蚀电位等电化学变量的变化解释了抛光过程的电化学机理,证明在硝酸溶液介质中,以苯并三唑为成膜剂、H2O2为助剂、纳米g -Al2O3为磨粒的抛光液配方是可行的. 展开更多
关键词 铜 化学-机械抛光 苯并三唑 电化学行为 硝酸 抛光液
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铜在甲胺介质铁氰化钾化学-机械抛光液中的电化学行为 被引量：2
3
作者 何捍卫 胡岳华 黄可龙 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第11期893-897,共5页
用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响 ,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系 ,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位 ( E-corrosion)及腐蚀电流密度 ( I... 用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响 ,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系 ,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位 ( E-corrosion)及腐蚀电流密度 ( I-corrosion) ,并据 E-corrosion及 I-corrosion的变化规律得到如下主要结论 :1 )介质及成膜剂浓度对铜表面钝化膜的厚度、致密性起关键作用 ;2 )膜的厚度、致密性决定了抛光的压力及转速 ;3) 展开更多
关键词 铜 化学-机械抛光 电化学行为 铁氰化钾 抛光液 成膜剂 抛光过程
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甲胺-铁氰化钾抛光液中铜钝化成膜的机理研究 被引量：1
4
作者 何捍卫 周科朝 胡岳华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期933-936,共4页
用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理。通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)、氧化峰电位(EApa)及阳阴峰电流的比值(IApa/IApc)与相应电位扫描速率的关系。结果表明,氧化峰电流和氧... 用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理。通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)、氧化峰电位(EApa)及阳阴峰电流的比值(IApa/IApc)与相应电位扫描速率的关系。结果表明,氧化峰电流和氧化峰电位均与电位扫描速率的平方根成线性关系,说明成膜复盖度θ与电位扫描速率无关,成膜过程符合M櫣ller模型。成膜过程中,电极反应存在后置化学转化,铜在去极化剂作用下发生失去一个电子的阳极溶解反应,然后再进行化学转化反应生成Cu4[Fe(CN)6]钝化膜。在CMP过程中,具有这种钝化膜的铜的腐蚀电流密度及抛光速率随抛光转速的增加而增大。 展开更多
关键词 铜 化学-机械抛光 钝化 机理
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化学工业中的纳米技术(续)
5
作者 朱曾惠 《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第2期38-38,43,共2页
关键词 化学工业 纳米技术 纳米粒子 化学-机械抛光 TIO2 ZNO
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全球纳米材料市场增长强劲
6
作者 李正 《精细与专用化学品》 CAS 2003年第7期32-33,共2页
据美国商务通讯公司(Business CommunicationsCompany,简称BBC)对2002年10月底在纽约召开的“纳米粒料2002年研讨会”的报告称,2001年全球纳米粒料总销售额估计为5.556亿美元,预计2005年将达到9亿美元,年均增长率为12.8％。按用途分。
关键词 纳米材料 市场 世界 化合物 化学-机械抛光
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单晶金刚石机械研磨结合化学辅助机械抛光组合加工工艺 被引量：6
7
作者 李强 金洙吉 +2 位作者 苑泽伟 李伟思 郭东明 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第4期369-374,共6页
单晶金刚石因具有最高的硬度和最低的摩擦系数常被用来制备超精密刀具,而表面粗糙度是影响刀具寿命的重要指标.提出采用机械研磨结合化学辅助机械抛光的组合工艺抛光单晶金刚石.实验优化并确定的加工工艺如下:先用5μm和2μm金刚石粉研... 单晶金刚石因具有最高的硬度和最低的摩擦系数常被用来制备超精密刀具,而表面粗糙度是影响刀具寿命的重要指标.提出采用机械研磨结合化学辅助机械抛光的组合工艺抛光单晶金刚石.实验优化并确定的加工工艺如下:先用5μm和2μm金刚石粉研磨单晶金刚石表面,然后采用化学机械的方法去除机械研磨带来的损伤.用该工艺抛光单晶金刚石,表面粗糙度Ra可达0.8 nm(测量区域70μm×53μm).表面拉曼光谱分析表明化学机械抛光的表面只有1 332 cm-1拉曼峰. 展开更多
关键词 单晶金刚石 化学辅助机械抛光 机械研磨
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模具电化学-机械抛光技术及装备 被引量：3
8
作者 季仁良 《航空制造技术》 北大核心 2003年第3期73-75,共3页
着重论述了电化学 -机械抛光工艺及装备的研制方法 ,提出了初步的应用范围。试验表明这种工艺方法具有加工范围广、精度高和生产效率高等优点 。
关键词 模具 电化学-机械抛光工艺 抛光装备 导电锉 导电油石
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超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展 被引量：92
9
作者 郭东明 康仁科 +1 位作者 苏建修 金洙吉 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期100-105,共6页
在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断... 在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 硅片 化学机械抛光 平坦化 制造
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化学机械抛光(CMP)技术的发展、应用及存在问题 被引量：53
10
作者 雷红 雒建斌 马俊杰 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期73-76,共4页
在亚微米半导体制造中 ,器件互连结构的平坦化正越来越广泛采用化学机械抛光 (CMP)技术 ,这几乎是目前唯一的可以提供在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。本文综述了化学机械抛光的基本工作原理。
关键词 化学机械抛光 设备 研浆 平面化技术 半导体器件
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化学机械抛光技术的研究进展 被引量：59
11
作者 雷红 雒建斌 张朝辉 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第6期494-502,共9页
化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出... 化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 表面微加工 化学机械抛光 平整化 研究进展 微电子制造 集成电路芯片 计算机硬磁盘
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超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析 被引量：54
12
作者 苏建修 康仁科 郭东明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期27-32,共6页
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有... 目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。 展开更多
关键词 化学机械抛光 材料去除机理 CMP系统过程变量 超大规模集成电路
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化学机械抛光技术研究进展 被引量：49
13
作者 宋晓岚 李宇焜 +2 位作者 江楠 屈一新 邱冠周 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期26-31,共6页
通过回顾化学机械抛光技术的发展历史,概述了化学机械抛光作用机制与实际应用情况,着重阐述了几种重要抛光浆料(如CeO2、SiO2、Al2O3抛光浆料)的优缺点、抛光机理及其国内外新近制备方法,进一步展望了化学机械抛光技术的发展前景与新型... 通过回顾化学机械抛光技术的发展历史,概述了化学机械抛光作用机制与实际应用情况,着重阐述了几种重要抛光浆料(如CeO2、SiO2、Al2O3抛光浆料)的优缺点、抛光机理及其国内外新近制备方法,进一步展望了化学机械抛光技术的发展前景与新型抛光浆料的开发方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光浆料 抛光机理
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蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究 被引量：37
14
作者 王银珍 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期441-447,共7页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同的工艺要求和应用领域 ,有效降低成本 。 展开更多
关键词 化学机械抛光技术 蓝宝石 衬底 CMP 抛光方法 抛光机
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化学机械抛光液的发展现状与研究方向 被引量：39
15
作者 彭进 夏琳 邹文俊 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期95-98,共4页
简述了化学机械抛光液的主要成分及其作用;综述了近年来国内外化学机械抛光液的发展现状,主要介绍了二氧化硅胶体抛光液、二氧化铈抛光液、氧化铝抛光液、纳米金刚石抛光液。最后指出,化学机械抛光液未来应向环保化、精细化以及专门化... 简述了化学机械抛光液的主要成分及其作用;综述了近年来国内外化学机械抛光液的发展现状,主要介绍了二氧化硅胶体抛光液、二氧化铈抛光液、氧化铝抛光液、纳米金刚石抛光液。最后指出,化学机械抛光液未来应向环保化、精细化以及专门化的方向发展。 展开更多
关键词 化学机械抛光液 二氧化硅 二氧化铈 氧化铝 纳米金刚石
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ULSI硅衬底的化学机械抛光 被引量：31
16
作者 张楷亮 刘玉岭 +2 位作者 王芳 李志国 韩党辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期115-119,共5页
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是... 在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素 ,而不是单纯受粒径大小的影响 .分析和讨论了 CMP工艺中的几个影响因素 ,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等 .采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗 ,表面颗粒数优于国际 SEMI标准 。 展开更多
关键词 硅衬底 化学机械抛光(CMP) ULSI 纳米研磨料 动力学过程
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化学机械抛光液的研究进展 被引量：33
17
作者 孟凡宁 张振宇 +2 位作者 郜培丽 孟祥东 刘健 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期1-10,23,共11页
化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能。将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以... 化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能。将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以及复合磨粒,综述了近年来国内外化学机械抛光液磨粒发展现状,其中重点分析和总结了SiO2、Al2O3、CeO2三种单一磨粒,SiO2/Al2O3、SiO2/SiO2、SiO2/CeO2混合磨粒,CeO2@SiO2、PS@CeO2、PS@SiO2、sSiO2@mSiO2、PMMA@CeO2、PS@mSiO2等核-壳结构复合磨粒,Co、Cu、Fe、Ce、La、Zn、Mg、Ti、Nd等离子掺杂复合磨粒的研究和应用现状,并针对目前存在的问题进行了详细的分析。针对目前化学机械抛光液不同材料氧化剂(高锰酸钾和过氧化氢)的选择和使用进行了分析总结。此外,介绍了一种新型绿色环保抛光液的研究和使用情况,同时对化学机械抛光液存在的共性问题进行了总结,最后展望了化学机械抛光液未来的研究方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 磨粒 氧化剂 绿色环保
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集成电路多层结构中的化学机械抛光技术 被引量：21
18
作者 江瑞生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期6-9,共4页
化学机械抛光技术（ＣＭＰ）已成功地应用于集成电路多层结构中介质层和金属层的全局平面化。这是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术，对０．３５μｍ及以下的器件工艺是绝对必须的。ＣＭＰ面临的问题主要是难以维持高效的、稳... 化学机械抛光技术（ＣＭＰ）已成功地应用于集成电路多层结构中介质层和金属层的全局平面化。这是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术，对０．３５μｍ及以下的器件工艺是绝对必须的。ＣＭＰ面临的问题主要是难以维持高效的、稳定的、一次通过性的生产运转。 展开更多
关键词 化学机械抛光 多层结构 集成电路
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纳米CeO_2颗粒的制备及其化学机械抛光性能研究 被引量：29
19
作者 李霞章 陈杨 +2 位作者 陈志刚 陈建清 倪超英 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-5,共5页
以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料制备出不同粒径的纳米CeO2粉体颗粒,将纳米CeO2粉体配制成抛光液并用于砷化镓晶片的化学机械抛光.结果表明,不同尺寸的纳米磨料具有不同的抛光效果,采用粒度8 nm的CeO2磨料抛光后微观表面粗糙度最低(0.740 ... 以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料制备出不同粒径的纳米CeO2粉体颗粒,将纳米CeO2粉体配制成抛光液并用于砷化镓晶片的化学机械抛光.结果表明,不同尺寸的纳米磨料具有不同的抛光效果,采用粒度8 nm的CeO2磨料抛光后微观表面粗糙度最低(0.740 nm),采用粒度小于或大于8 nm的CeO2磨料抛光后其表面粗糙度值均较高.通过简化的固-固接触模型分析,认为当粒度过小时,磨料难以穿透软质层,表现为化学抛光为主,表面凹坑较多,表面粗糙度较高;当粒度大于一定值时,随着磨料粒度增加,嵌入基体部分的深度加大,使得粗糙度出现上升趋势.提出当磨料嵌入晶片表面的最大深度等于或接近于软质层厚度时,在理论上应具有最佳的抛光效果. 展开更多
关键词 纳米CEO2 GAAS 化学机械抛光 磨料粒径
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化学机械抛光中抛光垫的研究 被引量：20
20
作者 魏昕 熊伟 +1 位作者 黄蕊慰 袁慧 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第5期40-43,共4页
抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材... 抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构 ,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律 ,认为 :抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性 ,CMP过程材料去除率增大 ;采用表面合理开槽的抛光垫 ,可提高材料去除率 ,降低晶片表面的不均匀性 ;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较 。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 聚氨酯 修整
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