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热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS_2薄膜的影响 被引量：3
1
作者 汤会香 严密 +1 位作者 张辉 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期363-366,共4页
采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高... 采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。 展开更多
关键词 CuInS2薄膜 化学水浴沉积法 热处理
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枝状ZnO-TiO_2复合纳米棒阵列的制备及表征 被引量：3
2
作者 王璟 丁雨田 +2 位作者 胡勇 张杨 董小丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期731-736,共6页
采用化学水浴沉积法,在预制晶种层的基底上得到垂直底面生长的有序ZnO纳米棒阵列,再用反应磁控溅射方法,沉积制备ZnO-TiO2复合结构的纳米棒阵列。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备得到的样品进行结构和形貌表征,研究了晶... 采用化学水浴沉积法,在预制晶种层的基底上得到垂直底面生长的有序ZnO纳米棒阵列,再用反应磁控溅射方法,沉积制备ZnO-TiO2复合结构的纳米棒阵列。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备得到的样品进行结构和形貌表征,研究了晶种层、水浴生长液浓度和磁控溅射氧氩比对复合纳米阵列的影响。制备得到了具有TiO2分枝的复合纳米棒阵列,并初步探讨了TiO2分枝的形成机理,为制备基于复合纳米棒阵列的器件提供了条件。 展开更多
关键词 ZNO 化学水浴沉积法 纳米阵列 TIO2 反应磁控溅射
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CdS薄膜中“白斑”的研究 被引量：3
3
作者 薛玉明 孙云 +4 位作者 周志强 孟广保 汲明亮 郑贵波 李长键 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期620-623,共4页
本论文对CdS薄膜中的“白斑”进行了研究。化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等。文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵。所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表... 本论文对CdS薄膜中的“白斑”进行了研究。化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等。文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵。所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表征,成分由EDX表征。当镉盐和铵盐分别采用氯化镉和氯化铵时,生成的薄膜中存在大量的“白斑”。这些“白斑”的成分不是CdS,而是(CdCl)2S。增加氨水的浓度可以大大减少这些“白斑”,但是不能彻底消除这些“白斑”。当镉盐和铵盐分别采用乙酸镉和乙酸铵时,生成的薄膜均匀、平整,薄膜中根本就不存在所谓的“白斑”。因此,沉积CdS薄膜时,镉盐和铵盐不宜采用氯化镉和氯化铵,应该采用乙酸镉和乙酸铵。 展开更多
关键词 化学水浴沉积法 CDS 白斑
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化学水浴法制备ZnS薄膜光学性能 被引量：1
4
作者 王应民 杜楠 +5 位作者 孙云 张萌 蔡莉 李禾 程国安 徐飞 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期237-240,共4页
利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度。实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透... 利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度。实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透过率为82%左右。 展开更多
关键词 化学水浴沉积法 ZNS薄膜 消光系数 禁带宽度
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水浴沉积法制备硫化镉薄膜的初步研究
5
作者 林健敏 解振海 +4 位作者 颜佳华 乔逸舟 曹元硕 林英豪 李建康 《红外》 CAS 2012年第11期30-32,共3页
采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉(CdS)太阳能电池材料,对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究。结果表明,反应溶液的pH值以及薄膜的退火温度是影响成膜的重要因素。实验中pH值范围控制在10.5～10.8之间... 采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉(CdS)太阳能电池材料,对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究。结果表明,反应溶液的pH值以及薄膜的退火温度是影响成膜的重要因素。实验中pH值范围控制在10.5～10.8之间,最佳退火温度为400℃。另外退火时滴加CdCl2溶液并将其涂抹于薄膜表面,可以使薄膜在可见光范围的透过率得到进一步的提高。 展开更多
关键词 CDS薄膜 太阳能电池 化学水浴沉积法 光学性能
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化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究
6
作者 詹红 李建康 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期120-123,共4页
基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火... 基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60min。 展开更多
关键词 化学水浴沉积法 太阳能电池 硫化镉薄膜 退火 结晶
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化学超声水浴沉积法制备CdSe薄膜及其性能的研究
7
作者 张志乾 武光明 +3 位作者 高德文 朱艳英 曹阳 周洋 《纳米科技》 2012年第1期56-60,共5页
以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用化学超声水浴沉积法制备了CdSe薄膜,用XRD、UV-Vis、SEM等方法进行表征,结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有一定的吸收,可以获得较好的光电流。应用化学超声水... 以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用化学超声水浴沉积法制备了CdSe薄膜,用XRD、UV-Vis、SEM等方法进行表征,结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有一定的吸收,可以获得较好的光电流。应用化学超声水浴沉积法制备CdSe薄膜的优化条件为：络合剂比例1：1.5、镉与硒浓度比例2.5：1、PH值10、沉积时间2.5h、退火温度350℃。 展开更多
关键词 CDSE薄膜 超声波 光电性能 化学水浴沉积法
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水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响
8
作者 徐娜 陈哲 +1 位作者 索忠源 谭乃迪 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期111-116,共6页
采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质... 采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS随CdSO_4浓度的降低而逐渐减少。同时,VS缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率。根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致。 展开更多
关键词 本征缺陷 CDS薄膜 化学水浴沉积法 电学性质 光学性质
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籽晶辅助化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列 被引量：4
9
作者 潘景伟 马向阳 +1 位作者 张辉 杨德仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1304-1308,共5页
采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液... 采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液中Zn源的初始浓度等对ZnO纳米棒阵列生长的影响,由此得到了结晶性好且几乎垂直于衬底方向的ZnO纳米棒阵列的生长条件,为制备基于ZnO纳米棒阵列的器件提供了条件。 展开更多
关键词 ZNO 纳米阵列 籽晶辅助化学水浴沉积法 扫描电子显微镜 X射线衍射
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对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究 被引量：2
10
作者 陈婷婷 王瑞林 +3 位作者 姜春萍 赵北君 朱世富 王育伟 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-748,共3页
采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合... 采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。 展开更多
关键词 CDS薄膜 化学水浴沉积法(CBD) 电容-电压测试
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