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单晶硅化学气相沉积反应器流场初探 被引量:1
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作者 王亲猛 刘赵淼 罗木昌 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期483-485,共3页
对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析.通过数值求解三维层流 Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏.结果表明,由于存在浮力效应,轴对称 几何体中也会... 对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析.通过数值求解三维层流 Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏.结果表明,由于存在浮力效应,轴对称 几何体中也会发生非轴对称流场分布,从而影响单晶硅的均匀生长. 展开更多
关键词 单晶硅 化学气相沉积反应器 流场 浮力效应 对称性破坏 数值模拟 晶体生长
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基于Fe_(3)O_(4)/FeO两步法制取合成气参数研究 被引量:1
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作者 马强 LOUGOU Bachirou Guene 黄兴 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期58-62,78,共6页
对氧化铁两步法制取合成气的工况参数进行了研究,利用CHEMKIN软件中的化学气相沉积反应器,通过计算得到生成物中合成气的摩尔分数,得出不同工况参数(反应气体比例、反应器表面温度、气体入口温度和气体入口速度)对合成气摩尔分数的影响... 对氧化铁两步法制取合成气的工况参数进行了研究,利用CHEMKIN软件中的化学气相沉积反应器,通过计算得到生成物中合成气的摩尔分数,得出不同工况参数(反应气体比例、反应器表面温度、气体入口温度和气体入口速度)对合成气摩尔分数的影响规律。研究结果表明:合成气摩尔分数随着反应气体中水蒸气和二氧化碳的比例增加先升高,达到极值后下降。合成气摩尔分数随着反应器表面温度和气体入口温度的增加而升高,但随着反应入口速度的增加而降低。氧化铁氧化还原反应在反应器入口处反应最为剧烈,合成气摩尔分数沿反应器中心线距离不断下降,最终趋于稳定。该研究结果对氧化铁两步法制取合成气的参数研究具有参考意义。 展开更多
关键词 CHEMKIN 化学气相沉积反应器 两步法 合成气 氧化铁
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