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高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究
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作者 彭海波 杨秀玉 +6 位作者 程锐 王释伟 羊佳 韩运成 赵永涛 房燕 王铁山 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期773-776,共4页
高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作... 高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大. 展开更多
关键词 高电荷态离子 溅射 碰撞 势能溅射
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