0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长 被引量：6

1

作者 徐家跃 范世(?) 孙仁英 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期721-724,共4页

研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只... 研究了0.91Pb(znl/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3(PZNT91/9,摩尔分数)在不同组分和配比熔盐中的析晶行为及其对晶体生长的影响。发现B2O3,PbF2等助溶剂不利于钙钛矿相的析出;而BaTiO3-PbO复合体系虽然能够促进钙钛矿相析出,但晶体析出量很少;只有适当比例的。PbO助溶剂比较适合于生长具有铁电性的钙钛矿相PZNT91/9单晶。助溶剂法生长的工艺参数为:溶质与PbO助溶剂的摩尔比为l:l,泡料温度1 150-1 200℃,泡料时间10 h,晶体生长时降温速度0.8-2℃/h,当温度降到900℃时停止生长,以50℃/h快速冷却至室温。所得晶体为琥珀色,最大尺寸达φ30 mm×15 mm,其压电系数和机电偶合系数分别为2000 pc/N和0.92。 展开更多

关键词 0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3 析晶行为 助溶剂法 铌锌钛酸铅 钙钛矿相 晶体生长

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助溶剂法生长的AgNbO_(3)晶体相转变特征、电学和光学性能

2

作者 牛佳林 董思远 +3 位作者 魏永星 靳长清 南瑞华 杨斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期291-298,共8页

AgNbO_(3)具有反铁电性及高的极化强度,在智能器件领域有着重要的应用前景.本文采用助溶剂法合成了高质量的AgNbO_(3)单晶(最大尺寸5 mm×4 mm×4 mm),系统研究了其相转变特征、光学和电学性能.当AgNbO_(3)晶体处于正交M相时,... AgNbO_(3)具有反铁电性及高的极化强度,在智能器件领域有着重要的应用前景.本文采用助溶剂法合成了高质量的AgNbO_(3)单晶(最大尺寸5 mm×4 mm×4 mm),系统研究了其相转变特征、光学和电学性能.当AgNbO_(3)晶体处于正交M相时,保持着相同的畴结构;由M_(2)相转变至地相时,偏光显微镜(PLM)照片衬度变暗,同时电导率和介电损耗明显上升.当AgNbO_(3)单晶由M_(3)相到顺电O相时,畴结构消失;同时,表现出明显的热滞后现象,属于第一类相变.室温下,AgNbO_(3)单晶的直接带隙拟合禁带宽度为2.73 eV,略窄于AgNbO_(3)陶瓷.在临界电场以下,AgNbO_(3)单晶表现出更高的电致应变(0.076%,E_(m)=130 kV/cm).在绿色激光照射下,介电常数由70增至73,表现出明显的光致介电效应. 展开更多

关键词 AgNbO_(3)单晶 助溶剂法 相转变特征

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高质量PtP_(2)晶体中的三维弱局域化和负磁阻效应 被引量：1

3

作者 程秋振 冼国裕 +11 位作者 黄引 郭辉 潘禄禄 周厚博 王晶 吕森浩 申承民 林晓 陈海龙 李永峰 杨海涛 高鸿钧 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期2393-2399,共7页

近年来,含有五元环排列结构的PtP_(2)单晶和二维材料因具有丰富的物理和化学性能而得到广泛关注,有望应用于高性能电子和光电子器件.本文通过优化Pt和P的初始摩尔比,采用助溶剂法制备了高质量的PtP_(2)单晶,并在PtP_(2)单晶中首次发现... 近年来,含有五元环排列结构的PtP_(2)单晶和二维材料因具有丰富的物理和化学性能而得到广泛关注,有望应用于高性能电子和光电子器件.本文通过优化Pt和P的初始摩尔比,采用助溶剂法制备了高质量的PtP_(2)单晶,并在PtP_(2)单晶中首次发现了三维弱局域化和负磁阻效应.晶体结构、磁性和光谱测试表明,PtP_(2)单晶中的少量缺陷可抑制负磁阻效应和磁有序态.本文提出了合成高质量贵金属磷化物单晶的有效方法,为研究磷化物中多种关联电子态提供了新的平台. 展开更多

关键词 磁阻效应 排列结构 助溶剂法 光谱测试 磁有序 金属磷化物 光电子器件 晶体结构

原文传递

拓扑半金属及磁性拓扑材料的单晶生长

4

作者 王欢 何春娟 +9 位作者 徐升 王义炎 曾祥雨 林浚发 王小艳 巩静 马小平 韩坤 王乙婷 夏天龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期307-337,共31页

拓扑材料因具有新奇物理特性受到广泛关注,这些材料一方面为基础物理研究提供了新的平台,另一方面在以拓扑物理为基础发展的器件研究方向上展现出潜在应用价值.凝聚态领域对于拓扑材料相关物理问题的研究主要通过两种方式开展:一是在已... 拓扑材料因具有新奇物理特性受到广泛关注,这些材料一方面为基础物理研究提供了新的平台,另一方面在以拓扑物理为基础发展的器件研究方向上展现出潜在应用价值.凝聚态领域对于拓扑材料相关物理问题的研究主要通过两种方式开展:一是在已知的拓扑材料中不断挖掘新的实验现象和物理问题;二是不断预言和探索发现新型拓扑材料体系并开展合成.无论哪种方式,高质量单晶的获得都至关重要,它为角分辨光电子能谱、扫描隧道显微谱和磁场下的量子振荡等实验研究提供了前提保障.本文总结了拓扑材料的分类和发展,基于本研究组近些年开展的工作介绍了助溶剂法、气相输运法这两种拓扑材料单晶生长中常用的方法,并详细介绍了拓扑物性研究领域几类典型的拓扑材料及其生长方法,如拓扑绝缘体/拓扑半金属、高陈数手性拓扑半金属和磁性拓扑材料等. 展开更多

关键词 拓扑材料 晶体生长 助溶剂法 气相输运法

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助溶剂法制备硼酸铝晶须的方法与机理 被引量：3

5

作者 黄浩 钟辉 彭时利 《矿产综合利用》 CAS 2009年第1期32-35,共4页

硼酸铝晶须(9Al2O3.2B2O3)是一种新兴的增强材料,应用领域非常广泛。本文介绍了助溶剂法制备硼酸铝晶须的方法和机理,并对制备过程中所需的条件进行了归纳。

关键词 硼酸铝晶须 助溶剂法 机理

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GaN体单晶生长技术研究现状 被引量：2

6

作者 徐永宽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期101-105,共5页

回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶荆法、氨热法、提拉法等熔体生长方法。针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状。

关键词 氮化镓 体单晶 生长方法 气相外延 升华法 助溶剂法 氨热法

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氯化钠助溶剂法制备氧化镁晶须 被引量：2

7

作者 吴健松 曾环忠 《盐业与化工》 CAS 北大核心 2008年第6期18-20,共3页

以MgCl2.6H2O为原料,NaCl为助溶剂,高温熔剂法制备了氧化镁晶须。样品用XRD,SEM,TEM进行了物相、形貌结构分析。考察了煅烧温度、煅烧时间对氧化镁晶须晶形、结构和分散性的影响。实验发现,当煅烧温度T=950℃,煅烧时间t=6h时可获得粒度... 以MgCl2.6H2O为原料,NaCl为助溶剂,高温熔剂法制备了氧化镁晶须。样品用XRD,SEM,TEM进行了物相、形貌结构分析。考察了煅烧温度、煅烧时间对氧化镁晶须晶形、结构和分散性的影响。实验发现,当煅烧温度T=950℃,煅烧时间t=6h时可获得粒度分布均匀、晶形好、分散性好、表面光滑、缺陷少的氧化镁晶须。透射电镜下估算晶须直径约为0.08μm^0.1μm,长度约为50μm^90μm。 展开更多

关键词 氧化镁 晶须 氯化钠 助溶剂法

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Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体的生长与光谱性质 被引量：1

8

作者 李静 王继扬 +3 位作者 胡晓波 程绣风 刘耀岗 孔海宽 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期393-395,共3页

采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。... 采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。在542nm处最强,对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7F_5发射。Tb:Al_3(BO_3)_4晶体的比热为0.755 0 展开更多

关键词 助溶剂法 Tb:YAl3(BO3)晶体 光谱性能

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Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合材料的热电性能 被引量：1

9

作者 金玉山 贺毅 +4 位作者 金应荣 龚鹏 苏敏 李翔 刘旭冉 《西华大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第6期32-36,共5页

采用助溶剂法合成Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9粉体,与Bi_2O_3混合压制、烧结,制备出Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合材料,通过改变Bi_2O_3的加入量,研究其对复合材料热电性能的影响。结果表明:Bi_2O_3的加入能够提高样品的致... 采用助溶剂法合成Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9粉体,与Bi_2O_3混合压制、烧结,制备出Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合材料,通过改变Bi_2O_3的加入量,研究其对复合材料热电性能的影响。结果表明:Bi_2O_3的加入能够提高样品的致密度;随着Bi_2O_3加入量的增加,样品的电阻率明显降低,Seebeck系数变化不大,功率因子显著增大;在973 K的温度下,Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9(Bi_2O_3)0.2样品具有最大功率因子,达到3.27×10-4Wm-1K-2。 展开更多

关键词 Ca3Co3.9Cu0.1O9 Bi2Ca2Co2O9 助溶剂法 复合材料

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天然祖母绿与合成祖母绿鉴定探讨

10

作者 胡玉婷 《科技资讯》 2022年第22期37-40,共4页

该文运用常规宝石学仪器、紫外-可见光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪等仪器对天然祖母绿、水热法合成祖母绿和助溶剂法合成祖母绿进行检测。对比其测试结果,宝石显微镜下天然祖母绿中有两相或三相包体、矿物晶体等自然形成的包裹体,而合... 该文运用常规宝石学仪器、紫外-可见光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪等仪器对天然祖母绿、水热法合成祖母绿和助溶剂法合成祖母绿进行检测。对比其测试结果,宝石显微镜下天然祖母绿中有两相或三相包体、矿物晶体等自然形成的包裹体,而合成祖母绿中有助溶剂残余或水波纹等人工合成所产生的包体;因微量元素的不同而导致天然祖母绿和合成祖母绿的紫外-可见吸收光谱图存在差异,可以作为其辅助鉴定依据;红外光谱图中可以根据有无水峰以及Ⅰ型水和Ⅱ型水所致吸收峰的不同对其进行鉴别。 展开更多

关键词 天然祖母绿 合成祖母绿 助溶剂法 水热法 红外光谱

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Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合热电材料的制备与性能 被引量：1

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作者 龚鹏 金应荣 +2 位作者 贺毅 鲁云 刘旭冉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第11期15-18,共4页

采用助熔剂法合成Ca3Co3.9Cu0.1O9粉体。添加Bi2O3作为助烧剂,通过直流快速热压获得块体,熔融的Bi2O3能够促进Ca3Co3.9Cu0.1O9片流动以完成致密化过程,再通过液相反应烧结制备出了Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合热电材料,对其物相组... 采用助熔剂法合成Ca3Co3.9Cu0.1O9粉体。添加Bi2O3作为助烧剂,通过直流快速热压获得块体,熔融的Bi2O3能够促进Ca3Co3.9Cu0.1O9片流动以完成致密化过程,再通过液相反应烧结制备出了Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合热电材料,对其物相组成、微观结构和热电性能进行了表征。结果表明,添加Bi2O3提高了样品的密度,降低了材料的电阻率,复合材料的功率因子在973 K时达到4.12×10–4 W·m–1·K–2。 展开更多

关键词 助溶剂法 Ca3Co3.9Cu0.1O9 Bi2Ca2Co2Oy 热压 液相反应烧结 复合热电材料

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中级无机化学模拟试题

12

作者 张卫华 《当代继续教育》 1999年第3期75-76,共2页

一、填空题 1.现代无机化学的发展具有三个特点:①从宏观到微观;②从定性描述向定量化方向发展;⑧既分化又综合,出现许多边缘学科。 2.溶剂理论认为:凡在溶剂中产生(或通过反应生成)该溶剂的特征阳离子的溶质称为酸,而产生(或通过反应生... 一、填空题 1.现代无机化学的发展具有三个特点:①从宏观到微观;②从定性描述向定量化方向发展;⑧既分化又综合,出现许多边缘学科。 2.溶剂理论认为:凡在溶剂中产生(或通过反应生成)该溶剂的特征阳离子的溶质称为酸,而产生(或通过反应生成)该溶剂的特征阴离子的溶质称为碱。 3.常见的非水溶剂可分为酸性溶剂、碱性溶剂和非质子传递溶剂三类。 4.按组成分,超酸可分为质子酸、路易斯酸和共轭质子——路易斯酸。 5.有机金属配合物按配位键合类型可分为σ配合物、π配合物、π酸配体配合物。 展开更多

关键词 化学模拟 配合物 路易斯酸 氧化态 非质子传递溶剂 酸碱质子理论 非水溶剂 阴离子 助溶剂法 化学气相输运

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Si、Si-Fe合金助熔法制备SiC研究

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作者 李亚琼 张彦辉 张立峰 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期7158-7161,7196,共5页

助熔剂法是一种高效生长SiC晶体的方法。本文采用助溶剂法对比考察了Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体生长行为特征,并结合光学显微镜以及电子显微探针对SiC晶体进行分析。研究发现,Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体均以SLS机制生长,受C在两种介... 助熔剂法是一种高效生长SiC晶体的方法。本文采用助溶剂法对比考察了Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体生长行为特征,并结合光学显微镜以及电子显微探针对SiC晶体进行分析。研究发现,Si、Si-Fe合金熔体中SiC晶体均以SLS机制生长,受C在两种介质中溶解度的影响,Si熔体中SiC析出尺寸较小,10~50μm,排列成线状分布在样品外侧;Si-Fe熔体中SiC晶体析出尺寸较大,50~200μm,分散在样品中。 展开更多

关键词 助溶剂法 SIC Si-Fe合金 SI

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K_2Al_2B_2O_7-NaF体系的热分析研究

14

作者 张承乾 程秀风 +1 位作者 王继扬 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期433-437,共5页

用热分析的方法研究了KABO-NaF体系的物相关系,提出了KABO-NaF体系的赝二元相图。KABO和NaF可以形成低共熔体系,D KABO含量约30％时低共烙温度约为79℃。KABO在体系中的摩尔百分含量为30％～40％之间为KABO结晶区。KABO-NaF体系在500℃... 用热分析的方法研究了KABO-NaF体系的物相关系,提出了KABO-NaF体系的赝二元相图。KABO和NaF可以形成低共熔体系,D KABO含量约30％时低共烙温度约为79℃。KABO在体系中的摩尔百分含量为30％～40％之间为KABO结晶区。KABO-NaF体系在500℃左右发生一个放热过程,675℃左右有一个复杂的吸热相变过程。 展开更多

关键词 K2Al2B2O7-NaF体系 热分析 差热分析 相图 晶体生长 硼酸铝钾 助溶剂法

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助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体

15

作者 王弘 尚淑霞 +3 位作者 王卓 赵焕遂 杨兆荷 沈效农 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期181-184,共4页

用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm^3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线... 用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm^3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线衍射分析表明晶体属正交晶系,晶胞参数为 a=5.39(?),b=5.37(?),c=31.01(?)。能谱分析表明晶体组份为 Bi∶Sr∶Ca∶Cu=3∶3∶1∶2∶2.5。差热分析测得晶体熔点为866℃。测验显示Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 晶体具有较钇系超导体更强的抗水解性。 展开更多

关键词 铋 超导体 晶体生长 助溶剂法

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助溶剂法生长Bi_4Ti_3O_(12)单晶的形貌和缺陷研究

16

作者 李华兵 叶万能 +1 位作者 宿杰 卢朝靖 《青岛大学学报（自然科学版）》 CAS 2015年第3期40-43,共4页

采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm。BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面。在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种... 采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm。BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面。在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施。用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析。 展开更多

关键词 BIT单晶 助溶剂法 生长形貌 缺陷 电畴结构

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液相法制备GaN单晶体研究进展

17

作者 齐成军 王再恩 贾振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期161-167,共7页

回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法... 回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法可以生产出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN晶体,重点介绍了Na助溶剂法的生长设备及最新研究成果,目前该方法已经可以生长直径超过2 cm、高度约为1.2 cm的无位错块体GaN晶体。对液相法生长GaN晶体的应用前景进行了预测,认为液相法制备的高质量GaN晶体作为大功率、高可靠性GaN电子器件理想衬底,会发挥越来越重要的作用。 展开更多

关键词 GaN单晶 液相法 高压溶液法 Na助溶剂法 氨热法

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乙醇柴油应用技术获重大突破

18

《当代化工》 CAS 2006年第2期145-145,共1页

由河南天冠集团承担的我国首个乙醇柴油关键技术研究及应用项目，经过近五年的不懈攻关，终于在乙醇柴油机械混合法和乙醇柴油助溶剂法研究方面取得突破性进展，在不改动汽车发动机的前提下，汽车可以使用乙醇柴油。该项目为乙醇柴油在... 由河南天冠集团承担的我国首个乙醇柴油关键技术研究及应用项目，经过近五年的不懈攻关，终于在乙醇柴油机械混合法和乙醇柴油助溶剂法研究方面取得突破性进展，在不改动汽车发动机的前提下，汽车可以使用乙醇柴油。该项目为乙醇柴油在国内的大规模应用推广奠定了坚实基础。 展开更多

关键词 乙醇柴油 应用 技术 汽车发动机 突破性进展 机械混合法 助溶剂法 项目

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助溶剂法大尺寸KTP晶体生长成功

19

作者 李建宏 李勇华 王鸿雁 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期530-530,共1页

工艺成熟稳定，晶体光学均匀性好，成品率高，生长条件宽松等优点，决定了目前KTP晶体多采用助溶剂法生长。但是，由晶体的生长习性决定此法生长的KTP晶体a方向尺寸小，大尺寸器件的应用难以实现。

关键词 KTP晶体 晶体生长 助溶剂法 大尺寸 光学均匀性 工艺成熟 生长条件 生长习性

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乙醇柴油关键技术取得突破性进展

20

《化学工业与工程技术》 CAS 2005年第4期56-56,共1页

河南省天冠集团承担的“乙醇柴油关键技术研究及应用”项目经3年多攻关，近日在“乙醇柴油机械混合法”和“乙醇柴油助溶剂法”方面取得突破性进展，为大规模应用奠定了坚实的基础。

关键词 突破性进展 乙醇柴油 技术 机械混合法 助溶剂法 河南省 应用

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