期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
一种用于流水线ADC的高速电压比较器
被引量：
11
1
作者
殷湛
郭立
杨吉庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第2期182-184,共3页
文章介绍了一种高速电压差分比较器电路,该电路采用了两级运放结构,由前置预放大级和带复位端的闩锁输出级组成。该电路采用0.18μm工艺实现,对其进行了电路原理分析和HSPICE仿真,得到的仿真结果和波形说明该比较器具有速度快、精度高...
文章介绍了一种高速电压差分比较器电路,该电路采用了两级运放结构,由前置预放大级和带复位端的闩锁输出级组成。该电路采用0.18μm工艺实现,对其进行了电路原理分析和HSPICE仿真,得到的仿真结果和波形说明该比较器具有速度快、精度高、功耗低的特点,适用于流水线结构的高速模数转换器。
展开更多
关键词
流水线模数转换器
差分比较器
动态
闩
锁
下载PDF
职称材料
一种数模转换器的动态闩锁试验方法
2
作者
姜汝栋
邵振宇
《电子与封装》
2019年第2期35-37,41,共4页
CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验。该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力。
关键词
互补金属氧化物半导体
集成电路
动态
闩
锁
下载PDF
职称材料
IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法研究
3
作者
范迦羽
李恬晨
+2 位作者
和峰
李学宝
崔翔
《华北电力大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024年第6期58-66,共9页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件内部通过并联大量芯片保证其关断能力,当并联芯片的参数分散性较大时,器件的关断能力会不可避免的退化。因而,研究IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法非常重要。为此,...
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件内部通过并联大量芯片保证其关断能力,当并联芯片的参数分散性较大时,器件的关断能力会不可避免的退化。因而,研究IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法非常重要。为此,本文首先分析了并联两IGBT芯片关断失效的特征及关键的影响因素,并首次给出了并联IGBT芯片动态闩锁失效的电压电流波形。波形表明,关断重分配的电流不均令并联芯片在关断时承受不同应力,从而导致IGBT器件的关断能力退化。此外,上述过程受芯片阈值电压,转移特性曲线等诸多参数影响,因此需要通过多参数筛选以提升器件的关断能力。所以,本文总结了300组芯片并联关断的实验结果,研究了并联芯片参数差异与关断均流的关系,并提出并联芯片的关断均流的参数筛选方法,从而提升器件的关断能力。实验结果表明,通过筛选栅极阈值电压、转移特性曲线以及等效跨导可以有效保证芯片在1.8倍额定电流下的关断电流差峰值小于10%,验证了所提方法的有效性。
展开更多
关键词
并联IGBT芯片
关断失效特征
动态
闩
锁
失效
关断电流重分配
参数筛选方法
下载PDF
职称材料
题名
一种用于流水线ADC的高速电压比较器
被引量：
11
1
作者
殷湛
郭立
杨吉庆
机构
中国科学技术大学电子科学与技术系
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第2期182-184,共3页
文摘
文章介绍了一种高速电压差分比较器电路,该电路采用了两级运放结构,由前置预放大级和带复位端的闩锁输出级组成。该电路采用0.18μm工艺实现,对其进行了电路原理分析和HSPICE仿真,得到的仿真结果和波形说明该比较器具有速度快、精度高、功耗低的特点,适用于流水线结构的高速模数转换器。
关键词
流水线模数转换器
差分比较器
动态
闩
锁
Keywords
Pipeline ADC, Differential comparator, Dynamic latch
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种数模转换器的动态闩锁试验方法
2
作者
姜汝栋
邵振宇
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2019年第2期35-37,41,共4页
文摘
CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验。该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力。
关键词
互补金属氧化物半导体
集成电路
动态
闩
锁
Keywords
CMOS
integrated circuits
dynamic latch-up
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法研究
3
作者
范迦羽
李恬晨
和峰
李学宝
崔翔
机构
新能源电力系统全国重点实验室(华北电力大学)
先进输电技术国家重点实验室(北京智慧能源研究院)
出处
《华北电力大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024年第6期58-66,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(52225701).
文摘
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件内部通过并联大量芯片保证其关断能力,当并联芯片的参数分散性较大时,器件的关断能力会不可避免的退化。因而,研究IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法非常重要。为此,本文首先分析了并联两IGBT芯片关断失效的特征及关键的影响因素,并首次给出了并联IGBT芯片动态闩锁失效的电压电流波形。波形表明,关断重分配的电流不均令并联芯片在关断时承受不同应力,从而导致IGBT器件的关断能力退化。此外,上述过程受芯片阈值电压,转移特性曲线等诸多参数影响,因此需要通过多参数筛选以提升器件的关断能力。所以,本文总结了300组芯片并联关断的实验结果,研究了并联芯片参数差异与关断均流的关系,并提出并联芯片的关断均流的参数筛选方法,从而提升器件的关断能力。实验结果表明,通过筛选栅极阈值电压、转移特性曲线以及等效跨导可以有效保证芯片在1.8倍额定电流下的关断电流差峰值小于10%,验证了所提方法的有效性。
关键词
并联IGBT芯片
关断失效特征
动态
闩
锁
失效
关断电流重分配
参数筛选方法
Keywords
parallel IGBT chips
turn-off failure features
dynamic latch-up failure
current redistribution
parameter selection method
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种用于流水线ADC的高速电压比较器
殷湛
郭立
杨吉庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006
11
下载PDF
职称材料
2
一种数模转换器的动态闩锁试验方法
姜汝栋
邵振宇
《电子与封装》
2019
0
下载PDF
职称材料
3
IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法研究
范迦羽
李恬晨
和峰
李学宝
崔翔
《华北电力大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
