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动态死区抑制MOSFET反向恢复电流的研究 被引量:3
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作者 李思奇 郭犇 蒋晓华 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2010年第7期91-93,共3页
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优... 功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优化死区来减小反向恢复电流的方法。给出了死区与反向恢复电流关系的初步仿真结果,并基于两种不同反向恢复特性的MOSFET器件进行了实验研究。仿真和实验结果表明,使用动态死区可有效抑制MOSFET器件的反向恢复电流,并减小由反向恢复引起的开关损耗以及关断电压的尖峰和振荡。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体器件 反向恢复电流 动态死区控制
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基于数字控制的磁共振成像用梯度放大器 被引量:3
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作者 李思奇 蒋晓华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第27期83-89,共7页
研制了基于双H桥并联拓扑结构的高性能梯度放大器。提出使用动态死区方法来减小金属氧化物半导体场效应管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)的反向恢复电流,设计并优化了输出滤波器,使其具备良好的共模及... 研制了基于双H桥并联拓扑结构的高性能梯度放大器。提出使用动态死区方法来减小金属氧化物半导体场效应管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)的反向恢复电流,设计并优化了输出滤波器,使其具备良好的共模及差模滤波效果,在达到较好阻尼性能的同时,具有较小的损耗。进一步在梯度放大器模型共模与差模解耦的基础上,设计了结合状态反馈、前馈以及非线性比例积分的高性能电流跟踪控制器,并在稳态使用比例积分控制以减小算法对采样系统的精度要求。针对控制算法的要求设计了基于双DSP处理器的数字控制系统,完成了一台200A/150V梯度放大器的研制工作。实验结果表明,跟踪200μs上升时间、幅值200A梯形波参考电流时,超调仅为1%;输出直流时,低频电流波动为mA量级。 展开更多
关键词 梯度放大器 LC滤波器 动态死区控制 共模与差模解耦 状态反馈
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死区时间控制在等离子体电源中的应用 被引量:3
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作者 蒋晓梅 芮延年 +1 位作者 陈国强 刘开强 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2780-2785,共6页
死区时间选择的不合理会使逆变器件产生过高的浪涌电压和电流甚至损坏。针对这一问题提出了动态的零电压延迟控制技术,它监测输入供电电压和负载电流,当逆变器功率管达到期望的零电压开关(zero voltage switching,ZVS)条件时,控制功率... 死区时间选择的不合理会使逆变器件产生过高的浪涌电压和电流甚至损坏。针对这一问题提出了动态的零电压延迟控制技术,它监测输入供电电压和负载电流,当逆变器功率管达到期望的零电压开关(zero voltage switching,ZVS)条件时,控制功率开关管,使变换器几乎在整个工作条件下都能实现ZVS,而不需考虑输入电压、输出负载和元器件的容差,实现最佳的导通延迟时间。应用该技术的等离子体高频高压电源在纺织材料中的实际应用结果表明:该技术在进一步提高了电源效率的同时,减小了因不合理的死区时间带来的过高的浪涌电压和电流,改善了纺织材料表面改性涂层的性能。 展开更多
关键词 移相控制 动态死区时间控制 ZVS 浪涌电压和电流 高频高压电源 介质阻挡放电
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