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题名T型半导体量子线的动态屏蔽效应
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作者
刘月
王廷栋
白凌志
程诚
张伟
怀平
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机构
中国科学院上海应用物理研究所
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出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期467-471,共5页
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基金
国家973项目(2010CB934504)
国家自然科学基金(10874197
+1 种基金
10905040)
中国科学院百人计划资助项目
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文摘
采用动态屏蔽库仑势计算了T型半导体量子线的载流子自能,讨论了电子、空穴的自能及其对量子线截面尺度的依赖关系。计算结果表明,准一维体系具有很强的量子限域效应,显著增强了载流子间的有效库仑作用。受电子间强烈散射的影响,动态屏蔽导致了电子能带重整化及寿命的很大变化。与准静态近似计算结果相比,动态屏蔽效应对空穴的影响较小。
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关键词
半导体量子线
量子限域
库仑作用
动态屏蔽效应
能带重整化
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Keywords
Semiconductor quantum wire, Quantum confinement, Coulomb interaction, Dynamical screening effect, Band renormalization
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分类号
O471
[理学—半导体物理]
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