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题名栅增强功率ACCUFET的模拟研究
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作者
尹儒
王颖
胡海帆
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机构
哈尔滨工程大学
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期4-7,共4页
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基金
国家自然科学基金(60906048)
黑龙江省自然科学基金(QC2009C66)
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文摘
为了进一步降低器件的导通电阻,提出了一种新型的ACCUFET结构——栅增强功率ACCUFET(GE-ACCUFET)。这种器件同时具有普通ACCUFET和GE-UMOS的优点,而且导通电阻比这两种器件都要低。设计了一个击穿电压约106 V,导通电阻为2.18×10-4Ω.cm2的栅增强型功率ACCUFET器件(GE-ACCUFET)。将这种新型器件与GE-UMOS、普通ACCUFET进行对比,并进一步研究器件的结构参数对器件性能的影响。通过ATLAS仿真软件的建模仿真得到的数据显示,新型器件的导通电阻与GE-UMOS、普通ACCUFET相比,均有大幅度的降低。仿真还得到了器件导通电阻和击穿电压与结构参数H,D,α的函数关系,这对器件的生产制造有一定的指导作用。
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关键词
击穿电压
栅增强
功率accufet
结构参数
特征导通电阻
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Keywords
breakdown voltage （BV）
gate-enhanced
power accufet
structure parameter
specific on-resistance
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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