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IPM驱动和保护电路的研究 被引量：33
1
作者 李广海 叶勇 蒋静坪 《电子技术应用》 北大核心 2003年第12期43-45,49,共4页
介绍了IPM的基本工作特性和常用IPM驱动和保护电路的设计方法,并给出了一个驱动和保护电路的设计实例。
关键词 IPM 工作特性 保护电路 IGBT 绝缘栅双极性晶体管 智能功率模块 功率集成电路 功率开关器件
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电力电子器件发展概况及应用现状 被引量：13
2
作者 蒋超 陈海民 《世界电子元器件》 2004年第4期74-76,共3页
本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程,介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点,探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
关键词 电力电子器件 晶闸管 功率集成电路 电力整流管
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功率集成电路中过热保护电路的设计 被引量：9
3
作者 徐卿 许维胜 吴启迪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第2期47-49,共3页
过热保护电路对于功率集成电路而言无疑是十分重要的。在集成电路中的过热保护电路一般利用二极管、三极管的温度特性来做传感器。阐明这种电路的优缺点、工作原理,并对其进行分析。该保护电路主要应用于功率集成电路中,也可以应用于一... 过热保护电路对于功率集成电路而言无疑是十分重要的。在集成电路中的过热保护电路一般利用二极管、三极管的温度特性来做传感器。阐明这种电路的优缺点、工作原理,并对其进行分析。该保护电路主要应用于功率集成电路中,也可以应用于一般的数字或模拟芯片中。 展开更多
关键词 功率集成电路 过热保护电路 电路设计 工作原理
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一种带热滞回功能的过热保护电路 被引量：10
4
作者 朱国军 唐新伟 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期84-86,共3页
由于功率集成电路功率耗散比较大,发热量也大,因此,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的。文章介绍了一种用于集成电路内部的带热滞回功能的过热保护电路。电路不使用齐纳二极管和迟滞比较器,通过简单的反馈,防止了热振荡现象的... 由于功率集成电路功率耗散比较大,发热量也大,因此,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的。文章介绍了一种用于集成电路内部的带热滞回功能的过热保护电路。电路不使用齐纳二极管和迟滞比较器,通过简单的反馈,防止了热振荡现象的发生。 展开更多
关键词 功率集成电路 过热保护 热滞回
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一种CMOS欠压保护电路的设计 被引量：10
5
作者 赵春波 许伟 吴玉广 《电子质量》 2004年第10期59-60,共2页
本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路,首先分析了电路的工作原理,而后给出了各MOS管的参数计算,并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单,工艺实现容易,可用于高压和功率集成电路中的电源保护。西安 710071)
关键词 欠压保护 CMOS 功率集成电路 电源保护 MOS管 PSPICE仿真 电路结构 参数计算 高压
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一种BiCMOS欠压保护电路的设计 被引量：9
6
作者 王锐 唐婷婷 《电子科技》 2006年第10期76-78,共3页
基于0.6μmBiCMOS工艺,设计实现了一种欠压保护电路。该电路结构简单,避免使用电压基准和比较器等辅助模块,工艺实现容易,可用于功率集成电路或单片集成电源。仿真结果表明,该电路能在欠压时输出逻辑信号,且有迟滞功能。
关键词 欠压保护 功率集成电路 BICMOS
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场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化 被引量：8
7
作者 何进 张兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期164-169,共6页
采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电... 采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 。 展开更多
关键词 场限环 击穿电压 边界峰值电场 环间距 功率集成电路
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功率半导体器件技术的研究与进展 被引量：2
8
作者 张波 李肇基 方健 《中国集成电路》 2003年第50期8-12,共5页
功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。功率半导体器件技术是电力电子技术的基础与核心。它是微电子技术与电力电子技术的结合。功率二极管功率二极管是功率半导体器件的重要分支。
关键词 功率半导体器件 功率二极管 功率开关 功率集成电路 集成功率模块
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电力电子技术的回顾与前瞻 被引量：4
9
作者 陈治明 钟彦儒 《电源技术应用》 1999年第2期1-3,共3页
电力电子技术包含着两部分的内容,即电力电子器件的制造技术与电力电子器件的应用技术,二者相辅相成,促进了整个电力电子技术的发展。时值今日,电力电子器件的应用技术已对电力电子器件提出了更高的要求,这使得电力电子器件的材料正面... 电力电子技术包含着两部分的内容,即电力电子器件的制造技术与电力电子器件的应用技术,二者相辅相成,促进了整个电力电子技术的发展。时值今日,电力电子器件的应用技术已对电力电子器件提出了更高的要求,这使得电力电子器件的材料正面临着一场革命。这一新陈代谢的完成必将使电力电子技术登上一个更高的发展阶段。关于这一问题,本文作了较详细的论述,具有指导意义。 展开更多
关键词 电力电子技术 硅电力电子器件 晶闸管 碳化硅 电力电子装置 制造技术 功率集成电路 砷化镓 回顾 控制技术
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新型电力电子器件与功率集成电路最新进展 被引量：6
10
作者 高勇 陈治明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期12-15,共4页
综述了新型电力电子器件与功率集成电路的最新进展，指出ＳｉＣ和金刚石是优于Ｓｉ和ＧａＡｓ的制造电力电子器件的理想材料。
关键词 电力电子器件 功率MOSFET 功率集成电路
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电流模式开关电源中电流检测电路的分析与设计 被引量：1
11
作者 俞德军 赵卉 张波 《中国集成电路》 2005年第11期42-45,共4页
电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块。通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流。前者将会增加一个额外的功率损耗,... 电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块。通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流。前者将会增加一个额外的功率损耗,而后者由于温度等的变化会导致电流检测精度的降低。本文设计了一种新型无额外功率损耗的高精度电流检测电路,克服了传统电流检测技术中增加额外功率损耗和精度较低的缺点。 展开更多
关键词 电流检测电路 分析与设计 开关电源 电流模式 功率集成电路 功率损耗 采样电阻 检测精度 功能模块
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一种电机驱动芯片的欠压保护电路设计 被引量：6
12
作者 湛衍 姚远 +1 位作者 黄武康 徐建华 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第5期709-711,共3页
基于先进的0.35μm BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电压比较器电路。特别地,电路考虑了器件的温度特性,减少温度变... 基于先进的0.35μm BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电压比较器电路。特别地,电路考虑了器件的温度特性,减少温度变化对电路的翻转阈值和迟滞量的影响。通过使用Cadence Spectre工具进行电路仿真,结果表明电路工作正常,当电源电压降低到2.7 V时,输出低电平,当电压重新上升到2.83 V时,输出恢复到高电平,迟滞量为0.13 V,具有迟滞功能。 展开更多
关键词 步进电机 欠压保护 功率集成电路 BCD
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基于PSM调制方式的双环控制电路的设计 被引量：3
13
作者 曾家玲 王顺平 +2 位作者 甄少伟 罗萍 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期229-232,共4页
跨周期调制(PSM)是一种不同于PWM和PFM的功率变换调制模式。文章从提高变换器效率和避免进入音频范围的角度出发,提出了一种基于PSM调制方式的双环控制电路,给出了电路的工作原理,占空比的设计方法和验证电路与实验结果。该设计是对PSM... 跨周期调制(PSM)是一种不同于PWM和PFM的功率变换调制模式。文章从提高变换器效率和避免进入音频范围的角度出发,提出了一种基于PSM调制方式的双环控制电路,给出了电路的工作原理,占空比的设计方法和验证电路与实验结果。该设计是对PSM调制模式的一种优化,使PSM成为功率集成电路的实用性调制模式。 展开更多
关键词 跨周期调制 功率集成电路 双环控制 状态机
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半桥式功率输出级中高速低功耗低侧管的实现 被引量：4
14
作者 杨洪强 陈星弼 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期814-815,共2页
本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构 ,并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中 .这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断... 本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构 ,并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中 .这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断速度快的优点 ,有效地解决了功率管导通电阻和关断速度之间的矛盾 .在不改变工艺 ,不降低耐压 ,不增加电路元件的前提下 。 展开更多
关键词 功率集成电路 动态控制阳极短路 高低侧驱动 半桥式功率输出 低侧管 晶体管
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2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述 被引量：4
15
作者 吴郁 《电力电子》 2009年第2期6-16,共11页
综述和评论了在第20届IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议会议上发表的一些主要成果和进展,其中对一些重点成果还补充了往年的研发情况和发展经历,希望能帮助读者大致上了解当前功率器件和功率集成电路研发的典型状况和最新信息。
关键词 功率半导体器件 功率集成电路 国际会议 IEEE 发展经历 功率器件
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绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术
16
作者 张龙 刘斯扬 +5 位作者 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期514-526,共13页
利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集... 利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集成的工艺流程和器件类型;接着,总结了高压横向IGBT器件技术、续流二极管器件技术、LDMOS器件技术的特征和效果;此外,还讨论了单片智能功率芯片的相关可靠性问题,包括高压互连线效应和低温雪崩不稳定.本课题组在功率半导体集成型器件的电流能力、关断速度、短路承受能力、反向恢复峰值电流、安全工作区、高压互连线屏蔽、低温可靠性等关键特性优化或可靠性提升方面进行了自主创新,构建了基于绝缘体上硅的功率半导体单芯片集成技术,并成功研制了单片智能功率芯片. 展开更多
关键词 功率半导体 绝缘体上硅 单片集成 功率集成电路 功率器件
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功率混合集成电路键合强度控制研究 被引量：4
17
作者 徐学良 肖玲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期279-282,共4页
通过引入铜过渡键合垫片,取消了金铝键合系统,改用铝铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到... 通过引入铜过渡键合垫片,取消了金铝键合系统,改用铝铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。 展开更多
关键词 混合集成电路 功率集成电路 键合强度 铜过渡垫片 电镀 工序能力
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一种基于交错自举控制技术的全集成SCPC浮动电压驱动电路
18
作者 郑心易 罗萍 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期209-214,共6页
设计了一种适用于全集成开关电容功率转换器(SCPC)的浮动电压驱动电路。该电路采用交错自举控制技术,周期性地利用多相交错SCPC中的特定单元为其他单元提供自举驱动。该电路实现了全部功率开关的浮动电压驱动,并且适用于所有SCPC拓扑。... 设计了一种适用于全集成开关电容功率转换器(SCPC)的浮动电压驱动电路。该电路采用交错自举控制技术,周期性地利用多相交错SCPC中的特定单元为其他单元提供自举驱动。该电路实现了全部功率开关的浮动电压驱动,并且适用于所有SCPC拓扑。相比于传统浮动电压驱动方案,该驱动电路的硬件开销与SCPC中的器件数目无关。提出的浮动电压驱动电路应用于一个8相可重构SCPC中,仿真结果证明了其功能的正确性。 展开更多
关键词 开关电容功率转换器 浮动电压驱动 功率集成电路
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国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD)介绍 被引量：2
19
作者 亢宝位 《电力电子》 2004年第4期3-3,20,共2页
众所周知,电力电子器件是电力电子装置和系统的基础。一代新器件造就一代新系统。IGBT登上历史舞台并日趋成熟,迅速地替代了GTR(电力晶体管),不仅使电力电子装置的性质、体积、重量都得到极大的改善,而且因清除了二次击穿等问题,使得通... 众所周知,电力电子器件是电力电子装置和系统的基础。一代新器件造就一代新系统。IGBT登上历史舞台并日趋成熟,迅速地替代了GTR(电力晶体管),不仅使电力电子装置的性质、体积、重量都得到极大的改善,而且因清除了二次击穿等问题,使得通信电源、交流电机变频调速等装置的可靠性大幅度提高。上世纪80年代以来,在将传统的功率器件技术和集成电路技术相结合,双极技术和MOS技术相结合的基础上,国外相继研发了多种新型功率器件,有的已商品化。诸如功率MOSFET,IGBT,CoolMOSFET及IGCT等,国内已广泛应用或正在批量试用。然而,国内应用这些新型功率器件的装置和系统,其性能的优化程度,特别是可靠性,或器件的损坏率均比国外先进工业国有很大差距。较深入地理解各种器件的运行机理和主要电参数的物理意义,对提高应用新型功率器件的设计水平和减少器件损坏率是非常重要的。另一方面,为使电力电子装置更加紧凑小型化,特别是减少引线长度,削弱寄生参数的影响,当前"SOC"和"AIO"是一个重要的发展趋势。"SOC"是把系统安在一个芯片上的产品;"AIO"是将所有元器件都安在一个模块里的产品。这都是功率集成的发展与深化的具体所在。但是,由于种种原因,我国在新型电力半导体器件和功率集成产品方面停滞了,大大落后于当今的国际水平。为此,我们将邀请相关专家或其指导的研究生就国际上该领域的最新进展,撰写某些专题的综述报告,陆续在本刊发表,以供本刊读者、国内的学者和业者了解并掌握这些信息时参考。有基于此,本刊编辑部根据2003年第15届国际半导体功率器件和功率集成电路会议(ISPSD’03)文集的论题,有选择地拟定了以下专题:①功率MOSFET;②超结MOSFET(CookMOSFET);③IGBT;④碳化硅功率器件;⑤功率集成电路。值得指出的是,上述超结MOSFET的研究� 展开更多
关键词 功率半导体器件 功率集成电路 可靠性 “国际功率半导体器件与功率集成电路会议”
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GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战
20
作者 张彤 刘树强 +3 位作者 何亮 成绍恒 李柳暗 敖金平 《电子与封装》 2023年第1期1-10,共10页
氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。... 氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。互补型逻辑电路是实现集成的关键元电路之一,但其研究起步较晚。介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电路的研究进展。从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题,可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考。 展开更多
关键词 GAN 功率集成电路 增强型器件 互补金属-氧化物-半导体 逻辑电路 稳定性
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