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含有缺口的Co纳米环的微磁学模拟 被引量:5
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作者 苗秀娟 王学凤 蓝志环 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期24-26,77,共4页
以Nipun Agarwal等人的实验结果为依据,用微磁学理论对外径为300nm、内径50nm、厚度不同、含有不同角度缺口的Co纳米环在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。从剩磁态、剩磁比和矫顽力三个方面对模... 以Nipun Agarwal等人的实验结果为依据,用微磁学理论对外径为300nm、内径50nm、厚度不同、含有不同角度缺口的Co纳米环在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。从剩磁态、剩磁比和矫顽力三个方面对模拟的结果进行分析比较。当磁场的方向垂直于缺口方向时,Co纳米环具有稳定的剩磁态,这与已有的研究结果一致。剩磁比随缺口角度的增大而增高,随厚度的增大无明显变化;矫顽力与磁体厚度和缺口角度的关系较为复杂。 展开更多
关键词 Co纳米环 微磁学 剩磁 剩磁 矫顽力
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具有扇形缺口的Co纳米盘的微磁学模拟 被引量:1
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作者 苗秀娟 李丹丹 陈玉芳 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》 2010年第5期495-498,共4页
以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性... 以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性能的影响.比较模拟结果发现:当磁场垂直于盘的缺口方向时,获得的剩磁态均为磁通闭合磁畴结构,且此时剩磁和矫顽力都随缺口角度的增加呈增加趋势. 展开更多
关键词 微磁学 缺口 纳米盘 剩磁 剩磁 矫顽力 磁存储
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具有60°缺口的Co纳米环阵列的微磁学研究
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作者 苗秀娟 王学凤 张建芳 《磁性材料及器件》 CAS 北大核心 2013年第1期13-15,19,共4页
用微磁学理论对外径为300nm、内径为50nm、厚度为30nm、含有60o扇形缺口的Co纳米环2×2阵列在不同方向(垂直和平行于环的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。当磁场垂直缺口方向时,Co纳米环阵列的磁滞回线形状都呈现出哑铃... 用微磁学理论对外径为300nm、内径为50nm、厚度为30nm、含有60o扇形缺口的Co纳米环2×2阵列在不同方向(垂直和平行于环的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。当磁场垂直缺口方向时,Co纳米环阵列的磁滞回线形状都呈现出哑铃-旁瓣结构;剩磁态为磁通封闭结构(d=300nm除外)。当单元之间的距离为环外径的二倍时,它们之间的静磁耦合作用对阵列的磁滞回线形状和剩磁态的影响就可以忽略。 展开更多
关键词 微磁学模拟 Co纳米环阵列 缺口 剩磁 磁滞回线
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