从废刻蚀液中回收铜 被引量：7

1

作者 何书燊 高立轩 《广西化工》 1999年第2期56-58,共3页

废刻蚀液是络合的铜氨离子液体，通过加入硫酸的简单处理变为硫酸铜溶液，然后浓缩结晶。

关键词 刻蚀液 碱式碳酸铜 硫酸铜 废水处理 印刷电路

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显示面板用新型电子级混合酸蚀刻液的研发及产业化应用

2

作者 赵宝勤 王雪艳 +3 位作者 乔佳慧 刘芳 赵祥娟 孙永波 《山东化工》 CAS 2024年第4期43-44,47,共3页

目前,随着平板显示向高世代发展,对产品的优良率、稳定性、分辨率、反应时间等要求越来越高,相应对高世代线用湿电子化学品(尤其是电子级混合酸蚀刻液)的性能要求也越来越高。针对这一现状,我科研团队经过刻苦攻关,研发了新一代新型电... 目前,随着平板显示向高世代发展,对产品的优良率、稳定性、分辨率、反应时间等要求越来越高,相应对高世代线用湿电子化学品(尤其是电子级混合酸蚀刻液)的性能要求也越来越高。针对这一现状,我科研团队经过刻苦攻关,研发了新一代新型电子级混合酸蚀刻液。经大量应用实验表明,本产品对显示面板的优良率、稳定性及分辨率等诸多方面都有显著提高。 展开更多

关键词 显示面板 混合酸 刻蚀液 优良率 分辨率

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湿电子化学品之刻蚀液领域技术发展现状 被引量：2

3

作者 秦圆圆 《化工管理》 2022年第16期95-98,共4页

刻蚀液是功能性湿电子化学品中的一种,在集成电路、显示面板、太阳能电池等制程中均涉及,文章从刻蚀液专利申请量、申请人分布等方面分析了刻蚀液全球专利申请情况,并且基于刻蚀液的研发角度,从显示面板、集成电路、太阳能电池三个方面... 刻蚀液是功能性湿电子化学品中的一种,在集成电路、显示面板、太阳能电池等制程中均涉及,文章从刻蚀液专利申请量、申请人分布等方面分析了刻蚀液全球专利申请情况,并且基于刻蚀液的研发角度,从显示面板、集成电路、太阳能电池三个方面分析了刻蚀液的技术发展脉络。 展开更多

关键词 刻蚀液 湿电子化学品 集成电路 显示面板 太阳能电池

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电化学刻蚀多孔GaN材料的研究

4

作者 张桐鹤 李林 +6 位作者 苑汇帛 曾丽娜 张晶 李再金 曲轶 马晓辉 刘国军 《现代物理》 2018年第6期290-296,共7页

通过电化学刻蚀法以KOH作为刻蚀液制备多孔GaN材料。本文主要研究刻蚀电压和刻蚀液浓度两方面对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10 V^25 V,并以能带模型进行理论分析。刻蚀液浓度变化范围为20%~50%,并着重通过动力学模型... 通过电化学刻蚀法以KOH作为刻蚀液制备多孔GaN材料。本文主要研究刻蚀电压和刻蚀液浓度两方面对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10 V^25 V,并以能带模型进行理论分析。刻蚀液浓度变化范围为20%~50%,并着重通过动力学模型进行理论分析。理论分析和实验结果均表明:在电化学刻蚀制备多孔GaN材料时,通过改变刻蚀电压和刻蚀液浓度可以实现对孔尺寸、孔洞率、孔密度等孔形貌的控制。 展开更多

关键词 GAN 电化学刻蚀 形貌 刻蚀液 刻蚀电压

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刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究 被引量：1

5

作者 冀新友 张家祥 +5 位作者 王亮 张洁 卢凯 黄东升 陈思 王威 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期138-143,共6页

生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有... 生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1μm以内。控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生。采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用。 展开更多

关键词 常温污渍 钼缩进 刻蚀液

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H_2O_2-H_2SO_4粗化蚀刻液中H_2O_2浓度的快速测定

6

作者 董超 董根岭 周完贞 《电镀与精饰》 CAS 1995年第3期32-33,38,共3页

根据H_2O_2—H_2SO-4粗化蚀刻液中的H_2O_2与过量Fe^(2+)离子的定量氧化还原反应,用伏安法测定剩余Fe^(2+)离子在铂电极上的阳极氧化峰电流,求算H_2O_2的浓度。方法简单,快速,适用于印制电路板生产现场监控。

关键词 过氧化氢 伏安法 刻蚀液 浓度 印制电路板

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微细加工技术与设备

7

《中国光学》 EI CAS 2003年第6期68-69,共2页

TN305.7 2003064448MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究=Research onTMAH wet etching in MEMS[刊,中]/罗元(重庆大学光电工程学院.重庆(400044)),李向东…∥半导体光电.-2003,24(2).-127-130研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表... TN305.7 2003064448MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究=Research onTMAH wet etching in MEMS[刊,中]/罗元(重庆大学光电工程学院.重庆(400044)),李向东…∥半导体光电.-2003,24(2).-127-130研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺。实验结果表明,要获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀条件的选择是非常重要的因素。 展开更多

关键词 湿法刻蚀 重庆大学 并行激光直写系统 刻蚀液 工艺 技术与设备 半导体 光电子 微细加工 实验结果

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铋基焦绿石薄膜的湿法刻蚀方法研究

8

作者 高莉彬 李汝冠 +1 位作者 蒋书文 李言荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期499-502,共4页

介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V(HF)∶m(NH4F)∶V(HNO3)∶V(H... 介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V(HF)∶m(NH4F)∶V(HNO3)∶V(H2O)为10mL∶3g∶10mL∶10mL时,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蚀,刻蚀速率分别为7nm/s和4nm/s,图形刻蚀精度高。最后讨论了该刻蚀液对铋基焦绿石薄膜的刻蚀机理,加入NH4F作为络合剂能避免刻蚀过程中三氟化铋BiF3难溶沉淀物的生成,加入HNO3作为助溶剂可以调节刻蚀速率,从而提高湿法刻蚀的图形精度。 展开更多

关键词 铋基焦绿石薄膜 湿法刻蚀 图形化 微波可调介质薄膜材料 刻蚀液

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含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术

9

作者 靳福江 王在清 +2 位作者 范峻 刘阳升 曾望明 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期220-223,共4页

介绍了一种含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术。采用层数顺序方法,两步剥离工艺。第一步,采用剥离液,进行260s,迅速剥离柱状隔垫物层;第二步,刻蚀液进行650s和剥离液进行650s共同作用,先后剥离玻璃基板上透明导电氧化铟锡层、颜色层,挡... 介绍了一种含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术。采用层数顺序方法,两步剥离工艺。第一步,采用剥离液,进行260s,迅速剥离柱状隔垫物层;第二步,刻蚀液进行650s和剥离液进行650s共同作用,先后剥离玻璃基板上透明导电氧化铟锡层、颜色层,挡光层。使之剥离后成为可以再次利用的干净白玻璃。 展开更多

关键词 剥离技术 柱状隔垫物层 金属氧化铟锡 刻蚀液 剥离液

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一种ITO刻蚀废液资源化综合回收工艺研究

10

作者 李向峰 高豹 +1 位作者 李星星 黄安宁 《江西化工》 2020年第3期90-92,共3页

随着光电行业的快速发展,刻蚀废液的回收利用对我国稀土资源的可持续发展和生态环境的保护有着极其重要的作用。本文通过化学沉淀法和精馏法实现对铟锡的回收和盐酸、醋酸的再利用。同时研究了不同盐对对HCl-H2O体系的盐效应的影响,结... 随着光电行业的快速发展,刻蚀废液的回收利用对我国稀土资源的可持续发展和生态环境的保护有着极其重要的作用。本文通过化学沉淀法和精馏法实现对铟锡的回收和盐酸、醋酸的再利用。同时研究了不同盐对对HCl-H2O体系的盐效应的影响,结果表明氯化镁作为破沸剂盐效应最好。 展开更多

关键词 刻蚀液 盐效应 回收

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三氯化铁刻蚀液的回收

11

作者 陆启建 《新技术新工艺》 北大核心 1989年第2期39-40,共2页

本文介绍从含有Fe离子、Cl离子(也包含Co、Ni、Cu、Mn、Cr、Zn、Pb、Sn等重金属离子)的水溶液中,回收FeCl_3刻蚀剂的新方法。

关键词 三氯化铁 刻蚀液 回收 FECL3

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玻璃减薄蚀刻液中氟硅酸的选择性脱除方法 被引量：8

12

作者 李凯华 晏乃强 +3 位作者 徐亚玲 黄源 瞿赞 刘志彪 《环境工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期1079-1085,共7页

光电玻璃减薄蚀刻液中氟硅酸(H2SiF6)的累积,是导致蚀刻液无法连续使用而转化为废液的主要原因。尝试对蚀刻废液中氟硅酸进行选择性脱除工艺,探索刻蚀液循环利用的有效处理方法。鉴于氟硅酸的碱金属盐具有溶解度较低的特点,研究考察了... 光电玻璃减薄蚀刻液中氟硅酸(H2SiF6)的累积,是导致蚀刻液无法连续使用而转化为废液的主要原因。尝试对蚀刻废液中氟硅酸进行选择性脱除工艺,探索刻蚀液循环利用的有效处理方法。鉴于氟硅酸的碱金属盐具有溶解度较低的特点,研究考察了利用钠盐或钾盐为沉淀剂,将废液中的H2SiF6以氟硅酸盐的形式沉淀去除,为实现蚀刻液的循环利用提供可能。结果表明,KCl相比NaCl对H2SiF6处理效果更好,但生成的K2SiF6的结晶颗粒过细,难以自然沉降,过滤效果较差;而Na2SiF6结晶沉降特性较好,且使用NaCl为沉淀剂具有价廉易得等特点,可作为氟硅酸的理想沉淀剂。H2SiF6去除率与碱金属盐H2SiF6摩尔计量比正相关,当摩尔计量比NaCl/H2SiF6=2,H2SiF6含量10%的模拟废液,其H2SiF6去除率可达到90%以上。 展开更多

关键词 玻璃减薄刻蚀液 H2SiF6 选择性脱除 沉淀剂

原文传递

缓冲氧化物刻蚀液在沟槽结构湿法刻蚀工艺中的应用

13

作者 张学良 贺辉龙 +1 位作者 石加明 李军 《化工生产与技术》 CAS 2024年第6期9-12,33,共5页

针对氧化物刻蚀液(BOE)在沟槽结构湿法刻蚀工艺中的应用,考察单片清洗工艺、槽式清洗工艺和烧杯实验3种湿法刻蚀工艺的影响因素,如卡盘转速、化学品流量、预冲洗和表面活性剂使用。结果表明,烧杯实验中,表面活性剂的添加使刻蚀速率明显... 针对氧化物刻蚀液(BOE)在沟槽结构湿法刻蚀工艺中的应用,考察单片清洗工艺、槽式清洗工艺和烧杯实验3种湿法刻蚀工艺的影响因素,如卡盘转速、化学品流量、预冲洗和表面活性剂使用。结果表明,烧杯实验中,表面活性剂的添加使刻蚀速率明显降低;沟槽上、中、下部位置的刻蚀速率相较单片工艺、槽式清洗工艺均低约60Å/min;在单片清洗过程中,提高卡盘转速或BOE流速,可提高氧化硅的刻蚀速率,采用去离子水预冲洗晶圆表面,有利于沟槽结构刻蚀的均匀性;在槽式清洗工艺中,较合适的循环流量为13L/min,可为BOE在高深宽比结构的刻蚀工艺提供参考。 展开更多

关键词 缓冲氧化物刻蚀液 湿法刻蚀 沟槽结构

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双氧水系铜刻蚀液各向异性刻蚀机理和方法研究进展 被引量：3

14

作者 邢攸美 李潇逸 +4 位作者 高立江 李欢 倪芸岚 王小眉 胡涛 《浙江化工》 CAS 2019年第9期11-16,共6页

高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中最主要的为双氧水系铜刻蚀液。然而双氧水系铜刻蚀液需添加控制刻蚀方向、刻蚀速率和延长刻蚀液使用寿命的相关添加剂,上述类型的添加剂研究随着... 高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中最主要的为双氧水系铜刻蚀液。然而双氧水系铜刻蚀液需添加控制刻蚀方向、刻蚀速率和延长刻蚀液使用寿命的相关添加剂,上述类型的添加剂研究随着铜制程的进一步推进而不断进行,研究和应用产生的问题亟待解决。 展开更多

关键词 铜刻蚀液 双氧水 各向异性

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废磷酸系刻蚀液制备电池级磷酸铁 被引量：2

15

作者 贾婧 王秋帏 +2 位作者 王小赫 胡馨尹 吴旭 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期484-491,共8页

以废磷酸系刻蚀液为原料、铁粉为铁源、H_(2)O_(2)为氧化剂,采用氧化沉淀法一步合成结晶态FePO4。考察了铁磷摩尔比、反应温度、H_(2)O_(2)投加量、pH、煅烧温度对FePO4制备的影响,利用XRD、SEM等手段表征了FePO4的形貌和晶体结构。实... 以废磷酸系刻蚀液为原料、铁粉为铁源、H_(2)O_(2)为氧化剂,采用氧化沉淀法一步合成结晶态FePO4。考察了铁磷摩尔比、反应温度、H_(2)O_(2)投加量、pH、煅烧温度对FePO4制备的影响,利用XRD、SEM等手段表征了FePO4的形貌和晶体结构。实验结果表明,在铁磷摩尔比1.000、反应温度90℃、n(H_(2)O_(2))∶n(H3PO4)1.05、pH 2.2~2.4、煅烧温度600℃的最佳工艺条件下,废刻蚀液中PO43-、NO3-、醋酸的去除率分别为87.70%、87.42%和90.25%,FePO4的产品转化率为77.99%,所制备的FePO4晶体结构规则,结晶度高,粒径为2.0~6.0μm,铁、磷质量分数和杂质元素含量等指标均能满足《电池用磷酸铁》(HG/T 4701—2021)的要求。 展开更多

关键词 磷酸铁 磷酸系刻蚀液 锂离子电池 沉淀

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金属氧化物TFT工艺中铜/钛蚀刻液浓度控制体系研究 被引量：1

16

作者 赵辉 《光电子技术》 CAS 2023年第1期48-52,共5页

深入分析了铜钛刻蚀液的刻蚀机理,并对刻蚀液浓度的变化进行实验分析。在此基础上,通过实验完成了铜钛刻蚀液浓度变化模型曲线的研发,并提出了进行浓度控制的方法,实现了铜钛刻蚀液的稳定应用并极大地提高刻蚀液的使用寿命。研究为相关... 深入分析了铜钛刻蚀液的刻蚀机理,并对刻蚀液浓度的变化进行实验分析。在此基础上,通过实验完成了铜钛刻蚀液浓度变化模型曲线的研发,并提出了进行浓度控制的方法,实现了铜钛刻蚀液的稳定应用并极大地提高刻蚀液的使用寿命。研究为相关领域的生产和研发提供了一定的参考。 展开更多

关键词 金属氧化物 湿法刻蚀 铜/钛刻蚀液 浓度控制

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FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究 被引量：1

17

作者 姜晓辉 张家祥 +6 位作者 王亮 郭建 沈奇雨 曲连杰 张文余 田宗民 阎长江 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页

树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引... 树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等。通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中。 展开更多

关键词 树脂材料 ITO刻蚀 ITO刻蚀液 涂胶工艺

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铝刻蚀液磷酸浓度变化及TRIZ解决方案 被引量：1

18

作者 刘丹 刘毅 +8 位作者 陈启超 黄中浩 陈国良 熊永 吴旭 管飞 郭瑞乾 林鸿涛 方亮 《创新创业理论研究与实践》 2021年第22期4-11,15,共9页

铝刻蚀液由硝酸、醋酸、磷酸混合组成,各酸液浓度变化会对刻蚀产生影响。量产过程中,设备对硝酸和醋酸进行单酸补给,保持其浓度稳定。但磷酸不补给,其浓度会逐渐下降。该文结合铝刻蚀产线,研究了单酸补给开启与关闭情况下磷酸浓度对刻... 铝刻蚀液由硝酸、醋酸、磷酸混合组成,各酸液浓度变化会对刻蚀产生影响。量产过程中,设备对硝酸和醋酸进行单酸补给,保持其浓度稳定。但磷酸不补给,其浓度会逐渐下降。该文结合铝刻蚀产线,研究了单酸补给开启与关闭情况下磷酸浓度对刻蚀程度的影响;然后结合TRIZ,对量产条件下磷酸浓度下降现象进行分析,并输出解决方案。实验结果表明:单酸补给关闭,硝酸、醋酸逐渐消耗,刻蚀能力降低;当单酸补给开启,硝酸和醋酸浓度稳定,磷酸浓度逐渐下降,刻蚀能力也降低,这是因为补给的硝酸、醋酸含有水,水稀释磷酸造成其浓度下降。刻蚀能力下降会导致金属残留,进而造成良率损伤。结合TRIZ方案,可以通过加大刻蚀区间排气、调整刻蚀出口空气帘流速、根据药液使用时间调整刻蚀产品类型等措施来规避磷酸浓度下降对刻蚀造成的影响。此项研究,为产品良率提升提供参考。 展开更多

关键词 铝刻蚀液 磷酸浓度 刻蚀能力 TRIZ

原文传递

量产条件下ITO刻蚀液浓度变化及其影响

19

作者 刘丹 刘毅 +11 位作者 黄中浩 吴青友 吴旭 田茂坤 宁智勇 管飞 张超 王兆君 闵泰烨 冯家海 樊超 方亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期549-559,共11页

ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程... ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程至关重要。本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线,探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化,结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因,并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响。实验结果表明仅CCSS开启,刻蚀液中酸液浓度增加,致其刻蚀能力逐渐增强。在CCSS开启的基础上,EMS开启补充水和硝酸功能,可以保持刻蚀液浓度稳定,进而延长刻蚀液的使用时间。但是,在CCSS和EMS补给均开启的模式下,刻蚀液浓度在初期波动,然后逐步趋于稳定,且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域,此区域的刻蚀能力强。该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 湿法刻蚀 ITO刻蚀液 浓度变化 ITO电极

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废铝蚀刻液中硝酸、磷酸和醋酸浓度的电位滴定法连续测定研究

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作者 陈荔英 许椐洋 +5 位作者 余丰毅 侯海丽 王志巍 陈嘉宾 黄丽英 曾广志 《再生资源与循环经济》 2023年第1期35-38,共4页

废铝刻蚀液是由硝酸、磷酸和醋酸组成的一种混酸,把握混酸中各酸的含量是该工业废液回收利用的重要前提。以乙醇/乙二醇共混物为溶剂,以氢氧化钠/乙醇溶液为滴定剂,采用一步法连续电位滴定对铝蚀刻液混酸中各单酸浓度进行分析,优化了滴... 废铝刻蚀液是由硝酸、磷酸和醋酸组成的一种混酸,把握混酸中各酸的含量是该工业废液回收利用的重要前提。以乙醇/乙二醇共混物为溶剂,以氢氧化钠/乙醇溶液为滴定剂,采用一步法连续电位滴定对铝蚀刻液混酸中各单酸浓度进行分析,优化了滴定条件并进行了实验验证。结果表明,在最优滴定条件下,混酸中各酸的测定值与实际值的偏差均较小。可满足现实生产中废混酸回收利用的分析要求,有望获得实际应用。 展开更多

关键词 废铝刻蚀液 电位滴定 硝酸 磷酸 醋酸

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