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硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯 被引量：1
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作者 尹盛 王敬义 +3 位作者 李战春 张繁 沈亮 赵伯芳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期547-550,共4页
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均... 介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近。这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段。 展开更多
关键词 粉粒表面刻蚀 刻蚀提纯 太阳级硅 直流等离子体
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