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题名LV/HV兼容CMOS芯片与制程结构
被引量：6
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作者
潘桂忠
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机构
上海贝岭微电子制造有限公司
中国航天电子技术研究院第七七一研究所
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出处
《集成电路应用》
2017年第7期21-25,共5页
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基金
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027)
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文摘
LV/HV兼容CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容的CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。
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关键词
集成电路制造工艺
偏置栅结构
LV/HV兼容CMOS芯片结构
制程平面
剖面结构
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Keywords
integrated circuit manufacturing technology, offset gate structure, LV/HV compatibleCMOS chip structure, process plane, profile structure
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名亚微米CMOS芯片与制程剖面结构
被引量：1
- 2
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作者
潘桂忠
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机构
上海贝岭股份有限公司
中国航天电子技术研究院第七七一研究所
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出处
《集成电路应用》
2019年第3期30-34,共5页
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基金
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027)
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文摘
分析Submiron CMOS技术,使用双阱工艺,能够实现在高阻P型硅衬底上形成IC中各种元器件,并使之互连,实现所设计电路。采用芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片与制程结构。
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关键词
集成电路制造
Submiron
CMOS芯片
制程平面
剖面结构
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Keywords
IC manufacturing
bias gate structure
LV/HV Twin-Well BCD[B]chip structure
process profile structure
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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