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980nm高功率垂直腔面发射激光器 被引量:21
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作者 赵路民 王青 +4 位作者 晏长岭 秦莉 刘云 宁永强 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期142-144,共3页
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 ... 研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。 展开更多
关键词 激光技术 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 分子外延 量子阱结构 氧化工艺
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反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究 被引量:21
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作者 周勋 杨再荣 +5 位作者 罗子江 贺业全 何浩 韦俊 邓朝勇 丁召 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期481-485,共5页
以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InG... 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据. 展开更多
关键词 分子外延 反射式高能电子衍射 表面重构 温度校准
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3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究 被引量:20
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作者 周立庆 刘铭 +3 位作者 巩锋 董瑞清 折伟林 常米 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期537-541,共5页
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化... 报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。 展开更多
关键词 碲化镉 硅基 分子外延
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碲镉汞红外焦平面器件技术进展 被引量:18
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作者 丁瑞军 杨建荣 +7 位作者 何力 胡晓宁 陈路 林春 廖清君 叶振华 陈洪雷 魏彦锋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期85-91,共7页
近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技... 近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。 展开更多
关键词 红外焦平面 碲镉汞 分子外延 液相外延 读出电路
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激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备中的应用 被引量:9
5
作者 王兆阳 胡礼中 +2 位作者 孙捷 孟庆端 苏英美 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期141-143,共3页
与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比,激光分子束外延技术(L MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术,在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力。在讨论ZnO薄膜基本特性的基础上,较为详细地论述了激光... 与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比,激光分子束外延技术(L MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术,在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力。在讨论ZnO薄膜基本特性的基础上,较为详细地论述了激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备中的应用和取得的新进展。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 分子外延 激光分子外延
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单极型量子级联激光器的发明及其进展(邀请论文) 被引量:17
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作者 李爱珍 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2213-2220,共8页
1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制出波长覆盖2.63~360μm,室温连续功率达瓦级... 1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制出波长覆盖2.63~360μm,室温连续功率达瓦级的系列中远红外波段单极型QCL。本文对QCL的发明、激射机制、材料与激光器进行了综述性介绍。讨论了QCL及其在环境与气候监测、医学成像和检查及疾病诊断、通信、国土安全等战略新兴应用领域的研究现状和未来发展趋势。 展开更多
关键词 半导体激光 量子级联激光器 分子外延 中远红外
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稀磁半导体材料的研究进展及应用前景 被引量:13
7
作者 王颖 湛永钟 +1 位作者 许艳飞 喻正文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期20-23,共4页
综述了稀磁半导体的研究现状,从其分类、各自特点、物理性质和应用现状等各方面详细阐述了稀磁半导体的基本特点,并展望了今后稀磁半导体的研究重点与实用方向。
关键词 稀磁半导体 sp-d交换作用 分子外延 巨磁光效应 自旋电子学
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氧化锌薄膜制备技术的评价 被引量:3
8
作者 刘坤 季振国 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期282-286,309,共6页
详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法 ,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子层外延生长法。阐述了这些方法的机理、沉积条件、所需的反应物以及制得的薄膜的性质。
关键词 氧化锌薄膜 制备技术 半导体薄膜 磁控溅射 化学气相沉积 分子外延
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HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究 被引量:13
9
作者 陈贵宾 陆卫 +5 位作者 蔡炜颖 李志锋 陈效双 胡晓宁 何力 沈学础 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期911-914,共4页
在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压... 在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压特性和对零偏微分电阻R0 分析 ,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系 .在另一片薄膜材料(镉组分值为 0 2 74 3)上通过该方法获得R0 展开更多
关键词 碲镉汞薄膜 红外探测器 离子注入 分子外延 P-N结 暗电流特性
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在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 被引量:8
10
作者 矫淑杰 张振中 +5 位作者 吕有明 申德振 赵东旭 张吉英 姚斌 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期542-544,共3页
用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在... 用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 P型掺杂 p-n同质结 分子外延
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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量:9
11
作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多
关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料
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MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 被引量:8
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作者 邹继军 常本康 杜晓晴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期401-404,共4页
本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得... 本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度。在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上。梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变。一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化。 展开更多
关键词 分子外延 梯度掺杂 GAAS光电阴极 量子效率 激活
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第三代红外焦平面基础技术的研究进展 被引量:11
13
作者 何力 胡晓宁 +3 位作者 丁瑞军 李言谨 杨建荣 张勤耀 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期696-701,共6页
叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引... 叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效抑制。在GaAs和Si衬底上外延的HgCdTe材料的(422)X射线衍射半峰宽的典型值为55″~75″。对ICP技术刻蚀HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究,得到了高选择比的掩模技术和表面光亮、各向异性较好的刻蚀形貌。采用HgCdTe多层材料试制了长波n-on-p以及p-on-n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,取得了一些初步结果。 展开更多
关键词 红外焦平面 HGCDTE 台面结 分子外延 电感耦合等离子体刻蚀技术
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Onset of the Meissner effect at 65 K in Fe Se thin film grown on Nb-doped Sr TiO_3 substrate 被引量:11
14
作者 Zuocheng Zhang Yi-Hua Wang +5 位作者 Qi Song Chang Liu Rui Peng K.A.Moler Donglai Feng Yayu Wang 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第14期1301-1304,共4页
We report the Meissner effect studies on an Fe Se thin film grown on Nb-doped Sr Ti O3 substrate by molecular beam epitaxy. Two-coil mutual inductance measurement clearly demonstrates the onset of diamagnetic screenin... We report the Meissner effect studies on an Fe Se thin film grown on Nb-doped Sr Ti O3 substrate by molecular beam epitaxy. Two-coil mutual inductance measurement clearly demonstrates the onset of diamagnetic screening at 65 K, which is consistent with the gap opening temperature determined by previous angle-resolved photoemission spectroscopy results. The applied magnetic field causes a broadening of the superconducting transition near the onset temperature, which is the typical behavior for quasi-two-dimensional superconductors. Our results provide direct evidence that Fe Se thin film grown on Nb-doped Sr Ti O3 substrate has an onset TC* 65 K,which is the highest among all iron-based superconductors discovered so far. 展开更多
关键词 Meissner effect. FeSe thin film SrTiO3substrate Quasi-two-dimensional superconductors .Iron-based superconductors
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现代表面工程技术的新进展 被引量:8
15
作者 李金桂 《航空维修与工程》 1999年第2期13-15,共3页
用以改变材料表面特性的技术,可以追溯到远古,3000多年前中国的大漆、2000多年前秦始皇墓中的青铜剑表面改性层就是明证。油漆、电镀、涂层这些古典防护技术,随着科学技术的进步都在发展之中,而当电子束、离子束、激光束这... 用以改变材料表面特性的技术,可以追溯到远古,3000多年前中国的大漆、2000多年前秦始皇墓中的青铜剑表面改性层就是明证。油漆、电镀、涂层这些古典防护技术,随着科学技术的进步都在发展之中,而当电子束、离子束、激光束这些近代技术于60~70年代进入表面... 展开更多
关键词 表面工程技术 离子注入 表面改性 电子加热 分子外延 离子镀 离子 沉积速度 超大规模集成电路 航空发动机
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双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状 被引量:9
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作者 王成刚 孙浩 +1 位作者 李敬国 朱西安 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期367-371,共5页
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。
关键词 碲镉汞 红外焦平面阵列 双色探测器 分子外延 台面刻蚀
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ZnO薄膜的分子束外延生长及性能 被引量:3
17
作者 周映雪 俞根才 +1 位作者 吴志浩 张新夷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期287-290,共4页
利用分子束外延 (MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(1 0 0 )、GaAs(1 0 0 )和蓝宝石Al2 O3(0 0 0 1 )衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn O化学计量比作缓冲层 ,改变衬底生长温度和氧压 ,并在氧气氛下 ,进行原位退火处理 ,得到ZnO薄膜。依... 利用分子束外延 (MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(1 0 0 )、GaAs(1 0 0 )和蓝宝石Al2 O3(0 0 0 1 )衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn O化学计量比作缓冲层 ,改变衬底生长温度和氧压 ,并在氧气氛下 ,进行原位退火处理 ,得到ZnO薄膜。依据X射线衍射 (XRD)图 ,表明样品的结晶性能尚好 ,且呈c轴择优取向 ;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜 ,由于晶格失配度不同 ,其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌 ,为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶 ,且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在 36 0nm激发下 ,样品的发光光谱是峰值为 4 1 0 ,5 1 0nm的双峰谱 。 展开更多
关键词 氧化锌 分子外延 X射线衍射 纳米晶 发光
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分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究 被引量:8
18
作者 于梅芳 杨建荣 +5 位作者 王善力 陈新强 乔怡敏 巫艳 何力 韩培德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期378-382,共5页
本文报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.用位错腐蚀坑密度(EPD)、X射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法,对CdTe缓冲层以及HgCdTe薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的... 本文报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.用位错腐蚀坑密度(EPD)、X射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法,对CdTe缓冲层以及HgCdTe薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析.研究发现退火可以有效地降低HgCdTe薄膜的位错密度. 展开更多
关键词 分子外延 位错 HGCDTE薄膜 密度
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ZnO材料的生长及表征 被引量:7
19
作者 李树玮 小池一步 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第3期178-181,共4页
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料和场致发射材料,通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),研究了生长时材料薄膜的表面形貌。为了使... 氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料和场致发射材料,通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),研究了生长时材料薄膜的表面形貌。为了使材料更好地应用于器件,研究了材料的掺杂性质。研究了给体束缚激子(Donorboundexciton(DX))、自由激子(Freeexciton(EX))和受体束缚激子(Acceptorboundexciton(AX))随温度变化的发光过程。用紫外 可见透射光谱研究了ZnO薄膜材料的透射光谱性质。结果表明,用分子束外延生长设备成功地生长了高质量的氧化锌薄膜材料。 展开更多
关键词 氧化锌 分子外延 光致发光 透射光谱
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InSb薄膜分子束外延技术研究 被引量:9
20
作者 刘铭 程鹏 +4 位作者 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1256-1259,共4页
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双... InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。 展开更多
关键词 InSb外延 分子外延 晶体质量 128×128
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