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凹陷沟道SOI器件的实验研究
被引量：
1
1
作者
张兴
王阳元
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第12期931-935,共5页
本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜...
本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．
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关键词
SOI器件
凹陷
沟道
MOSFET
实验
下载PDF
职称材料
SOI-21世纪VLSI的高端技术
2
作者
李智群
王志功
《中国集成电路》
2002年第12期61-64,共4页
概述体硅CMOS(bulk CMOS)技术在近20年获得了飞速发展,成为VLSI的主流技术。CMOS集成电路的特征尺寸正在向深亚微米发展,0.18μm
关键词
器件
超大规模集成电路
体硅电路
主流技术
短
沟道
效应
微处理器
浮体效应
等比例缩小
低电压
凹陷
沟道
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职称材料
进入纳米时代的CMOS设计
3
作者
甘学温
张兴
《中国集成电路》
2002年第2期45-51,共7页
本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战,如:光刻技术、电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。分析了一些用于纳米尺寸的新型器件结构,包括SOI CMOS、双栅和围栅MOSFET、凹陷沟道MOSFE...
本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战,如:光刻技术、电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。分析了一些用于纳米尺寸的新型器件结构,包括SOI CMOS、双栅和围栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS,它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限。
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关键词
短沟效应
纳米时代
器件结构
掺杂
器件性能
凹陷
沟道
沟道
长度
量子效应
泄漏电流
电源电压
下载PDF
职称材料
题名
凹陷沟道SOI器件的实验研究
被引量：
1
1
作者
张兴
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
香港科技大学电气与电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第12期931-935,共5页
文摘
本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．
关键词
SOI器件
凹陷
沟道
MOSFET
实验
Keywords
MOSFET devices
Transconductance
分类号
TN386.106 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SOI-21世纪VLSI的高端技术
2
作者
李智群
王志功
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《中国集成电路》
2002年第12期61-64,共4页
文摘
概述体硅CMOS(bulk CMOS)技术在近20年获得了飞速发展,成为VLSI的主流技术。CMOS集成电路的特征尺寸正在向深亚微米发展,0.18μm
关键词
器件
超大规模集成电路
体硅电路
主流技术
短
沟道
效应
微处理器
浮体效应
等比例缩小
低电压
凹陷
沟道
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
进入纳米时代的CMOS设计
3
作者
甘学温
张兴
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《中国集成电路》
2002年第2期45-51,共7页
文摘
本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战,如:光刻技术、电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。分析了一些用于纳米尺寸的新型器件结构,包括SOI CMOS、双栅和围栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS,它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限。
关键词
短沟效应
纳米时代
器件结构
掺杂
器件性能
凹陷
沟道
沟道
长度
量子效应
泄漏电流
电源电压
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
凹陷沟道SOI器件的实验研究
张兴
王阳元
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
2
SOI-21世纪VLSI的高端技术
李智群
王志功
《中国集成电路》
2002
0
下载PDF
职称材料
3
进入纳米时代的CMOS设计
甘学温
张兴
《中国集成电路》
2002
0
下载PDF
职称材料
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