(100)面硅片各向异性腐蚀中的凸角补偿方式 被引量：7

1

作者 郭涛 范波 +1 位作者 郭虎岗 高健飞 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第1期68-71,共4页

为了避免微加速度计在加工过程中,由于湿法腐蚀的各向异性而造成的凸角处产生削角现象,必须根据各个晶向的腐蚀快慢特性和腐蚀深度的要求,在腐蚀开始前设计好补偿的掩膜图形,使之在特定的腐蚀时间后显现出理想的凸角形状.以一种梁-质量... 为了避免微加速度计在加工过程中,由于湿法腐蚀的各向异性而造成的凸角处产生削角现象,必须根据各个晶向的腐蚀快慢特性和腐蚀深度的要求,在腐蚀开始前设计好补偿的掩膜图形,使之在特定的腐蚀时间后显现出理想的凸角形状.以一种梁-质量块结构的加速度计为模型,为了在加工过程中,得到完整的质量块结构,使结构具有更好的对称性,对各种凸角补偿方式进行了研究.利用(100)面硅片各向腐蚀速率的快慢特性和一定的几何知识,计算出各种凸角补偿方式最佳的补偿几何尺寸模型.这样,在设计加速度计制造工艺时,就可以直接利用这些尺寸模型,得到最佳的结构. 展开更多

关键词 梁-质量块结构微加速度计 湿法腐蚀 凸角补偿 各向异性腐蚀

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（100）Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法 被引量：3

2

作者 张庆鑫 刘理天 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期923-927,共5页

本文对Ｇ．Ｋ．Ｍａｙｅｒ等人提出的，用（１００）条对（１００）Ｓｉ凸角补偿的方法进行了深入研究，指出了该方法在腐蚀槽较窄时的局限性，在此基础上提出了一种改进的新方法，并给出了理论分析及实验结果．

关键词 硅 氢化钾溶液 腐蚀 凸角补偿

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一种硅微谐振式压力传感器的敏感膜片设计 被引量：5

3

作者 任森 苑伟政 邓进军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1855-1858,1862,共5页

根据正方形膜片的变形和应力分布情况,提出了一种硅微谐振式压力传感器敏感膜片的设计方法,设计了两种正方形间接连接式压力敏感膜片.在相同的膜片面积下,新膜片与原有矩形间接连接式压力敏感膜片性能相近,为内部谐振器的多样化提供了基... 根据正方形膜片的变形和应力分布情况,提出了一种硅微谐振式压力传感器敏感膜片的设计方法,设计了两种正方形间接连接式压力敏感膜片.在相同的膜片面积下,新膜片与原有矩形间接连接式压力敏感膜片性能相近,为内部谐振器的多样化提供了基础.最后,就压力敏感膜片的工艺设计进行了探讨,认为采用正方形凸角补偿结构的〈110〉硅岛和采用边长补偿的〈100〉硅岛最适合间接连接式压力敏感膜片. 展开更多

关键词 谐振式压力传感器 敏感膜片 硅岛 凸角补偿

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KOH和TMAH基腐蚀液中凸角补偿结构的研究

4

作者 孙卫华 韩建强 +2 位作者 徐宇翔 张智超 施阁 《中国计量大学学报》 2023年第3期421-428,共8页

目的:在湿法各向异性腐蚀MEMS微结构过程中常出现凸角底切现象,需要设计凸角补偿图案以获得完整的凸角结构。方法:实验测量了不同电阻率的硅片在KOH和TMAH基腐蚀液中的底切率和八种凸角补偿图案的补偿深度,并与理论预测的补偿深度进行... 目的:在湿法各向异性腐蚀MEMS微结构过程中常出现凸角底切现象,需要设计凸角补偿图案以获得完整的凸角结构。方法:实验测量了不同电阻率的硅片在KOH和TMAH基腐蚀液中的底切率和八种凸角补偿图案的补偿深度,并与理论预测的补偿深度进行对比。结果:1)在KOH腐蚀液中加入IPA,底切率没有变化;但在TMAH腐蚀液中加入IPA,底切率显著降低;2)对KOH、KOH-IPA和TMAH溶液,硼掺杂浓度对底切率的影响不大。但在TMAH-IPA腐蚀液中,随着硼掺杂浓度增加,底切率减小;3)使用叠加正方形、<100>补偿条、<100>宽梁和窄梁作为凸角补偿图案,可以获得完整的凸角;其它补偿图案在凸角处出现了削角,但占用的补偿面积较小。结论:完善了凸角补偿理论体系。 展开更多

关键词 各向异性湿法腐蚀 凸角补偿 加速度计 底切率 补偿深度

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基于硅微加工技术的新型变形反射镜 被引量：3

5

作者 余洪斌 陈海清 +2 位作者 张大成 竺子民 李婷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期825-829,共5页

　给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的... 　给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的静电力就会拉动台柱向下运动,从而使相应的镜面部分发生变形;通过控制通电电极的位置及电压,就可获得特定的镜面形状。在变形反射镜的加工工序中采用浅腐蚀形成键合台,采用深腐蚀加工出台柱。并采用<110>条补偿图形对台柱的凸角进行补偿,在0.2MPa气压下进行键合,最后成功研制出有效反射面积为30mm×30mm,拥有49个静电驱动单元的变形反射镜。 展开更多

关键词 变形反射镜 体微加工 静电驱动 凸角补偿 阳极键合

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硅各向异性腐蚀技术研究 被引量：3

6

作者 李倩 崔鑫 李湘君 《微处理机》 2012年第6期12-13,19,共3页

针对两种补偿结构探讨了硅的凸角腐蚀补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了好的直角凸面补偿效果。

关键词 氢氧化钾 湿法腐蚀 凸角补偿

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用于承载铷原子钟滤光泡的高品质微腔体制备 被引量：3

7

作者 王婷婷 曾毅波 +3 位作者 王盛贵 魏秀燕 毕瑞可 郭航 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第5期106-110,共5页

在芯片级铷原子钟中,需要微腔体来承载Rb—87滤光泡,为此,提出了一种用于制作高品质微腔体的新技术。为了获得光滑的腔体侧面和避免腐蚀过程中凸角处产生削角现象,研究中采用了超声腐蚀技术和凸角补偿技术。首先,分别在纯KOH溶液,并结... 在芯片级铷原子钟中,需要微腔体来承载Rb—87滤光泡,为此,提出了一种用于制作高品质微腔体的新技术。为了获得光滑的腔体侧面和避免腐蚀过程中凸角处产生削角现象,研究中采用了超声腐蚀技术和凸角补偿技术。首先,分别在纯KOH溶液,并结合搅拌和超声等方法,对(100)硅片进行湿法腐蚀,并运用激光共聚焦扫描显微镜对腐蚀后的{111}表面进行粗糙度测量,表明运用超声腐蚀技术可以获得光滑的{111}腔体侧面。在此基础上,引入条形掩模凸角补偿方法进行微腔体腐蚀。实验结果表明:在80℃、质量分数为30%KOH、超声频率和功率分别为59 kHz和160 W的溶液中腐蚀,其{111}腐蚀表面粗糙度为0.117μm,同时条形的长度取1200μm时,可以获得平滑规整的微腔体。 展开更多

关键词 微腔体 铷原子钟 各项异性湿法腐蚀 超声腐蚀 激光共聚焦扫描显微镜 凸角补偿

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硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法 被引量：3

8

作者 郭玉刚 吴佐飞 田雷 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期25-27,共3页

针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的... 针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。 展开更多

关键词 各向异性腐蚀 削角腐蚀 凸角补偿 过载保护

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硅的凸角补偿尺寸及腐蚀中避免削角的新方法 被引量：1

9

作者 张丹 郑志霞 冯勇建 《微纳电子技术》 CAS 2004年第8期42-44,47,共4页

在硅的腐蚀过程中,如果不对台面凸角加以补偿,会产生严重的削角现象。本文采用在凸角上补偿正方形掩膜的方法,通过实验得出要在TMAH腐蚀液中将厚度约为300μm的硅片腐蚀出完整的台面凸角结构需要补偿多大尺寸的正方形掩膜。硅片与玻璃... 在硅的腐蚀过程中,如果不对台面凸角加以补偿,会产生严重的削角现象。本文采用在凸角上补偿正方形掩膜的方法,通过实验得出要在TMAH腐蚀液中将厚度约为300μm的硅片腐蚀出完整的台面凸角结构需要补偿多大尺寸的正方形掩膜。硅片与玻璃键合后,由于硅晶格的变化使得与玻璃键合的那一层硅很难腐蚀掉,本文也介绍了一种缩短腐蚀时间、避免削角的方法。 展开更多

关键词 凸角补偿 腐蚀 削角现象

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硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用 被引量：1

10

作者 孙洋 钱可元 +4 位作者 韩彦军 蔡鹏飞 罗毅 雷建都 童爱军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期477-479,483,共4页

　基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。

关键词 硅材料 湿法刻蚀 凸角补偿 微分析芯片

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基于MEMS技术的新型变形反射镜

11

作者 汪超 余洪斌 陈海清 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期89-92,共4页

基于MEMS技术体硅工艺,提出一种新型大有效面积的连续变形反射镜的设计制造方法。依工艺流程中的实际情况与结果,分析了在制造过程中遇到的大面积腔体深腐蚀中凸角腐蚀和键合中小空隙粘合等关键问题,设计实施了T形补偿角、延长驱动线等... 基于MEMS技术体硅工艺,提出一种新型大有效面积的连续变形反射镜的设计制造方法。依工艺流程中的实际情况与结果,分析了在制造过程中遇到的大面积腔体深腐蚀中凸角腐蚀和键合中小空隙粘合等关键问题,设计实施了T形补偿角、延长驱动线等解决方案。用此方法制造出有效反射面积30mm×30mm,最大变形量1.2μm,49驱动电极的新型变形反射镜。10-200V电压范围内得到的该变形反射镜镜面变形数据与模拟结果具有很好的一致性。 展开更多

关键词 变形反射镜 微电子机械系统 体硅工艺 凸角补偿

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硅(100)晶面的凸角腐蚀及其补偿 被引量：1

12

作者 周丽玲 闫卫平 梁秀萍 《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期93-96,共4页

在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处呈现严重切削现象。凸角侧向腐蚀程度与腐蚀深度、腐蚀温度、腐蚀剂配比等诸多因素有关。针对方形补偿结构探讨了凸角腐蚀的补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验... 在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处呈现严重切削现象。凸角侧向腐蚀程度与腐蚀深度、腐蚀温度、腐蚀剂配比等诸多因素有关。针对方形补偿结构探讨了凸角腐蚀的补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了与理论分析结果相一致的直角凸面补偿效果。 展开更多

关键词 各向异性腐蚀 凸角补偿 氢氧化钾腐蚀液

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倾斜下电极式MOEMS光开关阵列的光路分析及准直技术研究 被引量：1

13

作者 明安杰 梁静秋 +3 位作者 兰卫华 王维彪 董玮 陈维友 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第z2期48-51,共4页

从高斯光束的传输理论出发,对8×8 MOEMS阵列光开关的光路进行了分析.这种光开关的反射镜尺寸与插入损耗(简称插损)密切相关.为了降低插损并且达到准直长度的要求,对相关参数进行了优化选择.此外,开关中光纤、球透镜以及微反射镜之... 从高斯光束的传输理论出发,对8×8 MOEMS阵列光开关的光路进行了分析.这种光开关的反射镜尺寸与插入损耗(简称插损)密切相关.为了降低插损并且达到准直长度的要求,对相关参数进行了优化选择.此外,开关中光纤、球透镜以及微反射镜之间的位置及角度偏移均会使插损大大增加,采用自对准技术和凸角补偿方法可以有效提高各个器件之间的对准效果,降低插损[1]. 展开更多

关键词 MOEMS 光开关 插损 凸角补偿 球透镜

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体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法 被引量：1

14

作者 张涵 李伟华 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期750-754,共5页

从硅晶胞的空间原子结构出发,对(110)衬底进行研究,提出了针对(110)衬底上规则目标凸角结构的通用补偿方法.以(100)衬底上已提出的图形分析和共性补偿方法为依据,确定了(110)衬底表面特征晶向的平面关系,将所选70℃30%(质量分数)的KOH... 从硅晶胞的空间原子结构出发,对(110)衬底进行研究,提出了针对(110)衬底上规则目标凸角结构的通用补偿方法.以(100)衬底上已提出的图形分析和共性补偿方法为依据,确定了(110)衬底表面特征晶向的平面关系,将所选70℃30%(质量分数)的KOH腐蚀液条件下的特征晶面(111)、(311)以及与衬底同簇的(110)晶面与衬底相交,得到平面特征晶向,从而构建补偿图形的拓扑框架,最终选择拓扑框架中的部分晶向构成具体的补偿图形.利用各向异性三维仿真软件对由该方法设计得到的补偿结果进行验证,模拟结果与设计预期相一致,充分证实了该设计方法的正确可行. 展开更多

关键词 (110)衬底 凸角补偿 拓扑结构 通用方法

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硅各向异性腐蚀制备尖端发射阴极的凸角补偿 被引量：1

15

作者 黄庆安 张会珍 +2 位作者 秦明 陈军宁 童勤义 《云南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第S1期156-159,共4页

本文分析了用各向异性腐蚀剂EPW制备硅尖端发射阴极的凸角腐蚀问题,指出正方形膜沿<110>方向腐蚀出的尖端顶部侧面并非{111}面,而是{212}面.提出正方掩膜沿<210>方向对准的新方法.这种对准方法无凸角腐蚀、光刻工艺容易实现.

关键词 硅 发射阴极 腐蚀 凸角补偿

原文传递

加速度传感器芯片湿法加工技术研究

16

作者 张岩 尚瑛琦 +1 位作者 王晓光 刘智辉 《中国新技术新产品》 2013年第12期29-30,共2页

本文主要研究了加速度传感器芯片的湿法加工技术,主要包括KOH腐蚀中凸角补偿图形设计,引线电极保护技术,TMAH腐蚀技术等内容。本文设计了合理的凸角补偿图形,能够制作出完整的凸角结构。本文结合实际工艺中遇到的问题,讨论了湿法加工技... 本文主要研究了加速度传感器芯片的湿法加工技术,主要包括KOH腐蚀中凸角补偿图形设计,引线电极保护技术,TMAH腐蚀技术等内容。本文设计了合理的凸角补偿图形,能够制作出完整的凸角结构。本文结合实际工艺中遇到的问题,讨论了湿法加工技术中引线电极的保护方法,包括TMAH腐蚀技术的应用。制作出的加速度传感器芯片灵敏度大于0.1mV/g,非线性优于1%,横向灵敏度比小于3%。 展开更多

关键词 加速度芯片 湿法腐蚀 KOH 凸角补偿 TMAH

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在EPW中采用(100)硅制作微悬臂梁凸角补偿及工艺研究 被引量：2

17

作者 赵晓锋 温殿忠 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2005年第5期697-700,共4页

(100)硅片在EPW腐蚀液中进行各向异性腐蚀时,因在(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面,使微悬臂梁凸角掩膜下的硅受到侧向腐蚀,出现严重的凸角削角现象.研究采用EPW腐蚀(100)硅片制作微悬臂梁的凸角补偿方法及制作工艺,给... (100)硅片在EPW腐蚀液中进行各向异性腐蚀时,因在(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面,使微悬臂梁凸角掩膜下的硅受到侧向腐蚀,出现严重的凸角削角现象.研究采用EPW腐蚀(100)硅片制作微悬臂梁的凸角补偿方法及制作工艺,给出采用圆形掩膜对(100)硅凸角进行补偿.实验结果表明,该方法能够较好的完成对EPW腐蚀液中悬臂梁凸角削角的补偿。 展开更多

关键词 EPW 微悬臂梁 凸角削角补偿

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