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700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型 被引量：5
1
作者 苏健 方健 +3 位作者 武洁 张波 李肇基 罗萍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期192-194,共3页
　文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究。借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasidrain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取... 　文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究。借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasidrain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果。 展开更多
关键词 LDMOS 单晶扩散 准饱和 准漏极 宏模型
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