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超低温烧结微波介质陶瓷制备工艺的研究进展 被引量:2
1
作者 李晓萌 薛仙 +1 位作者 汪宏 郭靖 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期907-920,共14页
传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1000℃以上高温,不仅工艺周期长、能量消耗高,而且难以实现多种材料体系的集成共烧.如今,无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求,低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术... 传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1000℃以上高温,不仅工艺周期长、能量消耗高,而且难以实现多种材料体系的集成共烧.如今,无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求,低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术被开发和广泛应用.研究烧结温度更低、烧结效率更高,且微波介电性能优异的节能环保型绿色制备工艺,已经成为全球范围内研究热点之一.液相烧结、热压烧结、微波烧结、放电等离子体烧结、闪烧等烧结工艺的提出促进了低温烧结微波介质陶瓷的发展.最近,又出现了一种新的超低温烧结工艺—冷烧结技术.冷烧结具有极低的烧结温度(一般≤300℃)、可在短时间内实现陶瓷高致密化,且在物相稳定性、复合共烧以及晶界控制等方面有着优势,为超低温烧结工艺以及微波介质材料体系的开发提供了新的契机. 展开更多
关键词 微波介质 陶瓷 低温共烧陶瓷 超低温共烧陶瓷 超低温烧结工艺 烧结
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冷烧结陶瓷材料的制备及其微波介电性能 被引量:6
2
作者 李超 李谦 +2 位作者 顾永军 李丽华 黄金亮 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第3期7-12,共6页
通过冷烧结工艺,实现了NaCl、Li_2MoO_4、AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl陶瓷材料的烧结过程,研究了冷烧结材料的微波介电性能。研究结果表明:冷烧结制备Li_2MoO_4材料的微波介电性能为εr=5.6,Q×f=24866 GHz,τf=-160×10^(-6)/℃... 通过冷烧结工艺,实现了NaCl、Li_2MoO_4、AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl陶瓷材料的烧结过程,研究了冷烧结材料的微波介电性能。研究结果表明:冷烧结制备Li_2MoO_4材料的微波介电性能为εr=5.6,Q×f=24866 GHz,τf=-160×10^(-6)/℃,其εr值与传统烧结的样品相似,Q×f值也比较好。在冷烧结过程中,AlN-NaCl、Zn_2SiO_4-NaCl材料没有第二相的生成,AlN-NaCl和Zn_2SiO_4-NaCl材料的相对密度分别随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的增加而降低。在微波频率下,εr符合考虑气孔的Lichtenecker方程模型,Q×f值随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的增加而降低,τf值随着AlN和Zn_2SiO_4质量分数的变化规律符合混合法则。 展开更多
关键词 烧结 陶瓷 微波介电性能
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基于冷烧结技术的陶瓷-聚合物复合材料研究进展
3
作者 郭靖 邰晓倩 司明明 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2024年第4期46-57,共12页
传统的陶瓷烧结一般需要1000℃以上的高温,烧结周期长、能耗高。高温会对界面控制、物相稳定、材料共烧等产生不利影响,因此,很难以聚合物为填料实现陶瓷-聚合物复合材料的共烧。冷烧结技术通过引入中间液相溶解-沉淀过程,实现了在≤30... 传统的陶瓷烧结一般需要1000℃以上的高温,烧结周期长、能耗高。高温会对界面控制、物相稳定、材料共烧等产生不利影响,因此,很难以聚合物为填料实现陶瓷-聚合物复合材料的共烧。冷烧结技术通过引入中间液相溶解-沉淀过程,实现了在≤300℃时陶瓷的快速致密化,有效解决了陶瓷与聚合物的共烧问题。从冷烧结技术的发展概况出发,介绍了冷烧结工艺及致密化机制,详细阐述了冷烧结技术在陶瓷-聚合物复合材料中的应用及发展情况,包括微波介质材料、铁电材料、锂离子电池、压敏材料、半导体材料和热电材料,并分析了冷烧结技术目前待解决的问题,对冷烧结技术的未来发展做出展望。 展开更多
关键词 烧结 陶瓷 聚合物 复合材料 共烧
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基于冷烧结技术的微波介质陶瓷研究进展 被引量:1
4
作者 陈乃超 程进 汪宏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期889-898,共10页
微波介质陶瓷作为介质材料被广泛应用于物联网、工业互联网、5G通信、全球卫星通信系统的无源器件中.从微波介质陶瓷的研究背景出发,介绍了冷烧结的致密机理和工艺参数,总结了冷烧结微波介质陶瓷的主要材料体系和器件,指出了冷烧结微波... 微波介质陶瓷作为介质材料被广泛应用于物联网、工业互联网、5G通信、全球卫星通信系统的无源器件中.从微波介质陶瓷的研究背景出发,介绍了冷烧结的致密机理和工艺参数,总结了冷烧结微波介质陶瓷的主要材料体系和器件,指出了冷烧结微波介质陶瓷的主要问题和发展前景.冷烧结技术具有烧结温度低(<300℃)、可共烧异质材料、烧结前后晶粒尺寸差异小、制备工艺简单、节能环保等多种优点,在多层共烧陶瓷和微波系统集成方面具有潜在应用. 展开更多
关键词 烧结 微波介质陶瓷 微波器件 微波性能
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亚稳态纳米晶氧化锆片状粉体的制备及冷烧结
5
作者 张贺新 丁奇 +1 位作者 范宇驰 江莞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1819-1826,共8页
冷烧结技术自引入以来已有多种陶瓷材料获得了成功制备,但作为重要结构陶瓷的氧化锆其冷烧结致密度仍然偏低。为了提高冷烧结氧化锆陶瓷的致密度,采用亚稳态的纳米晶氧化锆片状粉体进行了研究。首先利用氧化石墨烯为模板,以三(羟甲基)... 冷烧结技术自引入以来已有多种陶瓷材料获得了成功制备,但作为重要结构陶瓷的氧化锆其冷烧结致密度仍然偏低。为了提高冷烧结氧化锆陶瓷的致密度,采用亚稳态的纳米晶氧化锆片状粉体进行了研究。首先利用氧化石墨烯为模板,以三(羟甲基)氨基甲烷为沉淀剂制备了含56%四方相的片状氧化锆。然后,从烧结助剂、温度、压力、液相掺量4个因素出发探索了对氧化锆致密度以及微观结构的影响。结果表明:在HCl作为烧结助剂、300℃、500 MPa、液相掺量为20%(质量分数)的冷烧结工艺条件下,实现了约70%的致密度,远高于目前冷烧结氧化锆致密度的报道值。致密度的提升主要得益于烧结中亚稳态氧化锆的相变以及助剂对片状粉体的颗粒重排和溶解-沉淀作用。此外,孔隙率的降低使得冷烧结氧化锆陶瓷的杨氏模量和抗弯强度分别达到了24 GPa和20 MPa。 展开更多
关键词 氧化锆陶瓷 烧结 致密度 烧结助剂 相变
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冷烧结技术在陶瓷材料制备中的应用
6
作者 欧阳瑞丰 施玮 +3 位作者 陈云霞 苏小丽 曾涛 李雷 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2108-2118,共11页
在陶瓷的常规制备方法中,高温烧结一直是获得致密微结构和优良性能的必要条件。近年来兴起的冷烧结(CSP)技术通过溶解-沉淀等机理,能在350℃以内的超低温条件下实现多种陶瓷材料的快速致密化,有效应对了常规高温烧结在能耗、微结构控制... 在陶瓷的常规制备方法中,高温烧结一直是获得致密微结构和优良性能的必要条件。近年来兴起的冷烧结(CSP)技术通过溶解-沉淀等机理,能在350℃以内的超低温条件下实现多种陶瓷材料的快速致密化,有效应对了常规高温烧结在能耗、微结构控制及与有机物共烧等方面存在的问题,具有巨大的发展空间和潜力。本文综述了冷烧结的发展历史、工艺流程和致密化机理,对冷烧结技术在陶瓷材料制备中的应用现状进行了概述,涉及生物陶瓷材料、新能源材料、半导体材料、介电材料、热电材料、高温下不稳定材料等,并展望了冷烧结的未来发展趋势。 展开更多
关键词 烧结 陶瓷材料 应用 超低温
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基于冷烧结技术的电介质材料研究进展 被引量:4
7
作者 付长利 李晓萌 郭靖 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期30-42,共13页
冷烧结技术是一种超低温烧结工艺,烧结温度一般低于300℃,它使用中间液相(如水、酸性溶液、碱性溶液等)和外部压力来帮助粉末致密化,可有效解决陶瓷材料在界面控制、物相稳定性和复合烧结等方面遇到的困难。本文综述了冷烧结技术的烧结... 冷烧结技术是一种超低温烧结工艺,烧结温度一般低于300℃,它使用中间液相(如水、酸性溶液、碱性溶液等)和外部压力来帮助粉末致密化,可有效解决陶瓷材料在界面控制、物相稳定性和复合烧结等方面遇到的困难。本文综述了冷烧结技术的烧结机理和其在电介质材料中的应用,重点阐述了冷烧结技术在微波介质陶瓷、铁电压电陶瓷、陶瓷-有机物、陶瓷-无机添加剂以及多层共烧材料中的应用。冷烧结技术可以实现多种电介质材料的超低温烧结,特别有利于实现不同属性材料的共烧,并且获得传统烧结无法达到的优异性能;但因提出时间较短、烧结机理相对复杂且陶瓷材料体系又非常庞大,冷烧结技术仍然存在巨大的提升空间。 展开更多
关键词 烧结 电介质材料 电子功能陶瓷 复合材料 多层共烧
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n型Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料的冷烧结制备及其性能研究
8
作者 陆雪萍 陆晓芳 +1 位作者 范宇驰 江莞 《现代技术陶瓷》 CAS 2023年第1期67-76,共10页
冷烧结技术(Cold Sintering Process,CSP)是一种利用辅助液相可使陶瓷在300℃以下达到致密的新型烧结技术,不仅操作简单、成本低廉,而且节能降耗,在制备块体热电材料方面有极大的前景。本文通过溶剂热法制备了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)粉... 冷烧结技术(Cold Sintering Process,CSP)是一种利用辅助液相可使陶瓷在300℃以下达到致密的新型烧结技术,不仅操作简单、成本低廉,而且节能降耗,在制备块体热电材料方面有极大的前景。本文通过溶剂热法制备了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)粉体,分别与0 wt%液相、10 wt%H2O、10 wt%EG、10 wt%NaOH溶液混合均匀,通过冷烧结方法制备了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)块体热电材料,并与放电等离子烧结(SPS)所制备的样品作对比。XRD测试结果表明,所有样品均未被氧化,密度测试结果显示,冷烧结添加NaOH溶液或者H2O的样品的致密度高达97%左右,比添加0 wt%液相的样品高约7%。添加NaOH溶液的样品在375 K时具有最高的ZT值0.9,在较低温度段(300~400 K)比SPS所制备的样品的ZT值高。我们的研究表明,通过液相辅助的冷烧结技术制备Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)块体热电材料是一种非常有前途的方法。 展开更多
关键词 Bi_(2)Te_(3) 热电材料 烧结
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钛酸铋钠基陶瓷的冷烧结制备及介电性能
9
作者 蔡子明 李澳宇 +4 位作者 李欣恒 杨航 朱超琼 李世恒 冯培忠 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3067-3076,共10页
冷烧结(CSP)工艺是近年来新兴的一种高效、节能的材料方法。本工作采用CSP工艺,制备出致密度不低于97%的(1–x)BNT–x NN电介质陶瓷。研究了CSP工艺和Na Nb O_(3)含量对(1–x)BNT–x NN复相陶瓷的密度、相结构、显微形貌和介电性能的影... 冷烧结(CSP)工艺是近年来新兴的一种高效、节能的材料方法。本工作采用CSP工艺,制备出致密度不低于97%的(1–x)BNT–x NN电介质陶瓷。研究了CSP工艺和Na Nb O_(3)含量对(1–x)BNT–x NN复相陶瓷的密度、相结构、显微形貌和介电性能的影响。结果表明:CSP工艺由于烧结温度低、保温时间短,可以显著降低晶粒尺寸,有效抑制Bi、Na等元素挥发,从而提高介电常数,降低介电损耗。随着Na Nb O_(3)含量的增加,(1–x)BNT–x NN复相陶瓷的剩余极化强度显著降低,并且介电常数的温度稳定性显著提升。当x=0.3时,0.7BNT–0.3NN陶瓷样品在25℃至400℃宽温范围内介电常数的变化率小于±6%,介电损耗小于5%,这表明CSP技术制备的(1–x)BNT–x NN陶瓷有望应用于温度稳定性陶瓷电容器。 展开更多
关键词 烧结 介电常数 介电损耗 钛酸铋钠 高效节能
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低共熔溶剂辅助冷烧结CuO陶瓷
10
作者 李谦 张豪杰 +2 位作者 顾永军 李丽华 黄金亮 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第4期11-16,I0001,共7页
针对可用于冷烧结的中间液相十分有限的问题,利用氯化胆碱/丙二酸制备的低共熔溶剂作为中间液相,在不同压力和温度下,对CuO陶瓷粉体进行了冷烧结。结果表明:在400℃,540 MPa,w(低共熔溶剂)=10%的条件下,可获得相对密度为88.2%的CuO陶瓷... 针对可用于冷烧结的中间液相十分有限的问题,利用氯化胆碱/丙二酸制备的低共熔溶剂作为中间液相,在不同压力和温度下,对CuO陶瓷粉体进行了冷烧结。结果表明:在400℃,540 MPa,w(低共熔溶剂)=10%的条件下,可获得相对密度为88.2%的CuO陶瓷。加入低共熔溶剂可以使CuO的相对密度相较于干压后提升19.4%,低共熔溶剂可以作为冷烧结CuO的中间液相。 展开更多
关键词 烧结 低共熔溶剂 氧化铜 溶解沉淀 相对密度
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冷烧结法固化垃圾焚烧飞灰铅浸出特性 被引量:3
11
作者 王兆丰 赵鹏 +2 位作者 景明海 张煜坤 冯雷 《环境污染与防治》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期44-48,53,共6页
利用冷烧结法对垃圾焚烧飞灰(以下简称飞灰)进行了铅固化研究,分析了含水量、温度、压力和时间等参数对飞灰中铅固化效果的影响。结果表明:随着温度、压力和时间的增加,固化体的抗压强度大体升高且铅浸出浓度降低,当含水量为20%时,抗压... 利用冷烧结法对垃圾焚烧飞灰(以下简称飞灰)进行了铅固化研究,分析了含水量、温度、压力和时间等参数对飞灰中铅固化效果的影响。结果表明:随着温度、压力和时间的增加,固化体的抗压强度大体升高且铅浸出浓度降低,当含水量为20%时,抗压强度达到最大。固化体的最小抗压强度为93.30MPa,最大抗压强度可达到233.23MPa。当温度为120℃、时间为100min、压力为50kN、含水量为15%时,固化体的铅浸出质量浓度为0.52mg/L,与飞灰相比降低了79.45%。 展开更多
关键词 垃圾焚烧飞灰 烧结 固化 抗压强度
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BaTiO_(3)陶瓷的低温冷烧结制备及性能研究 被引量:1
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作者 韦婷婷 徐华蕊 +7 位作者 朱归胜 龙神峰 张秀云 赵昀云 江旭鹏 宋金杰 郭宁杰 龚祎鹏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期903-910,共8页
近年来,冷烧结低温制备陶瓷引起了很大关注,并在BaTiO_(3)陶瓷的制备上取得了一定进展。为了提高冷烧结BaTiO_(3)陶瓷性能,本研究采用水热法制备了分散性好、粒径为100 nm的四方相(晶格参数c/a为1.0085)BaTiO_(3)粉末。采用0.1 mol/L的... 近年来,冷烧结低温制备陶瓷引起了很大关注,并在BaTiO_(3)陶瓷的制备上取得了一定进展。为了提高冷烧结BaTiO_(3)陶瓷性能,本研究采用水热法制备了分散性好、粒径为100 nm的四方相(晶格参数c/a为1.0085)BaTiO_(3)粉末。采用0.1 mol/L的乙酸在100℃/1 h的条件下对粉末进行水热活化处理。以质量分数10%Ba(OH)_(2)·8H_(2)O为熔剂,在350 MPa、400℃/1 h的条件下对粉体进行冷烧结,最后经600℃/0.5 h退火获得了相对密度为96.62%、晶粒尺寸为180 nm,常温介电(ε_(r))为2836,介电损耗(tanδ)低至0.03的BaTiO_(3)陶瓷。乙酸处理后高活性粉末表面形成的非晶钛层有效促进了陶瓷的致密化,抑制了杂相的生成和晶粒长大,提高了介电性能,大幅改善了冷烧结BaTiO_(3)陶瓷出现的介电弥散现象,从而实现了BaTiO_(3)陶瓷的低温冷烧结制备。 展开更多
关键词 纳米BaTiO_(3) 介电陶瓷 烧结 低温制备 介电性能
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冷烧结制备基于Nb_(2)CT_(X) MXene的微波吸收复相陶瓷 被引量:1
13
作者 王康靓 丁奇 范宇驰 《安全与电磁兼容》 2022年第2期39-45,共7页
在复合吸波材料中,层状二维金属碳化物/氮化物(MXene)材料以其高比表面积、高电导、轻质、低厚度等特性,通常可以作为理想的吸波剂。但是,由于MXene材料较差的高温热稳定性,传统高温烧结工艺制备的陶瓷很难实现和MXene的有效复合而不破... 在复合吸波材料中,层状二维金属碳化物/氮化物(MXene)材料以其高比表面积、高电导、轻质、低厚度等特性,通常可以作为理想的吸波剂。但是,由于MXene材料较差的高温热稳定性,传统高温烧结工艺制备的陶瓷很难实现和MXene的有效复合而不破坏MXene的结构。文章采用原位生长法合成Nb_(2)CT_(X)/EMT粉体,通过冷烧结工艺在300℃制备基于Nb_(2)CT_(X)的沸石陶瓷复合材料(Nb_(2)CT_(X)/ZC)。当Nb_(2)CT_(X)的添加量为10 wt%时,在3.3 mm的厚度下最低反射损耗可达-56.43 dB,有效频宽为2.4 GHz。此外,Nb_(2)CT_(X)的引入还提升了复相陶瓷的力学性能,当Nb_(2)CT_(X)添加量为10 wt%时,复合材料的平均抗弯强度为40.5 MPa;Nb_(2)CT_(X)添加量为15 wt%时,断裂韧性相较于基体提升了约140%。 展开更多
关键词 微波吸收 复相陶瓷 烧结 Nb_(2)CT_(X)MXene
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陶瓷材料冷烧结技术研究进展 被引量:1
14
作者 江润族 刘娟 《贵阳学院学报(自然科学版)》 2021年第4期60-66,共7页
传统烧结是在高温驱动力作用下,通过减小材料表面吉布斯自由能从而将粉体物料转变为致密块体的过程。但是,传统烧结工艺需要的温度较高,致使能耗较高。冷烧结作为近年发展起来的新的烧结工艺,与常规烧结方式相比存在巨大优势。综述了冷... 传统烧结是在高温驱动力作用下,通过减小材料表面吉布斯自由能从而将粉体物料转变为致密块体的过程。但是,传统烧结工艺需要的温度较高,致使能耗较高。冷烧结作为近年发展起来的新的烧结工艺,与常规烧结方式相比存在巨大优势。综述了冷烧结的研究背景、历程、工艺路线、作用机理与工艺参数等,分析阐述了陶瓷制备过程中冷烧结技术的应用前景,为冷烧结技术研究及开发应用提供参考。 展开更多
关键词 烧结 烧结机理 致密化行为 研究进展
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AlN微米晶高压下的晶粒演化研究 被引量:1
15
作者 李小雷 王红亮 +3 位作者 张勤善 王利英 李尚升 宿太超 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1313-1316,共4页
用六面顶压机研究了AlN微米粉体高压(2.0~6.0 GPa)下晶粒演化行为,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对高压样品的物相组成、晶粒尺寸以及微观形貌进行了表征.结果表明,在室温下,AlN压制体的相对密度随着压力的升高也相应增加,开气孔率... 用六面顶压机研究了AlN微米粉体高压(2.0~6.0 GPa)下晶粒演化行为,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对高压样品的物相组成、晶粒尺寸以及微观形貌进行了表征.结果表明,在室温下,AlN压制体的相对密度随着压力的升高也相应增加,开气孔率则呈下降趋势.经6.0 GPa压制后样品的相对密度达到88.72%,出现了"冷烧结"现象.高压作用后AlN微米晶的粒径变小,压力从常压升高到6.0 GPa时微粉的平均粒径由2.10μm下降到1.47μm,存在明显的压制碎化效应.该效应提高了AlN粉体的表面自由能,增强了粉体烧结的驱动力;另一方面,由于AlN粉末产生了一定的位错、裂纹等缺陷,还可以起到活化烧结的作用,提高AlN陶瓷的烧结速率. 展开更多
关键词 高压 ALN 压致碎化 烧结
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PZT陶瓷冷烧结工艺的优化与压电性能研究 被引量:1
16
作者 郭茹 马玉鹏 +3 位作者 张妍 ROSCOW James BOWEN RChris 张斗 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期3119-3127,共9页
为了提高冷烧结工艺制备的样品致密度,进而其增强压电性能,通过对PZT粉体进行表面修饰、优化PZT颗粒粒径搭配等手段室温化制备高压电系数PZT陶瓷,对PZT陶瓷冷烧结工艺进行优化。研究结果表明:通过Li2MoO4溶液对PZT原料粉体进行表面修饰... 为了提高冷烧结工艺制备的样品致密度,进而其增强压电性能,通过对PZT粉体进行表面修饰、优化PZT颗粒粒径搭配等手段室温化制备高压电系数PZT陶瓷,对PZT陶瓷冷烧结工艺进行优化。研究结果表明:通过Li2MoO4溶液对PZT原料粉体进行表面修饰,形成了厚度为150 nm的Li2MoO4包覆层,有利于冷烧结过程中颗粒重排和溶解−沉淀;采用(63,200)μm的粗颗粒和1~3μm的细颗粒搭配,使得细颗粒流动到粗颗粒桥接产生的缝隙和孔洞中,实现颗粒间紧密的连接,获得最高的密度(6.49 g/cm^3)和相对致密度(85.40%);致密度的提高使样品获得优异的介电和压电性能,在1 kHz时,相对介电常数和介电损耗分别为66.8和0.288;在110 Hz时,压电系数d33为71 pC/N。 展开更多
关键词 烧结 颗粒尺寸分布 致密度 压电系数 锆钛酸铅
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0-3型钛酸锶钡与聚四氟乙烯复合材料的冷烧结制备与介电性能研究
17
作者 应晓云 刘军 +2 位作者 乔文豪 周明 骆英 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2022年第7期2574-2583,共10页
0-3型钛酸锶钡(BST)与聚四氟乙烯(PTFE)复合材料是一种新型的陶瓷/高聚物功能复合材料,可以兼具BST材料与PTFE材料的优点,可表现出较高的介电常数和介电可调性。但是受聚合物相介电常数低的限制,常规方法(流延法)制备的以聚合物为基体,... 0-3型钛酸锶钡(BST)与聚四氟乙烯(PTFE)复合材料是一种新型的陶瓷/高聚物功能复合材料,可以兼具BST材料与PTFE材料的优点,可表现出较高的介电常数和介电可调性。但是受聚合物相介电常数低的限制,常规方法(流延法)制备的以聚合物为基体,以陶瓷为填充相的复合材料的介电常数基本在100以下。为了进一步提高BST/PTFE复合材料的介电性能,本研究采用一种新型烧结工艺——冷烧结工艺实现BST陶瓷与PTFE高聚物的共烧。在试验中以BST为基体,引入体积比例为5%的PTFE,并引入固相八水合氢氧化钡(Ba(OH)_(2)·8H_(2)O)作为过渡液相以辅助烧结过程进行,制备0-3型BST/PTFE复合材料,并探究了不同冷烧结条件下复合材料的介电性能。结果表明,复合材料样品在冷烧结温度为275℃,压力为200 MPa,时间为2.5 h的条件下,介电常数可达到500以上(25℃,1 kHz)。相对于常规制备工艺,冷烧结工艺制备出的复合材料的介电常数有很大改进,这对陶瓷/高聚物功能复合材料的低温制备与研究有一定参考意义。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 聚四氟乙烯 八水合氢氧化钡 烧结 微观形貌 介电性能
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钢铁典型工序流程节能技术新进展 被引量:30
18
作者 彭岩 曹先常 张玉柱 《中国冶金》 CAS 2017年第5期8-12,32,共6页
钢铁工业是典型的流程工业、耗能大户,烧结、焦化和炼铁等铁前三大工序能耗约占全流程钢铁能耗的70%,节能潜力巨大。结合流程工业系统优化与节能技术研发进展,介绍了钢铁典型工序流程节能技术的最新进展情况、新型工艺技术、关键技术问... 钢铁工业是典型的流程工业、耗能大户,烧结、焦化和炼铁等铁前三大工序能耗约占全流程钢铁能耗的70%,节能潜力巨大。结合流程工业系统优化与节能技术研发进展,介绍了钢铁典型工序流程节能技术的最新进展情况、新型工艺技术、关键技术问题及预期效果,有望进一步促进钢铁企业技术进步及结构调整。 展开更多
关键词 烧结 荒煤气显热 高炉熔渣 流程节能
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激光照明用YAG∶Ce-CaF_(2)荧光陶瓷的冷烧结制备
19
作者 段星 杨仕林 +2 位作者 杜甫 陈磊 魏贤华 《西南科技大学学报》 CAS 2024年第1期31-37,共7页
荧光陶瓷是激光照明的关键材料。为探究低温制备荧光陶瓷的可行性,采用冷烧结工艺在425℃成功制备了致密度高、晶粒尺寸均匀、相界分明的YAG∶Ce-CaF_(2)复合荧光陶瓷。结果表明:发光相与基体之间没有可检测到的界面反应;制备的荧光陶... 荧光陶瓷是激光照明的关键材料。为探究低温制备荧光陶瓷的可行性,采用冷烧结工艺在425℃成功制备了致密度高、晶粒尺寸均匀、相界分明的YAG∶Ce-CaF_(2)复合荧光陶瓷。结果表明:发光相与基体之间没有可检测到的界面反应;制备的荧光陶瓷具有较高的量子效率(74.3%)、较好的热导率(室温可达9.4 W·m^(-1)·K^(-1))、优异的热稳定性(在400 K时发光强度仅损失4.3%);在蓝光激光(451 nm)激发下,复合荧光陶瓷表现出良好的黄光发射,并展现出光通量为910.7 lm和流明效率为91.07 lm·W^(-1)的高亮度白色激光照明,其荧光寿命无衰减(66 ns),相关色温为4483~8247 K,显色指数为73.4~83.6。冷烧结工艺是低温条件下制备性能优良荧光陶瓷的新方法。 展开更多
关键词 激光照明 烧结工艺 YAG∶Ce-CaF_(2)荧光陶瓷
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冷烧结技术的研究现状及发展趋势 被引量:2
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作者 冯静静 章游然 +2 位作者 马名生 陆毅青 刘志甫 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期125-136,共12页
采用常规热烧结实现陶瓷粉体的致密化,烧结温度通常超过1000℃,这不仅需要消耗大量能源,还会使一些陶瓷材料在物相稳定性、晶界控制以及与金属电极共烧等方面面临挑战。近年来提出的冷烧结技术(Cold Sintering Process,CSP)可将烧结温... 采用常规热烧结实现陶瓷粉体的致密化,烧结温度通常超过1000℃,这不仅需要消耗大量能源,还会使一些陶瓷材料在物相稳定性、晶界控制以及与金属电极共烧等方面面临挑战。近年来提出的冷烧结技术(Cold Sintering Process,CSP)可将烧结温度降低至400℃以下,利用液相形式的瞬态溶剂和单轴压力,通过陶瓷颗粒的溶解-沉淀过程实现陶瓷材料的快速致密化。冷烧结技术具有烧结温度低和时间短等特点,自开发以来受到广泛关注,目前已应用于近百种陶瓷及陶瓷基复合材料,涉及电介质材料、半导体材料、压敏材料和固态电解质材料等。本文介绍了冷烧结技术的发展历程、工艺技术及其致密化机理,对其在陶瓷材料及陶瓷-聚合物复合材料领域的研究现状进行了综述,其中根据溶解性的差异主要介绍了Li2MoO4陶瓷、ZnO陶瓷和BaTiO3陶瓷的冷烧结现状。针对冷烧结技术工艺压力高的问题及可能的解决途径进行了探讨,并对冷烧结技术未来的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 烧结技术 陶瓷 复合材料 溶剂 综述
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