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光纤光栅的发展现状 被引量:2
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作者 戎小戈 《广西物理》 2001年第4期31-34,共4页
介绍光纤光栅的发展历史光纤光栅的写入方法及光纤光棚在光纤通信和光纤传感器的应用
关键词 光纤光栅 光纤能信 光纤传感器 写入方法
原文传递
基于生成矩阵变换的跨数据中心纠删码写入方法 被引量:6
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作者 包涵 王意洁 许方亮 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期291-305,共15页
近年来,为了避免数据因数据中心故障而永久丢失,各大机构开始尝试采用容错技术将数据存放在跨数据中心存储系统中.作为一种具有高容错性和低冗余度的容错技术,纠删码被广泛应用于单数据中心存储系统中.然而,在跨数据中心存储系统中,已... 近年来,为了避免数据因数据中心故障而永久丢失,各大机构开始尝试采用容错技术将数据存放在跨数据中心存储系统中.作为一种具有高容错性和低冗余度的容错技术,纠删码被广泛应用于单数据中心存储系统中.然而,在跨数据中心存储系统中,已有纠删码写入方法的网络资源消耗量大、编码效率低且传输效率低,这使得跨数据中心纠删码的写入速度难以适应于日益增长的数据生成速度.为提高跨数据中心纠删码的写入速度,提出了一种基于生成矩阵变换的跨数据中心纠删码写入方法(cross-datacenter erasure code writing method based on generator matrix transformation,CREW).通过对传输拓扑和生成矩阵进行优化,CREW可使写入过程中需要长距离传输的数据块尽可能地少,从而达到降低网络资源消耗量的目的.通过在数据中心间采用分布式的数据传输和数据编码、在各数据中心内部采用集中式的数据传输和数据编码,CREW可在编码效率和传输效率间取得较好权衡.在跨数据中心环境下的实验表明:与2种广泛使用的传统纠删码写入方法相比,CREW的写入速度提高了36.3%~57.9%;与现有的跨数据中心纠删码写入方法IncEncoding相比,CREW的写入速度提高了32.4%. 展开更多
关键词 跨数据中心存储 纠删码 容灾性 写入方法 容错技术
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长周期光栅机理与写入方法及实际应用
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作者 丁龙刚 《现代商贸工业》 2008年第4期257-258,共2页
对长周期光栅(long period fiber grating,LPFG)的形成机理和研究方法进行了分析,给出了研究的内容和参数以及这些参数与光栅周期、周期数、有效折射率的关系;研究并列举了当今先进的光栅写入方法,通过性能比较,得出了相关结论。经过搜... 对长周期光栅(long period fiber grating,LPFG)的形成机理和研究方法进行了分析,给出了研究的内容和参数以及这些参数与光栅周期、周期数、有效折射率的关系;研究并列举了当今先进的光栅写入方法,通过性能比较,得出了相关结论。经过搜集和研究给出了长周期光纤光栅在现代传感器和光纤通信中的最新应用进展。 展开更多
关键词 光栅 光纤通信 写入方法 传感器
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EPROM 写入方法对其特性的影响
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作者 徐学军 《长沙水电师院学报(自然科学版)》 1997年第2期187-190,共4页
EPROM写入方法对其特性的影响徐学军(湖南轻工业高等专科学校长沙410007)存储器是计算机的重要组成部分,它是用来存放数据和程序的.有了它计算机才具有记忆功能,从而实现程序存储技术.在实际过程中,一般把具有一定容... EPROM写入方法对其特性的影响徐学军(湖南轻工业高等专科学校长沙410007)存储器是计算机的重要组成部分,它是用来存放数据和程序的.有了它计算机才具有记忆功能,从而实现程序存储技术.在实际过程中,一般把具有一定容量,速度较快的存储器.作为内存储器... 展开更多
关键词 计算机 存储器 EPROM 写入方法
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基于流量预测的日志写入方法
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作者 齐实 黄小红 +1 位作者 马严 丛群 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第A01期129-134,共6页
为了解决校园网络日志存储中流量变化导致的机械硬盘平均访问时间长、波动大的问题,设计了一种通过流量预测进行日志写入的方法。首先,提出流量定界算法对流量进行划分为高峰期、中间期与低谷期。然后,利用BP神经网络对不同时期的流量... 为了解决校园网络日志存储中流量变化导致的机械硬盘平均访问时间长、波动大的问题,设计了一种通过流量预测进行日志写入的方法。首先,提出流量定界算法对流量进行划分为高峰期、中间期与低谷期。然后,利用BP神经网络对不同时期的流量数据进行训练,构建流量预测模型。最后,基于流量预测模型,设计日志存储算法。实验结果表明:与已有的日志写入方法相比较,基于流量预测的日志写入方法在流量高峰期时机械硬盘的平均访问时间从90 ms减小至59 ms以下,同时,平均访问时间的方差从224.5降至50.2。 展开更多
关键词 流量预测 日志存储 写入方法 平均访问时间
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一种抑制选通器耐受性退化的两步写入方法
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作者 李雨佳 唐建石 +5 位作者 高滨 许峰 李辛毅 张万荣 吴华强 钱鹤 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期434-439,共6页
为了抑制选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列在写操作过程中存在的选通器耐受性退化,对施加不同脉冲幅值和宽度的写入电压时HfO_(2)/Ag纳米点阈值开关选通器件的耐受性退化情况进行了测试和分子动力学模拟。结果表明,随着写入电压幅值和脉冲... 为了抑制选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列在写操作过程中存在的选通器耐受性退化,对施加不同脉冲幅值和宽度的写入电压时HfO_(2)/Ag纳米点阈值开关选通器件的耐受性退化情况进行了测试和分子动力学模拟。结果表明,随着写入电压幅值和脉冲宽度的增加,选通器耐受性下降。基于此结果,提出一种将选通器开启过程和阻变存储器写过程分开操作的1S1R阵列两步写入方法来降低写过程中选通器上的分压,抑制选通器耐受性的退化。仿真和测试结果表明,相较于一步写操作方法,采用两步写入方法后,选通器件耐受性提高了一个数量级。此外,采用两步写入方法后,阵列能耗可降低58%以上,有利于大规模阵列的应用。 展开更多
关键词 选通器 耐受性退化 选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列 写入方法 能耗
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