电子元器件内部水汽含量与密封性关系的研究 被引量：15

1

作者 王庚林 王莉研 董立军 《电子元器件应用》 2009年第2期78-81,共4页

通过对密封性氦质谱细检漏漏率公式和内部水汽含量公式的推演,并通过典型实例对电子元器件内部水汽含量公式进行了验证,同时对国内外军用标准漏率判据的计算标准进行了改进分析,研究发现:现行的中国和美国密封性军用标准的漏率判据普遍... 通过对密封性氦质谱细检漏漏率公式和内部水汽含量公式的推演,并通过典型实例对电子元器件内部水汽含量公式进行了验证,同时对国内外军用标准漏率判据的计算标准进行了改进分析,研究发现:现行的中国和美国密封性军用标准的漏率判据普遍保证不了几个月或更长贮存和使用时间的内部水汽含量要求,这必将危及密封电子元器件的可靠性,所以建议进一步开展研究,并修改有关密封性氦质谱细检漏的中国国家军用标准。 展开更多

关键词 氦质谱细检漏 漏率判据 内部水汽含量 可靠性 修改军用标准

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气密性封装内部水汽含量的控制 被引量：13

2

作者 丁荣峥 《电子与封装》 2001年第1期34-38,共5页

气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器件的可靠性,生产上不仅需要检测器件封装的气密性,而且需对器件内部水汽含量进行有效的控制。因国内许多... 气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器件的可靠性,生产上不仅需要检测器件封装的气密性,而且需对器件内部水汽含量进行有效的控制。因国内许多生产单位不具备对内部水汽含量进行有效控制的条件和检测设备,因而通过本文的讨论并采用有效防止水汽存在或引入器件的内部,使水汽含量控制在规定的范围内(GJB548A-96、GJB33A-97规定内部水汽含量为:100±5℃,烘24小时以上,小于5000ppmV,且这是最低要求)。因要使器件(未经钝化处理)无因水汽引起的失效,最稳妥的办法是使器件内部水汽含量小于500ppmv;实际上,对大多数器件内部水汽含量若能保持在1000ppmv 以下即能保证器件可靠运行。我们采用合金烧结芯片、合金封帽的器件其内部水汽含量控制在300ppmV 左右,聚合物导电胶装片、合金封帽的在1200ppmV 左右,银玻璃装片、Pb-Sn-Ag 合金封帽的在3000ppmV 左右,即便有某些偏差,亦能保证内部水汽含量控制在较低的范围内,使生产的器件可靠性大大提高,并能100%通过水汽含量检测。 展开更多

关键词 气密性 内部水汽含量 可靠性

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密封电子元器件内部水汽含量问题探讨 被引量：8

3

作者 徐爱斌 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第6期26-28,共3页

提出了国产密封电子元器件封装内部水汽含量高的问题,阐述了内部水汽对元器件性能与可靠性的 影响,探讨了降低内部水汽含量的主要技术途径。

关键词 密封电子元器件 内部水汽含量 达标

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元器件的封装气氛及内部材料物质对其内部水汽含量的影响 被引量：7

4

作者 许桂芳 《试验技术与试验机》 2004年第3期42-44,共3页

由于元器件的內部粘接材料的组成不同及其封装气氛的不良导致元器件内部水汽含量过高，会引起元器件内部锈蚀，氧化?贾略骷阅懿晃榷ǎ跋炱淇煽啃浴1疚耐ü芯恳恍┱辰硬牧系某煞荩霸骷姆庾捌眨哟罅康氖匝槭... 由于元器件的內部粘接材料的组成不同及其封装气氛的不良导致元器件内部水汽含量过高，会引起元器件内部锈蚀，氧化?贾略骷阅懿晃榷ǎ跋炱淇煽啃浴1疚耐ü芯恳恍┱辰硬牧系某煞荩霸骷姆庾捌眨哟罅康氖匝槭莘治鲋校教钟跋炷诓克坎缓细竦脑颉? 展开更多

关键词 内部水汽含量 元器件 封装 粘接材料 可靠性 气氛 性能 影响 不合格 原因

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导电胶固化状态对器件内部水汽含量的影响 被引量：2

5

作者 侯耀伟 杜勿默 王喆 《电子质量》 2023年第5期90-94,共5页

气密性封装器件的芯腔内部如果存在大量的水汽,则会影响器件的可靠性,因此在封装的过程中,要对器件内部的水汽含量进行控制。但是目前的控制措施主要是从封帽环境、原材料等方面入手,对导电胶固化状态对器件内部水汽含量的影响研究得较... 气密性封装器件的芯腔内部如果存在大量的水汽,则会影响器件的可靠性,因此在封装的过程中,要对器件内部的水汽含量进行控制。但是目前的控制措施主要是从封帽环境、原材料等方面入手,对导电胶固化状态对器件内部水汽含量的影响研究得较少。因此,首先,对比了不同固化状态导电胶的固化度和吸水率;然后,对不同固化状态对器件内部水汽含量的影响进行了研究。结果表明,充氮烘箱的装载量会影响导电胶的固化状态。当导电胶在300℃下的固化时间为30 min时,其固化度为100%,吸水率约为0.45%;当在300℃下的固化时间为10 min时,其固化度约为92%,吸水率约为0.94%。导电胶固化不充分时,其在温度循环和高温烘烤中会继续固化,并释放出少量的水汽和大量的二氧化碳。固化不充分的导电胶会在双85试验中吸收水汽,即使器件在封帽前会进行烘烤,吸收的水汽也未能完全排出,导致器件内部水汽含量升高。随着烘烤时间的增加,器件内部水汽含量逐渐地减少,当将烘烤时间延长至13 h时,可有效地去除固化不充分导电胶吸收的水汽,使水汽含量低于1000×10^(-6)。 展开更多

关键词 导电胶 内部水汽含量 封装 吸水率 固化度

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光电耦合器内部水汽含量控制 被引量：6

6

作者 胡琳 李应辉 +1 位作者 张怡 蒋城 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期202-204,共3页

分析了光电耦合器内部水汽的来源,在此基础上提出了降低产品内部水汽含量的方法,提高了元器件的质量和可靠性。对比了改进前后产品的内部水汽含量。

关键词 光电耦合器 内部水汽含量

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电子元器件内部水汽治理的实施与展望 被引量：5

7

作者 王闯 董磊 +2 位作者 张佳鑫 王莉 姜良 《航天工业管理》 2018年第11期40-42,共3页

元器件内部水汽含量超标会对元器件的性能、贮存寿命和可靠性带来严重影响,水汽含量超标造成的失效在元器件使用或贮存一段时间后才能发现,难以通过无损质量检验及在应用初期中发现,且一旦发现,一般为批次性质量问题,常常会给型号研制... 元器件内部水汽含量超标会对元器件的性能、贮存寿命和可靠性带来严重影响,水汽含量超标造成的失效在元器件使用或贮存一段时间后才能发现,难以通过无损质量检验及在应用初期中发现,且一旦发现,一般为批次性质量问题,常常会给型号研制生产带来进度拖延、质量成本大幅增加等严重后果,对航天型号产品质量可靠性构成严重威胁. 展开更多

关键词 内部水汽含量 电子元器件 质量可靠性 展望 治理 航天型号产品 贮存寿命 质量检验

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漏率公式与判据和内部气体含量的分析研究(一) 被引量：5

8

作者 王庚林 王莉研 董立军 《电子与封装》 2007年第9期34-39,共6页

在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用文中的... 在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用文中的公式对密封腔体内外气体的交换过程进行工程计算。计算分析了现行某些标准中各种试验条件漏率判据所对应的τHe,着重指出漏率符合接收判据并不能有效保证内部水汽含量要求。讨论了这些标准中进行的改进、存在的密封性等级及进一步改进的必要,并提出了建议进行研究的内容。 展开更多

关键词 密封性 氦质谱检漏 漏率公式 漏率判据 氦气交换时间常数 内部水汽含量

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氟硅凝胶对陶瓷封装隔离器漏电流的影响

9

作者 高成 李凯 +1 位作者 黄姣英 刘宇盟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期448-452,共5页

陶瓷封装隔离器具有高可靠性,灌胶可加强其绝缘性能,但还需要考虑灌胶对隔离器漏电流的影响。以GL3200C型陶瓷封装隔离器为研究对象,研究了氟硅凝胶通过内部水汽对陶瓷封装隔离器漏电流的影响,对隔离器在不同温度下进行稳定性烘焙10 h... 陶瓷封装隔离器具有高可靠性,灌胶可加强其绝缘性能,但还需要考虑灌胶对隔离器漏电流的影响。以GL3200C型陶瓷封装隔离器为研究对象,研究了氟硅凝胶通过内部水汽对陶瓷封装隔离器漏电流的影响,对隔离器在不同温度下进行稳定性烘焙10 h后测量其内部水汽含量,并分析内部水汽含量对隔离器漏电流的影响。结果表明,在不超过150℃的条件下,氟硅凝胶会分解产生烃类物质并释放至GL3200C封装内,但并不释放水汽,灌胶不会影响陶瓷封装隔离器的漏电流指标,满足隔离器的可靠性要求,但是存在稳定性不足和引入腐蚀性离子的风险。研究结果为工程应用上灌胶的选择提供了参考。 展开更多

关键词 氟硅凝胶 陶瓷封装隔离器 漏电流 内部水汽含量 腐蚀

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密封封装内部水汽含量判据研究 被引量：4

10

作者 杨晨 张素娟 《电子产品可靠性与环境试验》 2010年第5期18-22,共5页

密封封装内部的水汽对于半导体器件的可靠性是一种威胁,由此导致的硅表面铝金属线的腐蚀是一种主要的失效机理。为了防止密封封装内部发生腐蚀失效,从而提高器件的可靠性,美军标和我国国军标均给出了内部水汽含量的试验流程和判据。然... 密封封装内部的水汽对于半导体器件的可靠性是一种威胁,由此导致的硅表面铝金属线的腐蚀是一种主要的失效机理。为了防止密封封装内部发生腐蚀失效,从而提高器件的可靠性,美军标和我国国军标均给出了内部水汽含量的试验流程和判据。然而另一些研究表明,水汽的单独存在并不会导致铝线腐蚀失效。研究了水汽在密封器件的腐蚀失效机理中的作用,对硅表面铝线的腐蚀过程进行了数学描述,分析了目前标准中内部水汽含量判据,并给出了防止密封器件腐蚀失效的建议。 展开更多

关键词 密封封装 内部水汽含量 腐蚀 失效机理 集成电路可靠性

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内部水汽含量检测技术和低压封装限制 被引量：3

11

作者 阳辉 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第6期22-25,共4页

介绍了GJB 548 A方法1018规定的内部水汽含量的三种测定程序和原理以及所用的设备,并重点 介绍了程序1中的有关测试方法以及对内部封装压强的要求。

关键词 内部水汽含量 检测 设备 低压封装 电子元器件

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高可靠集成电路封装技术研究 被引量：3

12

作者 张知 《无线互联科技》 2014年第8期194-195,共2页

针对半导体模拟集成电路内部水汽含量大,不能满足装备对集成电路长期可靠性要求的现状,对陶瓷熔封、金属储能焊封两种封装技术进行了系统分析,针对可能导致器件内部水汽含量增大的主要原因,进行工艺研究,实现了有效控制器件内部水汽含... 针对半导体模拟集成电路内部水汽含量大,不能满足装备对集成电路长期可靠性要求的现状,对陶瓷熔封、金属储能焊封两种封装技术进行了系统分析,针对可能导致器件内部水汽含量增大的主要原因,进行工艺研究,实现了有效控制器件内部水汽含量的预定目标,使封装器件内部的水汽含量由10000-50000ppm提升到5000ppm以内的水平,大幅度提升器件封装的可靠性。 展开更多

关键词 集成电路 金属封装 陶瓷封装 内部水汽含量

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混合集成电路“单向泄漏”问题分析 被引量：1

13

作者 胡睿 张素娟 许桂芳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期301-304,共4页

混合集成电路“单向泄漏”问题是微电子工业中新近发现的问题,它通常出现在各种金属与玻璃封接的器件当中;然而,对于这些器件,很难发现“单向泄漏”问题的存在。文章通过对器件的密封性测试结果和内部水汽含量测试结果进行对比分析,引... 混合集成电路“单向泄漏”问题是微电子工业中新近发现的问题,它通常出现在各种金属与玻璃封接的器件当中;然而,对于这些器件,很难发现“单向泄漏”问题的存在。文章通过对器件的密封性测试结果和内部水汽含量测试结果进行对比分析,引出器件的“单向泄漏”问题;从原理上对这种现象的产生进行了分析,介绍了有效的密封检漏方法,并提出了对这个问题的改善办法。 展开更多

关键词 混合集成电路 单向泄漏 密封性 内部水汽含量

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石英晶体元件内部水汽含量的控制 被引量：1

14

作者 吕培青 史文香 《电子设计工程》 2014年第7期71-73,共3页

内部水汽含量值过高是直接影响石英晶体元件在高空、低温下工作稳定性的重要因素。针对按常规工艺生产的石英晶体元件,内部水汽含量远高于要求(小于5 000 ppmV)的现象,介绍采用一种特殊的加工工艺方法,通过试验验证采用该方法加工的产品... 内部水汽含量值过高是直接影响石英晶体元件在高空、低温下工作稳定性的重要因素。针对按常规工艺生产的石英晶体元件,内部水汽含量远高于要求(小于5 000 ppmV)的现象,介绍采用一种特殊的加工工艺方法,通过试验验证采用该方法加工的产品,明显改善了其内部水汽的含量,满足了GJB548A-96、GJB33A-97等国家标准规定的电子元器件水汽含量建议范围:100℃±5℃,烘焙24小时以上,小于5 000 ppmV的要求。从而达到提升石英晶体元件在高空、低温下工作稳定性的目的。 展开更多

关键词 石英晶体 内部水汽含量 控制 加工工艺

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漏率公式与判据和内部气体含量的分析研究(二)

15

作者 王庚林 王莉研 董立军 《电子与封装》 2007年第10期44-46,共3页

在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用本文的... 在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用本文的公式对密封腔体内外气体的交换过程进行工程计算。计算分析了现行我国国家标准和美国标准各种试验条件漏率判据所对应的τHe,着重指出漏率符合接收判据并不能有效保证内部水汽含量要求。讨论了这些标准中进行的改进、存在的密封性等级及进一步改进的必要,并提出了建议进行研究的内容。 展开更多

关键词 密封性 氦质谱检漏 漏率公式 漏率判据 氦气交换时间常数 内部水汽含量

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玻璃封帽内部水汽控制技术

16

作者 郭伟 陈陶 《电子与封装》 2014年第7期12-13,39,共3页

重点介绍采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(CerQFP64)封装的集成电路水汽超标的原因。根据此种外壳的特殊性,通过采用特殊的高温烘烤处理措施,使采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(尤其对超过保质期的外壳)封装的电路内部水汽由原来的>5 000×10... 重点介绍采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(CerQFP64)封装的集成电路水汽超标的原因。根据此种外壳的特殊性,通过采用特殊的高温烘烤处理措施,使采用黑瓷低温玻璃陶瓷外壳(尤其对超过保质期的外壳)封装的电路内部水汽由原来的>5 000×10-6,降低到2 000×10-6以下。 展开更多

关键词 黑瓷低温玻璃外壳 气密性封装 内部水汽含量

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漏率公式与判据和内部气体含量的分析研究(三)

17

作者 王庚林 王莉研 董立军 《电子与封装》 2007年第11期45-48,共4页

在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用本文的... 在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用本文的公式对密封腔体内外气体的交换过程进行工程计算。计算分析了现行我国国家标准和美国标准各种试验条件漏率判据所对应的τHe,着重指出漏率符合接收判据并不能有效保证内部水汽含量要求。讨论了这些标准中进行的改进、存在的密封性等级及进一步改进的必要,并提出了建议进行研究的内容。 展开更多

关键词 密封性 氦质谱检漏 漏率公式 漏率判据 氦气交换时间常数 内部水汽含量

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国产光电耦合器密封试验和内部水汽含量检测结果分析

18

作者 徐爱斌 李少平 +1 位作者 欧叶芳 郑廷圭 《电子产品可靠性与环境试验》 1999年第4期20-21,共2页

本文对国内三个光电耦合器主要生产厂家的多种型号品种气密封装光电耦合产品开展了密封试验和内部水汽含量检测，并着重对试验结果进行了分析讨论。

关键词 光电耦合器 密封试验 内部水汽含量 检测

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电子元器件内部水汽含量分析技术

19

作者 王晖 《生产技术与工艺管理》 2000年第2期35-38,共4页

本文介绍了开展内部气氛分析技术的背景，分析了内部气氛对电子元器件性能的影响。介绍了ＴＶＡ１１０－Ｓ内部气氛分析仪的基本配置、主要用途和特点。并指出我国元器件存在的主要问题和需要进一步开展的研究工作。

关键词 内部气氛分析仪 电子元器件 内部水汽含量分析

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做好DPA保证可靠性

20

作者 邓永孝 《质量与可靠性》 1999年第1期14-16,共3页

DPA是破坏性物理分析的简称,它是航天总公司为了保证航天型号的可靠性,在元器件方面采取的重大措施。1998年度航天发射任务取得了圆满成功,可以充分说明这一措施是十分有效的。

关键词 破坏性物理分析 工艺缺陷 失效分析 元器件 钝化层 内部水汽含量检测 金属化 设计缺陷 扫描电镜检查 使用可靠性

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