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多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计
被引量：
2
1
作者
纪世阳
李牧菊
+1 位作者
王宗凯
杨柏梁
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第3期203-208,共6页
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题 ,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏 ,增加晶体管的开关电流比值。通过模拟轻掺杂区不同的物理参数 ,如掺杂浓度及掺杂区宽度等 ,研究薄膜晶体管的开关电流比值。由此确...
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题 ,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏 ,增加晶体管的开关电流比值。通过模拟轻掺杂区不同的物理参数 ,如掺杂浓度及掺杂区宽度等 ,研究薄膜晶体管的开关电流比值。由此确定像素各部分的尺寸 ,对液晶显示器件进行优化设计。
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关键词
液晶显示
多晶硅薄膜晶体管
优化设计
源漏轻掺杂液
关
态
漏电
流
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职称材料
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究
被引量：
1
2
作者
吴昱操
罗萍
蒋鹏凯
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第3期429-433,共5页
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;...
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性。同时,小宽长比8型栅饱和漏极电流的差异来源于栅源重叠宽度的不同,大宽长比8型栅饱和漏极电流的大小不再受到栅源重叠宽度的影响;180nm工艺下不同几何尺寸8型的栅阈值电压在测试中都稳定在0.41V,显著优于直栅。
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关键词
8型栅NMOS
辐射总剂量
几何尺寸
关
态
漏电
流
饱和漏极电
流
阈值电压
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职称材料
新型抗总剂量效应版图的加固器件
3
作者
朴巍
单婵
刘彦娟
《电子技术与软件工程》
2017年第3期130-131,132,共3页
本文设计了一种新型的抗辐射Z棚MDS器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环棚MDS器件相比,具有较小的版图面,较小的栅电阻,并且对于器件沟道宽长比设计不受限。通过与非抗辐射结构条棚MDS器件和抗辐射结构环棚MDS器件的I_d-V_g曲线进...
本文设计了一种新型的抗辐射Z棚MDS器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环棚MDS器件相比,具有较小的版图面,较小的栅电阻,并且对于器件沟道宽长比设计不受限。通过与非抗辐射结构条棚MDS器件和抗辐射结构环棚MDS器件的I_d-V_g曲线进行对比,验证了Z棚MDS器件的抗辐射性能,可达到辐射剂量为500krad(Si)的加固水平,满足大多数对器件加固水平的要求。此外,对比了器件在辐射前后的阈值电压,进一步验证了Z棚MDS器件能够有效减小由于总剂量(TID)效应引起的器件特性变化。所有仿真结构通过Sentaurus TCAD对器件进行三维仿真得到。
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关键词
总剂量效应
NMDSFET
版图
阈值电压
关
态
漏电
流
浅沟槽隔离
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职称材料
一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究
4
作者
陈鑫
袁培
+3 位作者
徐云龙
杨春城
张健
李传南
《半导体光电》
CAS
北大核心
2015年第6期993-998,共6页
OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定。通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两...
OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定。通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18cd/m^2。电路可实现的最小OLED驱动电流为25pA,像素亮度范围为1.82~217.37cd/m^2。
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关键词
微显示
OLED
像素驱动电路
关
态
漏电
流
存储电压
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职称材料
题名
多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计
被引量：
2
1
作者
纪世阳
李牧菊
王宗凯
杨柏梁
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
北方液晶工程研究开发中心
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第3期203-208,共6页
基金
中国科学院"九五"重大资助项目 (KY95 1 -A1 -5 0 2 )
吉林省"九五"科技攻关项目 (970 1 0 3 -0 1 )
国家自然科学基金资助项目 (698760 40 )
文摘
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题 ,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏 ,增加晶体管的开关电流比值。通过模拟轻掺杂区不同的物理参数 ,如掺杂浓度及掺杂区宽度等 ,研究薄膜晶体管的开关电流比值。由此确定像素各部分的尺寸 ,对液晶显示器件进行优化设计。
关键词
液晶显示
多晶硅薄膜晶体管
优化设计
源漏轻掺杂液
关
态
漏电
流
Keywords
liquid crystal displays
lightly-doped-drain
optimum design
polysilicon thin film transistor
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究
被引量：
1
2
作者
吴昱操
罗萍
蒋鹏凯
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第3期429-433,共5页
基金
预研资助项目(1126190601A)。
文摘
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性。同时,小宽长比8型栅饱和漏极电流的差异来源于栅源重叠宽度的不同,大宽长比8型栅饱和漏极电流的大小不再受到栅源重叠宽度的影响;180nm工艺下不同几何尺寸8型的栅阈值电压在测试中都稳定在0.41V,显著优于直栅。
关键词
8型栅NMOS
辐射总剂量
几何尺寸
关
态
漏电
流
饱和漏极电
流
阈值电压
Keywords
8-shape NMOS
TID
geometric size
off-state leakage current
drain saturation current
threshold voltage
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
新型抗总剂量效应版图的加固器件
3
作者
朴巍
单婵
刘彦娟
机构
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
出处
《电子技术与软件工程》
2017年第3期130-131,132,共3页
文摘
本文设计了一种新型的抗辐射Z棚MDS器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环棚MDS器件相比,具有较小的版图面,较小的栅电阻,并且对于器件沟道宽长比设计不受限。通过与非抗辐射结构条棚MDS器件和抗辐射结构环棚MDS器件的I_d-V_g曲线进行对比,验证了Z棚MDS器件的抗辐射性能,可达到辐射剂量为500krad(Si)的加固水平,满足大多数对器件加固水平的要求。此外,对比了器件在辐射前后的阈值电压,进一步验证了Z棚MDS器件能够有效减小由于总剂量(TID)效应引起的器件特性变化。所有仿真结构通过Sentaurus TCAD对器件进行三维仿真得到。
关键词
总剂量效应
NMDSFET
版图
阈值电压
关
态
漏电
流
浅沟槽隔离
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究
4
作者
陈鑫
袁培
徐云龙
杨春城
张健
李传南
机构
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
中国人民解放军
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2015年第6期993-998,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61177025)
国家"973"计划项目(2010CB327701)
吉林省科技发展计划项目(20130102009JC)
文摘
OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定。通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18cd/m^2。电路可实现的最小OLED驱动电流为25pA,像素亮度范围为1.82~217.37cd/m^2。
关键词
微显示
OLED
像素驱动电路
关
态
漏电
流
存储电压
Keywords
microdisplay
OLED
pixel circuit
off-state leakage current
storage voltage
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计
纪世阳
李牧菊
王宗凯
杨柏梁
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001
2
下载PDF
职称材料
2
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究
吴昱操
罗萍
蒋鹏凯
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
3
新型抗总剂量效应版图的加固器件
朴巍
单婵
刘彦娟
《电子技术与软件工程》
2017
0
下载PDF
职称材料
4
一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究
陈鑫
袁培
徐云龙
杨春城
张健
李传南
《半导体光电》
CAS
北大核心
2015
0
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职称材料
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