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CIGS薄膜材料研究进展
被引量:
10
1
作者
肖健平
何青
+1 位作者
陈亦鲜
夏明
《西南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
2008年第1期189-193,共5页
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中...
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法.
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关键词
CIGS薄膜
共蒸发
三
步法
溅射后硒化
下载PDF
职称材料
共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程
被引量:
5
2
作者
刘芳芳
张力
何青
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1519-1523,共5页
本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键。本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电...
本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键。本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程。
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关键词
CIGS薄膜
共蒸发
三
步法
相变过程
下载PDF
职称材料
Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程
被引量:
4
3
作者
刘芳芳
张力
何青
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期385-391,共7页
CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,...
CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.
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关键词
CIGS薄膜
共蒸发
三
步法
相变过程
原文传递
题名
CIGS薄膜材料研究进展
被引量:
10
1
作者
肖健平
何青
陈亦鲜
夏明
机构
西南民族大学电气信息工程学院
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《西南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
2008年第1期189-193,共5页
文摘
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法.
关键词
CIGS薄膜
共蒸发
三
步法
溅射后硒化
Keywords
CIGS thin film
Three-stage co-evaporation process
sputtering and selenization technique
分类号
O56 [理学—原子与分子物理]
下载PDF
职称材料
题名
共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程
被引量:
5
2
作者
刘芳芳
张力
何青
机构
南开大学薄膜器件与技术研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1519-1523,共5页
基金
国家自然科学基金(61144002)
中央高校基本科研业务费专项资金(65010351)
文摘
本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键。本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程。
关键词
CIGS薄膜
共蒸发
三
步法
相变过程
Keywords
CIGS film
co-evaporation "three-stage process"
phase transformation
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程
被引量:
4
3
作者
刘芳芳
张力
何青
机构
南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期385-391,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:61144002)资助的课题~~
文摘
CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.
关键词
CIGS薄膜
共蒸发
三
步法
相变过程
Keywords
CIGS film, co-evaporation "three-stage process", phase transformation
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CIGS薄膜材料研究进展
肖健平
何青
陈亦鲜
夏明
《西南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
2008
10
下载PDF
职称材料
2
共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程
刘芳芳
张力
何青
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
3
Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程
刘芳芳
张力
何青
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
原文传递
已选择
0
条
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