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题名量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性
被引量：1
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作者
朱彬
韩勤
杨晓红
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机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1074-1079,共6页
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基金
中国高技术研究与发展计划(2007AA032421)
中国重点基础研究发展计划(2006CB302802)资助
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文摘
通过测量1.55μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素.
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关键词
共振腔增强型光电探测器
高功率
复合
势垒高度
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Keywords
Resonant-cavity-enhanced photodetector
High-power
Recombination
Barrier height
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分类号
TN36
[电子电信—物理电子学]
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题名光探测与器件
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第6期46-47,共2页
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文摘
TN36 2003064295GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展=Researchprogress in solar-blind GaN-based semiconductor UV detec- tors[刊,中]/苑进社(西安交通大学应用物理系.陕西,西安(710049)),陈光德…∥半导体光电.-2003,24(1).-5-11基于半导体紫外光探测器的基本类型,在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时,综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开发现状。
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关键词
紫外探测器
半导体
研究进展
紫外光探测器
太阳盲区
研究开发现状
基本类型
应用物理
西安交通大学
共振腔增强型光电探测器
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分类号
TN23
[电子电信—物理电子学]
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