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共封装硒肽和VE微胶囊制备及其理化特性
1
作者 蔡杰 方媛 +3 位作者 贾继来 张碟 丛欣 程水源 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期181-190,共10页
通过乳化-冷冻干燥联合技术构建微胶囊体系,以实现对具有不同极性的物质(亲水性硒肽和亲脂性VE)的稳态化共封装。以包埋率作为参考,通过单因素试验考察壁材浓度、硒肽和VE含量等工艺参数对包埋效果的影响。傅里叶变换红外光谱和扫描电... 通过乳化-冷冻干燥联合技术构建微胶囊体系,以实现对具有不同极性的物质(亲水性硒肽和亲脂性VE)的稳态化共封装。以包埋率作为参考,通过单因素试验考察壁材浓度、硒肽和VE含量等工艺参数对包埋效果的影响。傅里叶变换红外光谱和扫描电子显微镜图像表明微胶囊能够有效封装硒肽和VE,并且具有较好的水分散性,复溶后仍保持双重乳液结构。热稳定性分析和2,2’-联氮双(3-乙基苯并噻唑啉-6-磺酸)阳离子自由基清除实验结果证实,相比于硒肽粉末,微胶囊具有更高的热稳定性和抗氧化活性。电子鼻分析结果进一步证实微胶囊体系对硒肽自身异味具有较好的遮掩效果。体外模拟消化实验表明,微胶囊封装提高了硒肽在模拟胃液中的稳定性,并且硒肽在模拟肠液具有更低的保留率,能够被有效释放。相关研究结论将为富硒功能性食品营养补充剂的开发提供理论依据。 展开更多
关键词 硒肽 VE 共封装 乳液 微胶囊
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基于硅转接板的光电混合集成共封装技术研究 被引量：4
2
作者 隗娟 刘丰满 +4 位作者 薛海韵 孙瑜 何慧敏 李志雄 曹立强 《微纳电子与智能制造》 2019年第3期126-130,共5页
基于硅基光电子技术和产业发展趋势,结合微电子集成电路封装发展现状,紧紧围绕高速、高密度、低功耗互连与计算对光、电集成技术研究的迫切需求,概述光子集成电路(PIC)与电子集成电路(EIC)共封装集成的TSV、凸点、组装等关键工艺技术。... 基于硅基光电子技术和产业发展趋势,结合微电子集成电路封装发展现状,紧紧围绕高速、高密度、低功耗互连与计算对光、电集成技术研究的迫切需求,概述光子集成电路(PIC)与电子集成电路(EIC)共封装集成的TSV、凸点、组装等关键工艺技术。采用协同设计方法,利用成熟微电子封装工艺进行光电组件的集成,实现EIC和PIC器件的封装内集成,有利于开发完整的硅光子芯片与集成电路协同封装制造工艺与设计技术,加速突破性能和成本障碍,推动光电集成技术的快速发展。 展开更多
关键词 硅光子 共封装 混合集成 硅转接板 凸点
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大数据时代光电共封技术的机遇与挑战 被引量：2
3
作者 卞玲艳 曾燕萍 +5 位作者 蔡莹 陆霄 周倩蓉 唐清林 顾廷炜 王辂 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2024年第9期65-76,共12页
人工智能和大数据时代对数据存储、传输和处理能力的需求日益增加,数据传输所需带宽和通信速率也随之增加。然而系统级封装中的电互连受到介质材料、传输速率的影响,表现出强烈的损耗、反射、延迟和串扰等现象,无法满足日益增加的带宽... 人工智能和大数据时代对数据存储、传输和处理能力的需求日益增加,数据传输所需带宽和通信速率也随之增加。然而系统级封装中的电互连受到介质材料、传输速率的影响,表现出强烈的损耗、反射、延迟和串扰等现象,无法满足日益增加的带宽和通信速率的需求。光电共封装技术基于先进封装技术将光模块和电芯片共同封装在同一封装体内,缩短了光模块和电芯片之间的互连长度,减小了寄生效应,具有宽频带、抗电磁干扰、低传输损耗和小功耗等明显优势,成为了近年来的研究热点。本文论述了光电共封装的基本概念、优势特性,梳理了基于2D、2.5D和3D封装的典型技术和国内外最新进展,分析了作为新一代封装技术所面临的挑战。 展开更多
关键词 光电共封装 2.5D/3D集成 光通信 光电集成 先进封装
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高速高密度光电共封装技术 被引量：5
4
作者 孙瑜 刘丰满 薛海韵 《中兴通讯技术》 2018年第4期27-32,共6页
分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转... 分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转接板样品。还提出了一种新型基于有机基板工艺的3D光电共封装结构,该结构相比其他2.5D和3D结构尺寸更小、更薄,设计更灵活。对该结构进行了工艺验证,制作了光探测器(PD)与跨阻放大器(TIA)共同集成的三维光电共封装样品。 展开更多
关键词 光电共封装 光电封装 混合集成 三维封装
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片间光电融合技术分析
5
作者 孙佳琪 宋艳飞 王睿哲 《中国集成电路》 2024年第5期19-23,45,共6页
本文概述了片间光电融合技术发展现状及趋势。在5G、人工智能等应用场景驱动下,片间光互联成为实现芯片之间信息交互的重要方式之一。其中,硅基光电子技术和光电共封装技术发挥了重要作用。本文回顾了光电共封装技术以及激光器、硅基光... 本文概述了片间光电融合技术发展现状及趋势。在5G、人工智能等应用场景驱动下,片间光互联成为实现芯片之间信息交互的重要方式之一。其中,硅基光电子技术和光电共封装技术发挥了重要作用。本文回顾了光电共封装技术以及激光器、硅基光电探测器和硅基电光调制器发展现状和面临挑战,并结合硅基光电子产业情况提出相关建议,以期为推动我国集成电路产业向高质量发展提供参考和借鉴。 展开更多
关键词 硅基光电子 光电共封装 激光器 硅基光电探测器 硅基电光调制器
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用于共封装光学的高功率连续波DFB激光器
6
作者 刘耀 黄永光 +1 位作者 张瑞康 刘祎慧 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第2期267-272,共6页
为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求,设计了一种波长在1310 nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片。通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层,实... 为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求,设计了一种波长在1310 nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片。通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层,实现光模场向n型包层下移,减小远场发散角的同时降低了量子阱区的光限制因子和整体的光吸收损耗,制作的激光器可以实现高斜率效率、非致冷高温高功率工作。测试结果显示,该激光器在25℃下,阈值电流为20 mA,斜率效率为0.46 W/A,输出功率为173 mW@400 mA;当注入电流为300 mA时,激光器的水平和竖直发散角分别是15.2°和19.1°,边模抑制比大于55 dB,洛伦兹线宽小于600 kHz,相对强度噪声(RIN)小于-155 dB/Hz;在85℃高温下,激光器阈值电流为32 mA,输出功率达到112 mW@400 mA。 展开更多
关键词 共封装光学 连续波 多量子阱 ALGAINAS 分布反馈激光器
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基于LTCC厚薄膜混合基板的Ka波段T/R组件封装技术 被引量：5
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作者 崔鲁婧 张兆华 +1 位作者 胡永芳 纪乐 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2017年第9期86-89,共4页
收发组件的集成封装技术是毫米波二维有源相控阵领域应用研究的重点和难点。文中采用基于低温共烧陶瓷厚薄膜混合基板制造工艺技术,同时结合先进的微组装工艺,实现了Ka波段八单元组件的高精度、高密度及气密封装;给出了收发组件的封装模... 收发组件的集成封装技术是毫米波二维有源相控阵领域应用研究的重点和难点。文中采用基于低温共烧陶瓷厚薄膜混合基板制造工艺技术,同时结合先进的微组装工艺,实现了Ka波段八单元组件的高精度、高密度及气密封装;给出了收发组件的封装模型,通过仿真与实测对比着重分析了垂直互联、功率分配/合成网路及通道隔离的提升等关键技术,并测试了无源组件的微波性能。结果表明:该集成封装技术能够满足二维毫米波相控阵天线对T/R组件小型轻量化和高组装密度的技术要求。 展开更多
关键词 毫米波 收发组件 低温共烧陶瓷封装 垂直过渡
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