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TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究
被引量：
3
1
作者
吕耀朝
林鸿涛
+8 位作者
陈曦
杨虹
刘耀
张洪林
贠向南
刘文瑞
吴洪江
王进
廖加敏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期625-630,共6页
线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内...
线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm^2降到37μm^2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。
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关键词
线残像
公共
电压
畸变
背板设计
下载PDF
职称材料
TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究
被引量：
3
2
作者
林鸿涛
陈曦
+3 位作者
庄子华
赖意强
袁剑峰
邵喜斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期277-284,共8页
为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同...
为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。
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关键词
公共
电极
电压
畸变
交叠和侧向电容
介电常数
线残像
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职称材料
题名
TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究
被引量：
3
1
作者
吕耀朝
林鸿涛
陈曦
杨虹
刘耀
张洪林
贠向南
刘文瑞
吴洪江
王进
廖加敏
机构
福州京东方光电科技有限公司
北京京东方显示技术有限公司
京东方科技集团股份有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期625-630,共6页
文摘
线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm^2降到37μm^2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。
关键词
线残像
公共
电压
畸变
背板设计
Keywords
line image sticking
distortion of common voltage
array mask design
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究
被引量：
3
2
作者
林鸿涛
陈曦
庄子华
赖意强
袁剑峰
邵喜斌
机构
福州京东方光电科技有限公司
重庆京东方光电科技有限公司
京东方科技集团股份有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期277-284,共8页
文摘
为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。
关键词
公共
电极
电压
畸变
交叠和侧向电容
介电常数
线残像
Keywords
common voltage distortion（Vcom distortion）
overlap and side capacitance
permittivity
line image sticking
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究
吕耀朝
林鸿涛
陈曦
杨虹
刘耀
张洪林
贠向南
刘文瑞
吴洪江
王进
廖加敏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
下载PDF
职称材料
2
TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究
林鸿涛
陈曦
庄子华
赖意强
袁剑峰
邵喜斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
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职称材料
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