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题名低功耗高性能的全MOS电压基准源设计
被引量：4
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作者
仲召扬
李严
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机构
北京信息科技大学理学院
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出处
《微处理机》
2020年第3期1-4,共4页
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基金
北京信息科技大学教改项目(2020JGYB41)。
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文摘
设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区。基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标。
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关键词
亚阈值
全mos
电压基准源
低功耗
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Keywords
Subthreshold
All-mos
Voltage reference
Low power consumption
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源
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作者
周勇
胡云斌
胡刚毅
沈晓峰
顾宇晴
倪亚波
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机构
重庆大学光电工程学院
模拟集成电路重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第3期355-358,共4页
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文摘
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在0.9~3V变化时,该电压源均可正常工作,输出电压约为558mV。1.2V电源电压下,在-55℃~100℃温度范围内,该电压源的温度系数为2.3×10-5/℃,低频电源抑制比为-81dB,总功耗约为127nW。
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关键词
低温度系数
高电源抑制比
全mos
超低功耗
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Keywords
Low temperature coefficient
High PSRR
All mos
Ultra low power
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种全MOS型超低功耗基准电压源设计
被引量：1
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作者
周勇
胡刚毅
沈晓峰
胡云斌
顾宇晴
陈遐迩
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机构
重庆大学
模拟集成电路重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第2期164-167,共4页
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文摘
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃~125℃,该基准源的温度系数为2.67×10^(-5)/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。
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关键词
全mos带隙基准源
超低功耗
低温度系数
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Keywords
All mos voltage reference
Ultra-low consumption
Low temperature coefficient
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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