本文报道了空间差分光调制反射光谱 ,指出了它与常规光调制反射谱的区别。与常规光调制反射光谱相比较 ,它具有更好的信噪比和灵敏度。利用该光谱方法对 Ga As/ Al Ga As量子阱的实验测量结果表明 ,空间差分光调制反射光谱具有丰富的光...本文报道了空间差分光调制反射光谱 ,指出了它与常规光调制反射谱的区别。与常规光调制反射光谱相比较 ,它具有更好的信噪比和灵敏度。利用该光谱方法对 Ga As/ Al Ga As量子阱的实验测量结果表明 ,空间差分光调制反射光谱具有丰富的光谱结构。展开更多
用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件...用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .展开更多
文摘用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .
