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氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究 被引量：1
1
作者 王广民 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期44-47,共4页
报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．... 报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 带隙态密度 光诱导变化
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扩散硅压力传感器失效研究
2
作者 刘炳 林杰锋 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第3期48-55,共8页
扩散硅压力传感器具有精度高、利于小型化和智能化等特点而被广泛使用。针对该类传感器出现的不同失效模式,合理采用X射线检测系统、OBIRCH定位、荧光定位和SEM&EDS等技术,可以快速准确地定位失效位置。列举了芯片破裂、过电击穿、... 扩散硅压力传感器具有精度高、利于小型化和智能化等特点而被广泛使用。针对该类传感器出现的不同失效模式,合理采用X射线检测系统、OBIRCH定位、荧光定位和SEM&EDS等技术,可以快速准确地定位失效位置。列举了芯片破裂、过电击穿、腐蚀迁移和连接不良等典型的失效案例,并介绍了在实际分析过程中如何应用上述定位分析手段,对分析类似失效案例起到了一定的参考作用。 展开更多
关键词 扩散硅压力传感器 失效分析 荧光定位 光诱导电阻变化 X射线
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彩虹缺陷的失效验证方法及机理分析 被引量：2
3
作者 龚瑜 黄彩清 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期311-319,共9页
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并... 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹效应对集成电路的电性能参数的影响。同时,借用FIB,EDS,XPS等物理分析方法,揭示了彩虹效应的失效机理。该案例展示了EMMI,OBIRCH在集成电路内部缺陷无损定位和分析的作用,为边缘缺陷的验证提供技术手段。 展开更多
关键词 彩虹效应 失效定位 集成电路 微光显微镜 光诱导电阻变化
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由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析 被引量：4
4
作者 刘楠 刘大鹏 +1 位作者 张辉 祝伟明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期468-472,共5页
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器... 随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。 展开更多
关键词 栅氧损伤 闩锁效应 可控硅(SCR) 微光显微镜(EMMI)技术 激光诱导阻值变化 ( OBIRCH) 技术
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