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提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池光稳定性的研究 被引量：6
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作者 侯国付 卢鹏 +4 位作者 韩晓艳 李贵君 魏长春 耿新华 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期500-504,共5页
如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅... 如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅烷浓度梯度对叠层电池光稳定性的影响.经过初步优化,连续光照1000 h后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7%. 展开更多
关键词 光致稳定性 非晶硅/微晶硅叠层太阳电池 硅烷浓度梯度 隧穿结
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