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均匀掺杂GaAs材料光电子的输运性能研究 被引量：2
1
作者 任玲 常本康 +1 位作者 侯瑞丽 王勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期595-601,共7页
通过建立原子结构的理论模型和电离杂质散射理论公式,研究了光电子在透射式均匀掺杂GaAs光电阴极体内的输运过程,分析了光电阴极的掺杂浓度、发射层厚度、电子扩散长度等相关因素对阴极出射面的弥散圆斑以及到达阴极出射面的光电子数与... 通过建立原子结构的理论模型和电离杂质散射理论公式,研究了光电子在透射式均匀掺杂GaAs光电阴极体内的输运过程,分析了光电阴极的掺杂浓度、发射层厚度、电子扩散长度等相关因素对阴极出射面的弥散圆斑以及到达阴极出射面的光电子数与激发光电子总数之比的影响.计算结果表明,当透射式均匀掺杂GaAs光电阴极发射层厚度为2μm、电子扩散长度为3.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3时,其极限线分辨率为769mm-1.此GaAs材料光电子的输运性能研究,对制备高性能GaAs光电阴极和提高微光像增强器的分辨率有重要的参考价值. 展开更多
关键词 GAAS光电阴极 光电子输运 弥散圆斑 分辨率
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变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究 被引量：1
2
作者 杜晓晴 田健 常本康 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第F12期12-16,共5页
为了提高GaN阴极的紫外探测效率，提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构，采用超高真空（Cs，0）激活工艺进行了阴极制备，对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行了测试与比较。与传统具有均匀... 为了提高GaN阴极的紫外探测效率，提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构，采用超高真空（Cs，0）激活工艺进行了阴极制备，对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行了测试与比较。与传统具有均匀掺杂结构的GaN阴极相比，这种变掺杂结构的阴极在反射工作模式下具有更高的量子效率（量子效率平均提高了30％）和更好的长波紫外响应特性（长波响应提高了43％）。通过比较变掺杂与均匀掺杂阴极在能带结构、光电子体内输运效率、光电子表面发射效率等特性上的差异，对变掺杂GaN光电阴极获得更高量子效率的机理进行了分析。 展开更多
关键词 测量 紫外探测 GAN光电阴极 变掺杂结构 量子效率 光电子输运
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