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金属基底上吡咯光电化学聚合的研究 被引量:2
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作者 陈衍珍 许可扬 田昭武 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1991年第5期589-592,共4页
近年来,国内外对聚吡咯已进行广泛的研究,主要内容包括:电化学聚合,机理与结构表征,电化学氧化还原性质,聚吡咯的化学修饰。最近报导了半导体上吡咯的光电化学聚合。我们在低于吡咯电聚合电位下观察到聚吡咯的Raman讯号。本文研究在中... 近年来,国内外对聚吡咯已进行广泛的研究,主要内容包括:电化学聚合,机理与结构表征,电化学氧化还原性质,聚吡咯的化学修饰。最近报导了半导体上吡咯的光电化学聚合。我们在低于吡咯电聚合电位下观察到聚吡咯的Raman讯号。本文研究在中性溶液中金属基底上吡咯的光电化学聚合,以及光源波长、强度和介质等因素的影响。 展开更多
关键词 吡咯 金属基底 电化学聚合
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噻吩光电化学聚合的研究
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作者 蔡丽芬 陈衍珍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第10期1411-1413,共3页
噻吩在水溶液中先经低聚反应,生成的低聚合物再在阳极氧化成膜,光照可促进低聚合物的形成,使噻吩在Pt、Au基低上选择性地进行光电聚合。即在低于噻吩电聚合电位下,形成明显光照点的聚噻吩膜。
关键词 噻吩 电化学聚合 水溶液
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