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含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
1
作者 胡灿明 黄叶肖 +4 位作者 叶红娟 沈学础 祁明维 邬建根 李晓雷 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期327-331,共5页
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分... 报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。 展开更多
关键词 直拉硅 复合浅施主 光热电离谱 硅
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高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
2
作者 钱家骏 陈涌海 +2 位作者 孙明方 王占国 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期246-252,共7页
利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．
关键词 砷化镓 光热电离谱 外延材料
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磁场下高纯硅的光热电离谱
3
作者 朱景兵 刘普霖 +2 位作者 史国良 刘卫军 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期232-235,共4页
首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对... 首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对此作了定性分析.实验表明,光热电离法是研究半导体中浅杂质Zeeman效应的最理想的方法. 展开更多
关键词 磁场 硅 光热电离谱 半导体
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