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题名受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究
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作者
赵善麒
高鼎三
潘福泉
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机构
吉林大学电子科学系
沈阳工业大学电子工程系
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出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990年第3期47-50,共4页
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文摘
本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。
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关键词
光控管可控硅
触发灵敏度
受光区
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Keywords
light sensitive gate area, light triggered thyristor, light triggering sensitivity, dV/dt capability
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分类号
TN342.7
[电子电信—物理电子学]
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