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基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响 被引量：2
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作者 罗乐平 赵青南 +4 位作者 刘旭 丛芳玲 顾宝宝 董玉红 赵杰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1847-1850,共4页
通过选取室温、100℃、200℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响。实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次。当基片温度由100... 通过选取室温、100℃、200℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响。实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次。当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次。 展开更多
关键词 直流反应溅射 氧化钨薄膜 基片温度 循环寿命 光学调制幅度
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