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表面修饰的钛酸钡的拉曼光谱 被引量:5
1
作者 徐存英 张鹏翔 严磊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5089-5092,共4页
采用水热法制得表面包裹有十二烷基苯磺酸(DBS)和硬脂酸(St)的BaTiO3纳米粒子,平均粒径均为60nm左右.拉曼光谱检测结果表明,样品的确为表面包裹有表面活性剂(DBS或St)的BaTiO3纳米粒子集合体.与未包裹的相比,各光学声子模对应的拉曼振... 采用水热法制得表面包裹有十二烷基苯磺酸(DBS)和硬脂酸(St)的BaTiO3纳米粒子,平均粒径均为60nm左右.拉曼光谱检测结果表明,样品的确为表面包裹有表面活性剂(DBS或St)的BaTiO3纳米粒子集合体.与未包裹的相比,各光学声子模对应的拉曼振动模式峰均发生了蓝移.还发现不同的包裹体,所导致的蓝移值也不同.从纳米粒子的表面结构及包裹层的压力出发对此现象进行了定性解释和讨论. 展开更多
关键词 拉曼光谱 DBS/BaTiO3纳米粒子 蓝移 拉曼光谱 表面修饰 钛酸钡 BaTiO3 十二烷基苯磺酸 纳米粒子 表面活性剂 包裹体 光学子模
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纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子 被引量:7
2
作者 屈媛 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期57-65,共9页
基于介电连续模型和Loudon单轴模型,采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模.结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化.对给定波矢,在不同的频率范围内,... 基于介电连续模型和Loudon单轴模型,采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模.结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化.对给定波矢,在不同的频率范围内,存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模.声子色散关系和静电势分布表现出较AlN/GaN/AlN单量子阱更为复杂的形态. 展开更多
关键词 纤锌矿 量子阱 纳米凹槽 光学子模
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Ba_(1-x)Sr_xTiO_3相结构的拉曼光谱研究 被引量:6
3
作者 郭惠芬 张兴堂 +4 位作者 武超 郭浩 李蕴才 黄亚彬 杜祖亮 《光散射学报》 2003年第2期105-109,共5页
本文测定了不同Sr含量的钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)纳米晶的拉曼光谱,发现了随着Sr含量的增加,517cm-1[E(TO)与A1(TO)]光学声子模劈裂为双峰和相对低频声子模向低频漂移,而相对高频声子模向高频漂移现象。当x=0.4时,软模解冻,Ba1-xSrxTiO3... 本文测定了不同Sr含量的钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)纳米晶的拉曼光谱,发现了随着Sr含量的增加,517cm-1[E(TO)与A1(TO)]光学声子模劈裂为双峰和相对低频声子模向低频漂移,而相对高频声子模向高频漂移现象。当x=0.4时,软模解冻,Ba1-xSrxTiO3铁电相不能维持而呈现顺电相结构。 展开更多
关键词 Ba1-xSrxTiO3 钛酸锶钡 相结构 拉曼光谱 光学子模 铁电陶瓷 铁电相 纳米晶
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BaTiO_3铁电相变的拉曼光谱研究 被引量:2
4
作者 郭惠芬 陈小敏 《焦作大学学报》 2003年第4期35-37,共3页
通过对近几年来钛酸钡 (BaTiO3)的高温、高压、尺寸效应以及掺杂体系的Raman光谱的研究成果的总结 ,文章对铁电相变的有序—无序相变的理论模型给与肯定。认为尽管引起钛酸钡铁电相变的机制各不相同 ,但均与应力有关 ,应力的作用致使有... 通过对近几年来钛酸钡 (BaTiO3)的高温、高压、尺寸效应以及掺杂体系的Raman光谱的研究成果的总结 ,文章对铁电相变的有序—无序相变的理论模型给与肯定。认为尽管引起钛酸钡铁电相变的机制各不相同 ,但均与应力有关 ,应力的作用致使有序度降低 ,从而导致软模解冻 ,发生铁电相变。 展开更多
关键词 钛酸钡 BATIO3 铁电相变 拉曼光谱 有序-无序相变 应力 有序度 晶体 尺寸效应 光学子模
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纤锌矿AlGaN/AlN/GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率 被引量:3
5
作者 杨福军 班士良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期355-365,共11页
对含有AlN插入层纤锌矿Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN异质结构,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,同时计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气(2DEG)中电子的本征态和本征... 对含有AlN插入层纤锌矿Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN异质结构,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,同时计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气(2DEG)中电子的本征态和本征能级.依据介电连续模型和Loudon单轴晶体模型,用转移矩阵法分析该体系中可能存在的光学声子模及三元混晶效应.进一步,在室温下计及各种可能存在的光学声子散射,推广雷-丁平衡方程方法,讨论2DEG分布及二维电子迁移率的尺寸效应和三元混晶效应.结果显示:AlN插入层厚度和Al_xGa_(1-x)N势垒层中Al组分的增加均会增强GaN层中的内建电场强度,致使2DEG的分布更靠近异质结界面,使界面光学声子强于其他类型的光学声子对电子的散射作用而成为影响电子迁移率的主导因素.适当调整AlN插入层的厚度和A1组分,可获得较高的电子迁移率. 展开更多
关键词 AlGaN/AIN/GaN异质结构 电子迁移率 光学子模 三元混晶效应
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纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应 被引量:3
6
作者 屈媛 班士良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期4863-4873,共11页
本文先比较了几种常用方法(修正的无规元素等位移模型、虚晶近似和简化相干势近似等)对纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合结果,再选用与实验数据接近的拟合方法,结合介电连续和单轴晶体模型导出含纤锌矿三元混晶InxGa1-xN和AlxGa1-xN单量... 本文先比较了几种常用方法(修正的无规元素等位移模型、虚晶近似和简化相干势近似等)对纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合结果,再选用与实验数据接近的拟合方法,结合介电连续和单轴晶体模型导出含纤锌矿三元混晶InxGa1-xN和AlxGa1-xN单量子阱各类光学声子模的色散关系,进一步分析了声子模随组分的变化.结果表明,修正的无规元素等位移模型对单模性纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合更接近实验数据.由于声子色散的各向异性,量子阱各类光学声子模随组分而发生变化,声子的局域模、界面模、半空间模以及传播模存在于特定组分和频率范围内,且同种声子模色散关系的形态也随组分而改变. 展开更多
关键词 纤锌矿 三元混晶 量子阱 光学子模
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四层异质结构的表面和界面光学声子模 被引量:2
7
作者 史俊杰 潘少华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期790-798,共9页
用连续介电模型研究了有限厚度四层异质结构的表面和界面光学声子模。精确得到本征失量、色散关系和面电荷密度。前人关于介电平板、双层、三层以及无限四层结构等所有已得结果,都可从此文普遍关系重新推出。另外,还给出了有限阶梯量... 用连续介电模型研究了有限厚度四层异质结构的表面和界面光学声子模。精确得到本征失量、色散关系和面电荷密度。前人关于介电平板、双层、三层以及无限四层结构等所有已得结果,都可从此文普遍关系重新推出。另外,还给出了有限阶梯量子阱等有趣而实用结构的色散关系及其数值显示。本研究可视为文献[8]的推广。 展开更多
关键词 异质结 表面 界面 光学子模 色散
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三元混晶核壳量子点中的光学声子模
8
作者 刘丽萍 邢雁 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第5期500-507,共8页
采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了含三元混晶的球形核壳量子点中的光学声子模,选取GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnS/Zn1-xCdxS两种球形异质结构进行了数值计算.结果表明,含双模型三元混晶的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子点中存在... 采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了含三元混晶的球形核壳量子点中的光学声子模,选取GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnS/Zn1-xCdxS两种球形异质结构进行了数值计算.结果表明,含双模型三元混晶的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子点中存在五支界面/表面光学声子模,含单模型三元混晶的ZnS/Zn1-xCdxS量子点中存在三支界面/表面光学声子模,且两种结构中的界面/表面光学声子模频率随组分x呈现明显的非线性变化,当量子数l较小(l≤7)时,声子模的频率对混晶组分x和壳层厚度的依赖性较大. 展开更多
关键词 光学子模 三元混晶 核壳量子点
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自发有序Ga_(0.5)In_(0.5)P合金的拉曼光谱研究
9
作者 李国华 刘振先 +2 位作者 韩和相 汪兆平 董建荣 《光散射学报》 1995年第2期124-125,共2页
自发有序Ga_(0.5)In_(0.5)P合金的拉曼光谱研究李国华,刘振先,韩和相,汪兆平,董建荣(中国科学院半导体研究所,半导体扭晶格国家重点实验室北京100083)(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室北... 自发有序Ga_(0.5)In_(0.5)P合金的拉曼光谱研究李国华,刘振先,韩和相,汪兆平,董建荣(中国科学院半导体研究所,半导体扭晶格国家重点实验室北京100083)(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室北京100083))RamanSca... 展开更多
关键词 自发有序 Ga0.5In0.5P合金 拉曼光谱 光学子模 偏振谱 铟镓磷合金 半导体合金
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半导体技术
10
《中国无线电电子学文摘》 2000年第4期57-66,共10页
关键词 喇曼散射 半导体技术 毫米波 光学子模 中国科学院 实验结果 闪锌矿结构 背散射 测量结果 红外
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小口径单壁碳纳米管的最低光学声子模(英文)
11
作者 陈岩 叶翔 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2015年第4期368-372,共5页
扶手型及锯齿形单壁碳纳米管的最低光学声子模并不一定是E2g或E2模.对于轴向晶格常数比横截面周长大的单壁碳纳米管来说,其最低光学声子模是垂直于其轴向方向振动的一种驻波.通过基于经验势函数的模拟计算,确定这种光学声子模的能量是... 扶手型及锯齿形单壁碳纳米管的最低光学声子模并不一定是E2g或E2模.对于轴向晶格常数比横截面周长大的单壁碳纳米管来说,其最低光学声子模是垂直于其轴向方向振动的一种驻波.通过基于经验势函数的模拟计算,确定这种光学声子模的能量是正比于碳纳米半径的. 展开更多
关键词 碳纳米管 光学子模 频率
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AlN/GaN量子阱中光学声子所限制的电子迁移率
12
作者 贾秀敏 班士良 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期64-67,71,共5页
在介电连续模型和单轴模型的框架下,采用雷-丁平衡方程理论,考虑量子阱中界面光学声子模和局域体光学声子模的影响,分别计算了纤锌矿型和闪锌矿型AlN/GaN量子阱中电子平行于异质结界面方向的迁移率,给出迁移率随阱宽的变化关系,并讨论... 在介电连续模型和单轴模型的框架下,采用雷-丁平衡方程理论,考虑量子阱中界面光学声子模和局域体光学声子模的影响,分别计算了纤锌矿型和闪锌矿型AlN/GaN量子阱中电子平行于异质结界面方向的迁移率,给出迁移率随阱宽的变化关系,并讨论了结构各向异性效应对电子迁移率的影响. 展开更多
关键词 迁移率 光学子模 量子阱 纤锌矿 闪锌矿 AlN/GaN
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GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模
13
作者 汪兆平 韩和相 +1 位作者 李国华 江德生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期381-386,共6页
在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是... 在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用. 展开更多
关键词 GAAS/ALAS 超晶体 光学子模 光谱
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多层球形核壳量子点中光学振动模的三元混晶效应
14
作者 刘叶 谢慧 邢雁 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第6期610-618,共9页
考虑三元混晶的"单模"与"双模"性,利用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型,研究了含三元混晶的多层球形核壳量子点中的光学声子模.选取InN/InxGa1-xN/InN和ZnSe/ZnSxSe1-x/ZnSe两种核壳结构进行了数值计算,其... 考虑三元混晶的"单模"与"双模"性,利用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型,研究了含三元混晶的多层球形核壳量子点中的光学声子模.选取InN/InxGa1-xN/InN和ZnSe/ZnSxSe1-x/ZnSe两种核壳结构进行了数值计算,其中InxGa1-xN为单模型三元混晶,ZnSxSe1-x为双模型三元混晶,给出了两种结构中声子模频率随混晶组分、量子点尺寸以及角量子数的变化关系.结果表明,InN/InxGa1-xN/InN和ZnSe/ZnSxSe1-x/ZnSe结构中分别存在着5支和7支界面/表面光学声子模,且均具有特殊的混晶效应,具体表现在各支声子模的频率对组分x有不同的依赖关系.当组分x>0.8时,在ZnSe/ZnSxSe1-x/ZnSe结构中,模6、7重合为一支.同时发现各支声子模的频率对内壳层厚度γ1和较小的量子数l的依赖性较强. 展开更多
关键词 光学子模 核壳量子点 三元混晶
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柱形量子点的一阶声子喇曼散射
15
作者 刘翠红 邢达 《广州大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期12-16,共5页
从理论上讨论了柱形量子点体系受限类体模,顶表面模和侧表面模参与的一阶声子斯托克斯喇曼散射.给出了有关的选择定则,分析了喇曼散射强度与量子点尺寸以及入射光偏振方向的关系.其中电子结构基于有效质量近似,电子—声子相互作用则考虑... 从理论上讨论了柱形量子点体系受限类体模,顶表面模和侧表面模参与的一阶声子斯托克斯喇曼散射.给出了有关的选择定则,分析了喇曼散射强度与量子点尺寸以及入射光偏振方向的关系.其中电子结构基于有效质量近似,电子—声子相互作用则考虑Fr hlich作用.讨论结果直接给出电子和声子的有关信息. 展开更多
关键词 喇曼散射 光学子模 柱形量子点
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双势垒量子阱中的纵向光学声子模
16
作者 施耀铭 陈灏 《上海工业大学学报》 1992年第6期494-502,共9页
本文应用具有色散的连续介质流体力学理论,研究双势垒量子阱中的纵向光学声子模。研究,当势垒层宽度大于量子阱宽度时,光学声子模是禁闭在量子阱中的,当势垒层宽度较小时(一般约为或小于量子阱宽度的十分之一),双势垒量子阱中可... 本文应用具有色散的连续介质流体力学理论,研究双势垒量子阱中的纵向光学声子模。研究,当势垒层宽度大于量子阱宽度时,光学声子模是禁闭在量子阱中的,当势垒层宽度较小时(一般约为或小于量子阱宽度的十分之一),双势垒量子阱中可存在更多支纵向光学声子模,获得了这些波导光学声子模和界面光学声子模和色散关系方程,并用数值方法计算了它们的色散关系。 展开更多
关键词 量子阱 纵向 光学子模 波导模
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AAO模板法制备CdS纳米微粒的SERS光谱研究 被引量:8
17
作者 杜亚冰 蔡志鹏 +3 位作者 贺廷超 程培红 贾廷见 莫育俊 《光散射学报》 2007年第3期206-211,共6页
在自制的孔径约15nm多孔氧化铝模板上沉积银纳米粒子,然后用电化学方法在此衬底上沉积CdS纳米微粒。研究了CdS纳米阵列在457.5nm波长激光激发下的表面增强拉曼散射(SERS)性质。实验结果显示CdS的SERS信号有三个振动模式,分别对应1LO、2L... 在自制的孔径约15nm多孔氧化铝模板上沉积银纳米粒子,然后用电化学方法在此衬底上沉积CdS纳米微粒。研究了CdS纳米阵列在457.5nm波长激光激发下的表面增强拉曼散射(SERS)性质。实验结果显示CdS的SERS信号有三个振动模式,分别对应1LO、2LO和3LO纵光学声子模,它们的强度随着作为SERS衬底的银纳米粒子高度的增加而增强,当银纳米粒子的长/径比(长度与直径的比值)达到4时,这种增强趋近饱和。最后对CdS纳米微粒光学声子模的增强机理进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 CdS纵光学子模 多孔氧化铝模板 表面增强拉曼光谱
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三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响 被引量:4
18
作者 王新军 王玲玲 +3 位作者 黄维清 唐黎明 邹炳锁 陈克求 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期429-436,共8页
在宏观介电连续近似下,采用转移距阵方法,研究了三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响.在这种有限超晶格结构中,可以清楚地看到所有界面模的演化轨迹.结果表明:存在两类局域模,它们的宏观静电势波函数分别局域在缺陷... 在宏观介电连续近似下,采用转移距阵方法,研究了三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响.在这种有限超晶格结构中,可以清楚地看到所有界面模的演化轨迹.结果表明:存在两类局域模,它们的宏观静电势波函数分别局域在缺陷层和表面层附近,且这些模随着超晶格组分层和缺陷层的相对厚度和介电常数的改变,其局域位置和特性发生显著变化.此外,发现虽然能隙中局域模的数目不守恒,但所有界面模的总数守恒. 展开更多
关键词 超晶格中的界面光学子模 局域模
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Al_xGa_(1-x)As/AlAs超晶格的喇曼散射对比研究 被引量:1
19
作者 张旺 韩和相 +2 位作者 陈晔 李国华 汪兆平 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期189-194,共6页
报道不同层厚的AlAs/AlxGa1-xAs及GaAs/AlxGa1-xAs短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在非共振条件下,观察到AlAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的... 报道不同层厚的AlAs/AlxGa1-xAs及GaAs/AlxGa1-xAs短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在非共振条件下,观察到AlAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的类GaAsLO限制模和限制在AlAs层中的AlAsLO限制模,还观察到GaAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的类AlAsLO限制模和限制在GaAs层中的GaAsLO限制模.在近共振条件下,还观察到了AlAs/AlxGa1-xAs中AlAs的界面模.根据线性链模型,把测量的LO限制模的频率按照q=mn+12πα0展开,给出了AlxGa1-xAs混晶的类AlAs支和类GaAs支光学声子色散曲线. 展开更多
关键词 超晶格 光学子模 喇曼散射 砷化镓 半导体
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Polar Quasi-Confined Optical Phonon Modes in Wurtzite Quasi-One-Dimensional GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Well Wires 被引量:1
20
作者 张立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1717-1724,共8页
Based on the dielectric continuum model and Loudon's uniaxial crystal model,quasi-confined (QC) optical phonon modes and electron-QC phonon coupling functions in quasi-one-dimensional (QID) wurtzite quantum well ... Based on the dielectric continuum model and Loudon's uniaxial crystal model,quasi-confined (QC) optical phonon modes and electron-QC phonon coupling functions in quasi-one-dimensional (QID) wurtzite quantum well wires (QWWs) are deduced and analyzed. Numerical calculations on an AIN/GaN/AIN wurtzite QWW are performed. The results reveal that the dispersions of the QC modes are quite obvious only when the free wavenumber kz in the z-direction and the azimuthal quantum number m are small. The reduced behavior of the QC modes in wurtzite quantum systems is clearly observed. Through the discussion of the electron-QC mode coupling functions,it is found that the lower-frequency QC modes in the high-frequency region play a more important role in the electron-QC phonon interactions. Moreover,our computations also prove that kz and m have a similar influence on the electron-QC phonon coupling properties. 展开更多
关键词 quasi-confined optical phonon modes wurtzite quantum well wire electron-phonon coupling
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