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题名高阻紫外光阴极导电基底制备及性能
被引量：7
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作者
赵菲菲
赵宝升
韦永林
张兴华
赛小锋
邹玮
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机构
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期1211-1216,共6页
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基金
国家863计划(2008AA12A208)资助课题
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文摘
在MgF2基片上,采用电子束蒸发镀膜法制备了掺锡氧化铟（ITO）导电基底,研究了充氧及退火对ITO薄膜电阻及紫外透射比的影响。并与传统的金属导电基底Au和Cr进行了性能比较。用光学显微镜、四探针测试仪、高阻计、X射线衍射仪（XRD）和分光光度计分别测试了薄膜的表面形貌、方块电阻、形态结构和190～800 nm波段范围内薄膜的透射比曲线,得到方块电阻为10^7Ω左右时薄膜在200～400 nm波段内透射比的变化范围。实验结果表明,厚度相同时,充氧会增大ITO薄膜电阻;退火则会降低薄膜电阻并提高紫外透射比,薄膜结构由非晶态变为多晶态。方块电阻同为10^7Ω时,在200～400 nm波段充氧退火后ITO薄膜的平均透射比比Au,Cr的高10%。
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关键词
薄膜光学
导电基底
真空沉积
光学及电学性能
像增强器
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Keywords
thin films optics
conductive substrate
vacuum deposition
optical and electrical properties
image intensifier
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分类号
O484.4
[理学—固体物理]
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题名锑掺杂纳米SnO_2透明导电薄膜的制备与性能研究
被引量：6
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作者
王银玲
徐雪青
徐刚
何新华
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机构
中国科学院广州能源研究所可再生能源与天然气水合物重点实验室
华南理工大学材料科学与工程学院
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出处
《光学仪器》
2008年第3期68-72,共5页
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基金
2006年粤港关键领域重点突破资助项目(200649851105)
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文摘
采用溶胶-凝胶法在Si片、已镀SiO2的钠钙硅玻璃和普通钠钙硅玻璃上镀Sb掺杂摩尔分数为8%的SnO2薄膜(ATO),在450℃热处理温度下对薄膜结构,电学、光学性能进行表征。结果表明:薄膜以四方金红石结构存在,结晶完全;方阻值随镀膜层数的增加而明显降低,12层时薄膜最低方阻值为129Ω/□,可见光平均透过率在75%以上。随着波长的增大,红外波段的反射率逐渐增大,从15%增加到55%左右。
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关键词
Sb掺杂的SnO2薄膜
溶胶-凝胶
光学电学性能
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Keywords
Sb doped SnO2 thin film
sol-gel
electrical and optical properties
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分类号
O614
[理学—无机化学]
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