TN241 2003010108基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究=Ionization parameter study of optical-field-ionized BlikeN system at low density[刊,中]/陈建新（哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家重...TN241 2003010108基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究=Ionization parameter study of optical-field-ionized BlikeN system at low density[刊,中]/陈建新（哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家重点实验室.黑龙江,哈尔滨（150001））,王骐…//光学学报.-2002,22（4）.-432-435以类硼氮系统为例,对基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体的电离参数进行了研究,由此确定了对于适合复合机制的类硼氮45.21nm的产生,其最佳激励激光强度为5×10<sup>15</sup>W/cm<sup>2</sup>,并对计算结果进行了分析。图9参14（严寒）展开更多
TN241 2003053323在低价氮离子中实现3s-2p软X射线的最佳条件研究=Soft-X-ray lasing of 3s-2p in low-charged nitrogen ions[刊,中]/陈建新(哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家级重点实验室.黑龙江,哈尔滨(150001)),...TN241 2003053323在低价氮离子中实现3s-2p软X射线的最佳条件研究=Soft-X-ray lasing of 3s-2p in low-charged nitrogen ions[刊,中]/陈建新(哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家级重点实验室.黑龙江,哈尔滨(150001)),王骐…//光学学报.-2002,22(10).-1176-1180从实现离子的基态和激发态之间粒子数反转的主要参量入手,数值计算了基态的粒子数密度、上能级和下能级的统计权重之比,三体复合速率和自发辐射衰减速率之比等每个参量对反转粒子数密度的影响。展开更多
文摘TN241 2003010108基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究=Ionization parameter study of optical-field-ionized BlikeN system at low density[刊,中]/陈建新（哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家重点实验室.黑龙江,哈尔滨（150001））,王骐…//光学学报.-2002,22（4）.-432-435以类硼氮系统为例,对基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体的电离参数进行了研究,由此确定了对于适合复合机制的类硼氮45.21nm的产生,其最佳激励激光强度为5×10<sup>15</sup>W/cm<sup>2</sup>,并对计算结果进行了分析。图9参14（严寒）
文摘TN241 2003053323在低价氮离子中实现3s-2p软X射线的最佳条件研究=Soft-X-ray lasing of 3s-2p in low-charged nitrogen ions[刊,中]/陈建新(哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家级重点实验室.黑龙江,哈尔滨(150001)),王骐…//光学学报.-2002,22(10).-1176-1180从实现离子的基态和激发态之间粒子数反转的主要参量入手,数值计算了基态的粒子数密度、上能级和下能级的统计权重之比,三体复合速率和自发辐射衰减速率之比等每个参量对反转粒子数密度的影响。
