本文利用双色–光发射电子显微镜(Photoemission Electron Microscopy, PEEM)成像了电子束加工的金纳米环样品的等离激元近场分布。利用双色的实验方法有效地打开了双色量子通道,从而导致发射电子的非线性阶次从3.80降低到1.85,并且光...本文利用双色–光发射电子显微镜(Photoemission Electron Microscopy, PEEM)成像了电子束加工的金纳米环样品的等离激元近场分布。利用双色的实验方法有效地打开了双色量子通道,从而导致发射电子的非线性阶次从3.80降低到1.85,并且光辐射电子的产额显著增加。通过近场PEEM图像表明,由于存在缺陷激发的强烈干扰,掩盖了结构的场分布信息。进一步分析缺陷位置处电子非线性阶次,发现纳米环缺陷位置处电子的非线性阶次下降程度显著低于非缺陷处。双色PEEM成像的技术对于等离激元近场成像等相关研究的发展起到推动作用。展开更多
Y2000-62088-1867 0010063全球定位系统用的10和2.45GHz 短基线干涉仪=10and 2.45GHz short baseline interferometers for position-ing systems[会,英]/Benlarbi—Delai,A.& Cousin,J.C.//1999 IEEE MTT-S International Microwav...Y2000-62088-1867 0010063全球定位系统用的10和2.45GHz 短基线干涉仪=10and 2.45GHz short baseline interferometers for position-ing systems[会,英]/Benlarbi—Delai,A.& Cousin,J.C.//1999 IEEE MTT-S International Microwave Sym-posium,Vol.4.—1867～1870(UC)展开更多
1科学背景
光发射电子显微镜（Photoemission Electron Microscopy,PEEM）是一种对表面结构、电子态、化学反应等表面物理化学性质进行原位、动态研究的新技术，在化学、物理、材料等研究领域有着重要的应用。其工作原理是以紫外光或x...1科学背景
光发射电子显微镜（Photoemission Electron Microscopy,PEEM）是一种对表面结构、电子态、化学反应等表面物理化学性质进行原位、动态研究的新技术，在化学、物理、材料等研究领域有着重要的应用。其工作原理是以紫外光或x射线光来激发固体表面原子中的电子，采用电子光学系统记录光电子发射，并进行成像研究。展开更多
文摘本文利用双色–光发射电子显微镜(Photoemission Electron Microscopy, PEEM)成像了电子束加工的金纳米环样品的等离激元近场分布。利用双色的实验方法有效地打开了双色量子通道,从而导致发射电子的非线性阶次从3.80降低到1.85,并且光辐射电子的产额显著增加。通过近场PEEM图像表明,由于存在缺陷激发的强烈干扰,掩盖了结构的场分布信息。进一步分析缺陷位置处电子非线性阶次,发现纳米环缺陷位置处电子的非线性阶次下降程度显著低于非缺陷处。双色PEEM成像的技术对于等离激元近场成像等相关研究的发展起到推动作用。
文摘1科学背景
光发射电子显微镜（Photoemission Electron Microscopy,PEEM）是一种对表面结构、电子态、化学反应等表面物理化学性质进行原位、动态研究的新技术，在化学、物理、材料等研究领域有着重要的应用。其工作原理是以紫外光或x射线光来激发固体表面原子中的电子，采用电子光学系统记录光电子发射，并进行成像研究。
