期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO_2薄膜性质的影响 被引量：2
1
作者 郑如玺 易葵 +2 位作者 范正修 邵建达 涂飞飞 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期127-132,共6页
充氧口位置直接影响了真空室内的氧气分布,进而对薄膜的光学性能造成重要影响。为了研究充氧口位置对HfO_2薄膜性质的影响,在2个典型的充氧口位置采用电子束蒸发技术在石英基底上沉积了HfO_2单层膜,并结合紫外-可见光分光光度计和X射线... 充氧口位置直接影响了真空室内的氧气分布,进而对薄膜的光学性能造成重要影响。为了研究充氧口位置对HfO_2薄膜性质的影响,在2个典型的充氧口位置采用电子束蒸发技术在石英基底上沉积了HfO_2单层膜,并结合紫外-可见光分光光度计和X射线光电子能谱仪研究了不同充氧口位置下制得的HfO_2薄膜的光学性能和化学成分。实验结果表明,将充氧口设置在基片附近更有利于得到致密性好、氧化充分的HfO_2薄膜。根据实际真空室的构造建立简化的模型,应用k-ε二次方程湍流模型对镀膜过程中的氧气分布进行了三维数值模拟计算。模拟计算的结果很好地解释了实验结果。 展开更多
关键词 薄膜 HFO2薄膜 充氧口位置 k-ε模型 电子束蒸发 数值模拟
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部