Fe刻蚀金刚石的工艺因素 被引量：8

1

作者 郭西缅 王岚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期158-160,共3页

对Ｆｅ刻蚀金刚石过程中石墨析出的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的过程是：金刚石晶格中的碳原子溶入γＦｅ，在γＦｅ中扩散并在远离金刚石的一侧以石墨态析出。由该机制导出了石墨析出速率的理论公式。石墨析出速率（Ｊ... 对Ｆｅ刻蚀金刚石过程中石墨析出的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的过程是：金刚石晶格中的碳原子溶入γＦｅ，在γＦｅ中扩散并在远离金刚石的一侧以石墨态析出。由该机制导出了石墨析出速率的理论公式。石墨析出速率（ＪＧ）与温度、保温时间、Ｆｅ膜厚度及碳在γＦｅ中的扩散系数有关。合理设置上述参数及通过添加元素改变扩散系数的方法。 展开更多

关键词 刻蚀 金刚石 铁 工艺 元素半导体

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10～30keV二次电子发射系数的表达式 被引量：6

2

作者 谢爱根 王祖松 +2 位作者 刘战辉 詹煜 吴红艳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期542-546,共5页

根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数... 根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次（n）和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较，结果表明，成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～30kev的艿通式。 展开更多

关键词 通式 二次电子发射系数 金属 半金属 元素半导体

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编者按

3

作者 陈小龙 牛智川 +1 位作者 李忠辉 芦红 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期I0005-I0006,共2页

1947年,世界上第一个晶体管诞生,开启了以硅半导体为代表的信息时代。“一代材料、一代器件、一代技术”。半个多世纪来,半导体材料与器件支撑了信息技术的飞速发展,而信息技术的发展需求又驱动了半导体材料与器件工艺的进步。元素半导体。

关键词 元素半导体 硅半导体 半导体材料与器件 信息技术 信息时代 晶体管 编者按

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新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展 被引量：4

4

作者 李晋闽 《中国科技产业》 2018年第1期54-55,共2页

第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（In... 第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表,奠定了信息产业基础。 展开更多

关键词 第三代半导体材料 产业创新 动能转换 核心竞争力 元素半导体 微电子产业 信息技术 信息产业

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Fe刻蚀金刚石的速率 被引量：4

5

作者 王岚 郭西缅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期117-120,共4页

本文对Ｆｅ刻蚀金刚石的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的机制是金刚石晶格中的碳原子自（金刚石Ｆｅ）界面不断溶入γＦｅ，并在γＦｅ中扩散。根据这一机制，导出了Ｆｅ刻蚀金刚石速率（ｖ）的理论公式。应用理论公式的... 本文对Ｆｅ刻蚀金刚石的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的机制是金刚石晶格中的碳原子自（金刚石Ｆｅ）界面不断溶入γＦｅ，并在γＦｅ中扩散。根据这一机制，导出了Ｆｅ刻蚀金刚石速率（ｖ）的理论公式。应用理论公式的计算值与实测值相比较，两者基本相符。 展开更多

关键词 刻蚀速率 金刚石 铁 单晶 元素半导体

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半导体材料的分类及应用

6

作者 贺东江 《冶金标准化与质量》 1998年第2期40-43,共4页

能源、材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱。材料方面，电子材料的进展尤其引人注目。以大规模和超大规模集成电路为核心的电脑的问世极大地推动了现代科学技术各个方面的发展，一个又一个划时代意义的半导体生产新... 能源、材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱。材料方面，电子材料的进展尤其引人注目。以大规模和超大规模集成电路为核心的电脑的问世极大地推动了现代科学技术各个方面的发展，一个又一个划时代意义的半导体生产新工艺、新材料和新仪器不断涌现，并迅... 展开更多

关键词 半导体材料 电子材料 微结构材料 元素半导体

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在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格 被引量：3

7

作者 盛篪 周铁城 +4 位作者 龚大卫 樊永良 王建宝 张翔九 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期1-5,共5页

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是... 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的． 展开更多

关键词 元素半导体 锗 SIGE合金 硅 超晶格 外延生长

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基于柔性晶体硅电池的光伏瓦研究

8

作者 陈敬欣 丁阳 +3 位作者 张翼飞 陈静伟 宋登元 许颖 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期104-107,共4页

光伏瓦作为一种建筑材料,可替代屋顶陶瓦建材,且增加了发电功能,以薄膜电池为主的柔性光伏瓦具有质量轻和可弯曲的特性,但存在转换效率低、使用寿命短的问题。采用柔性晶体硅太阳电池,通过固化炉加气压釜的新型层压工艺,克服了层压过程... 光伏瓦作为一种建筑材料,可替代屋顶陶瓦建材,且增加了发电功能,以薄膜电池为主的柔性光伏瓦具有质量轻和可弯曲的特性,但存在转换效率低、使用寿命短的问题。采用柔性晶体硅太阳电池,通过固化炉加气压釜的新型层压工艺,克服了层压过程中气泡、脱层等工艺问题,实现了基于晶体硅电池效率的柔性光伏瓦。 展开更多

关键词 元素半导体 晶硅 太阳电池 柔性 机械性能 光伏瓦

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二元化合物半导体的能带结构

9

作者 赵深 赵源 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1982年第2期224-228,共5页

本文用LCBO MO法计算了属于元素半导体和AB型、AB2型化合物半导体的十种共价结构的能带。所得结果说明:它们的禁带宽度Eg都可统一地表为键能和邻键间共轭积分的线性函数,与共价结构的形式无关。给出许多文献用键性质归纳Eg数值规律的理... 本文用LCBO MO法计算了属于元素半导体和AB型、AB2型化合物半导体的十种共价结构的能带。所得结果说明:它们的禁带宽度Eg都可统一地表为键能和邻键间共轭积分的线性函数,与共价结构的形式无关。给出许多文献用键性质归纳Eg数值规律的理论基础。 展开更多

关键词 化合物半导体 元素半导体 二元化合物 线性函数 能带结构 数值规律 AB型 禁带宽度

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元素半导体

10

《电子科技文摘》 1999年第5期6-7,共2页

Y98-61304-173 9905645多孔硅老化现象的综合研究=Complex studies ofporous silicon aging phenomena[会,英]/Torchinskaya,T.V.& Korsunskaya,N.E.//1997 Proceedings ofthe International Semiconductor Conference,Vol.1.—173... Y98-61304-173 9905645多孔硅老化现象的综合研究=Complex studies ofporous silicon aging phenomena[会,英]/Torchinskaya,T.V.& Korsunskaya,N.E.//1997 Proceedings ofthe International Semiconductor Conference,Vol.1.—173～176(UV)多孔硅老化过程的综合研究表明,有两种不同的物质(硅线和硅线表面的物质)参加了发光激发。文中讨论了这些物质的特性。其特性之一,是在激发能量约为0.5～0.6eV 老化时,这些物质被解吸。提出了从吸收到发光中心的能量转化问题。 展开更多

关键词 多孔硅 综合研究 元素半导体 发光中心 激发能量 能量转化 老化过程 老化现象 光激发 物质

原文传递

等离子体氧化锗膜的AES和XPS

11

作者 刘春荣 刘玲 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第6期402-405,374,共5页

在高频激发的氧等离子体中成功地实现了锗的阳极氧化。其氧化效率比锗在一个大气压氧气氛下的热氧化高的多。用俄歇电子谱(AES)和X-射线光电子谱(XPS)结合氩离子溅射分析了等离子体氧化锗膜的化学组份与化学态。在该薄膜表面,仅观察到Ge... 在高频激发的氧等离子体中成功地实现了锗的阳极氧化。其氧化效率比锗在一个大气压氧气氛下的热氧化高的多。用俄歇电子谱(AES)和X-射线光电子谱(XPS)结合氩离子溅射分析了等离子体氧化锗膜的化学组份与化学态。在该薄膜表面,仅观察到GeO_2。在氧化膜体内主要由GeO_2组成,并含有少量未氧化的锗。当氩离子溅射以后,在氧化膜XPS中出现Ge(3d)的双峰。结合能为33.7eV的主峰起源于GeO_2中的Ge(3d),29.2eV的小峰归因于薄膜中少量未氧化的锗。定量计算表明,等离子体阳极氧化锗膜的化学计量比非常接近于玻璃态二氧化锗。 展开更多

关键词 氧化锗 AES XPS 氧等离子体 俄歇电子谱 阳极氧化 膜体 热氧化 元素半导体 氧化效率

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元素半导体

12

《电子科技文摘》 1999年第9期9-10,共2页

9912741电子束再结晶法制备的纳米硅薄膜室温光致发光特性[刊]/余云鹏//功能材料.—1999,30(1).—26～28(C)用电子束再结晶的方法对非晶硅氢材料进行快速退火,成功地制备出纳米硅薄膜,在室温下观察到光致红、蓝发光带,峰位约在1.7eV 和2... 9912741电子束再结晶法制备的纳米硅薄膜室温光致发光特性[刊]/余云鹏//功能材料.—1999,30(1).—26～28(C)用电子束再结晶的方法对非晶硅氢材料进行快速退火,成功地制备出纳米硅薄膜,在室温下观察到光致红、蓝发光带,峰位约在1.7eV 和2.5eV 处,XRD 和PL 谱结果表明:晶化程度的变化引起红、蓝光带强度及在整个发光谱中所占比例的改变,在我们的实验中, 展开更多

关键词 纳米硅薄膜 电子束 再结晶 元素半导体 光致发光特性 功能材料 快速退火 非晶硅 发光带 晶化程度

原文传递

元素半导体

13

《电子科技文摘》 2000年第3期6-7,共2页

0003568ITO 作填料的涂层光谱特性研究[刊]/於定华//功能材料.—1999,30(6).—660～662(C)0003569乙烯对 CVD 法制备硅薄膜性能的影响[刊]/张溪文//功能材料.—1999,30(6).—649～650(C)0003570修正 Tersoff 势在熔态硅分子动力学模拟... 0003568ITO 作填料的涂层光谱特性研究[刊]/於定华//功能材料.—1999,30(6).—660～662(C)0003569乙烯对 CVD 法制备硅薄膜性能的影响[刊]/张溪文//功能材料.—1999,30(6).—649～650(C)0003570修正 Tersoff 势在熔态硅分子动力学模拟中的应用[刊]/周正有//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—273～280(C) 展开更多

关键词 功能材料 分子动力学模拟 元素半导体 特性研究 纳米硅薄膜材料 涂层 乙烯 椭圆偏振光谱 制备 填料

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高纯锗中浅受主的光热电离光谱

14

作者 余晨辉 张波 +3 位作者 余丽波 李亚军 陆卫 沈学础 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1097-1101,共5页

在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样... 在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论. 展开更多

关键词 高纯锗 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级

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高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

15

作者 余晨辉 张波 +3 位作者 余丽波 李亚军 陆卫 沈学础 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1102-1108,共7页

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿... 首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持. 展开更多

关键词 高纯硅 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 少数载流子快速复合

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第三代半导体驶入发展快车道

16

作者 《变频器世界》编辑部 《变频器世界》 2022年第11期1-1,共1页

随着现代材料科技的创新发展,半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料,发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,推动了现代互联网、通信、新能源等新兴产业的快速发展。我国提出了“双碳”目标后,对半导体材料的应用... 随着现代材料科技的创新发展,半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料,发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,推动了现代互联网、通信、新能源等新兴产业的快速发展。我国提出了“双碳”目标后,对半导体材料的应用与发展提出了更高的要求,业内人士纷纷认为,具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业逐渐进入发展快车道。 展开更多

关键词 新兴产业 半导体材料 元素半导体 能源转换效率 氮化镓 第三代半导体 新能源 现代互联网

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可印刷光伏电池推动纳米材料技术发展

17

《纳米科技》 2013年第5期91-91,共1页

皇家墨尔本理工大学（RMITUniversity，RMlT）研究小组与澳大利亚及日本顶级科学家携手合作，推进下一代太阳能电池技术发展。本次合作研发项目的焦点聚焦在使用纳米技术更为廉价并且毒性更小的光伏电池之上。针对可打印太阳能电池应用... 皇家墨尔本理工大学（RMITUniversity，RMlT）研究小组与澳大利亚及日本顶级科学家携手合作，推进下一代太阳能电池技术发展。本次合作研发项目的焦点聚焦在使用纳米技术更为廉价并且毒性更小的光伏电池之上。针对可打印太阳能电池应用，该科研小组积极探索使用低成本丰富元素半导体无机纳米的合成状况。日前，该项研究成果已刊登在高影响力的《美国化学协会期刊》中。 展开更多

关键词 光伏电池 纳米材料技术 太阳能电池 印刷 元素半导体 澳大利亚 电池技术 纳米技术

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三代半导体材料发展历程

18

《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第14期F0002-F0002,共1页

第一代半导体材料:主要指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生。主要应用:低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。

关键词 半导体材料 元素半导体 功率晶体管 光电探测器 集成电路 电子管 发展历程 性能特点

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多元化合物太阳电池

19

《能源与节能》 2012年第1期67-67,共1页

多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种：a）硫化镉太阳能电池b）砷化镓太阳能电池c）铜铟硒太阳能电池（新型多元带隙梯度cu（In，Ga）Se2薄膜... 多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种：a）硫化镉太阳能电池b）砷化镓太阳能电池c）铜铟硒太阳能电池（新型多元带隙梯度cu（In，Ga）Se2薄膜太阳能电池）Cu（In，Ga）Se2是一种性能优良太阳光吸收材料. 展开更多

关键词 太阳电池 化合物 薄膜太阳能电池 元素半导体 工业化生产 光吸收材料 铜铟硒 砷化镓

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元素半导体

20

《电子科技文摘》 2000年第5期7-7,共1页

Y99-61799-345 0007270微型光机系统用硅薄膜研究=An investigation of sill-COn thin membrances for MOMS[会,英]/Miiller,R.&Obreja,p.//Proceedings of 1998 International Semicon-ductor Conference,Vol.2.—345～348(UG)介... Y99-61799-345 0007270微型光机系统用硅薄膜研究=An investigation of sill-COn thin membrances for MOMS[会,英]/Miiller,R.&Obreja,p.//Proceedings of 1998 International Semicon-ductor Conference,Vol.2.—345～348(UG)介绍了作为具有光探测器的压力传感器一部分的薄膜(小于10μm)制备的实验结果,以及其表面粗糙度研究成果。在不同温度和不同的 KOH 和 TMAH 溶液浓度情况下,实现了各向异性腐蚀。研究了作为腐蚀期间掩模材料的硅弹性体。 展开更多

关键词 元素半导体 压力传感器 硅各向异性腐蚀 表面粗糙度 不同温度 光机系统 光探测器 硅薄膜 硅弹性体 溶液浓度

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