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孪晶结构Pt纳米晶体塑性变形行为的原位原子尺度观察 被引量:7
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作者 孙涛 郭谊忠 +3 位作者 符立波 王立华 张泽 韩晓东 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期101-105,共5页
孪晶结构金属材料具有高的强度和韧性,其变形机制受到研究者的广泛关注。然而之前大多数研究主要针对低层错能的金属,对于高层错能的金属变形机制研究相对较少。本文以高层错能金属Pt为研究对象,利用原创的双金属片拉伸装置,在原子尺度... 孪晶结构金属材料具有高的强度和韧性,其变形机制受到研究者的广泛关注。然而之前大多数研究主要针对低层错能的金属,对于高层错能的金属变形机制研究相对较少。本文以高层错能金属Pt为研究对象,利用原创的双金属片拉伸装置,在原子尺度下原位研究了具有孪晶结构的Pt纳米晶体的塑性变形机制。实验发现在剪切应变作用下,其塑性变形主要方式是偏位错行为导致的孪晶界迁移。这些偏位错在孪晶界-表面交界处形核,并沿着平行于孪晶界方向滑移,导致孪晶界迁移。随着切应变的增加,这种偏位错行为重复发生,导致孪晶界逐层迁移,孪晶厚度逐层减小。 展开更多
关键词 孪晶界 孪晶界迁移 偏位错 塑性变形 层错能
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In situ atomistic mechanisms of detwinning in nanocrystalline AuAg alloy
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作者 Libo Fu Chengpeng Yang +6 位作者 Yan Lu Jiao Teng Deli Kong Yizhong Guo Ze Zhang Lihua Wang Xiaodong Han 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第3期820-826,共7页
Detwinning is an important plastic deformation mechanism that can significantly affect the mechanical properties of twin-structured metals.Although many detwinning mechanisms have been proposed for pure metals,it is u... Detwinning is an important plastic deformation mechanism that can significantly affect the mechanical properties of twin-structured metals.Although many detwinning mechanisms have been proposed for pure metals,it is unclear whether such a deformation model is valid for nanocrystalline alloys because of the lack of direct evidence.Here,the atomicscale detwinning deformation process of a nanocrystalline AuAg alloy with an average grain size of~15 nm was investigated in situ.The results show that there are three types of detwinning mechanisms in nanocrystalline AuAg alloys.The first type of detwinning results from grain boundary migration.The second type of detwinning occurs through combined layer-by-layer thinning and incoherent twin boundary migration.The last one occurs through incoherent twin boundary migration,which results from the collective motion of partial dislocations in an array. 展开更多
关键词 twin-structured detwinning in situ transmission electron microscopy atomic scale
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加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响
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作者 周国辉 焦治杰 +2 位作者 武骏 周富信 褚武扬 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期26-28,共3页
应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响.结果表明,加载速率对W和Vd有显著影响.随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大.当加载速率达到某一临界值时,能... 应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响.结果表明,加载速率对W和Vd有显著影响.随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大.当加载速率达到某一临界值时,能量不仅以发射位错的形式释放,而且形成孪晶,以降低体系的能量. 展开更多
关键词 偏位错 加载速率 层错宽度 位错发射 位错速度
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硅表面热氧化缺陷的产生及增长
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作者 彭少麒 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS 1979年第4期18-23,共6页
一、概述伴随硅的热氧化过程,在硅表面往往形成一种特征线缺陷,这些缺陷对硅器件带来不良后果,十多年来对这种缺陷的产生、增长及消除规律进行了大量的研究,成为半导体应用基础研究的一个相当集中的课题。已证明这种热氧化缺陷是沿着(1... 一、概述伴随硅的热氧化过程,在硅表面往往形成一种特征线缺陷,这些缺陷对硅器件带来不良后果,十多年来对这种缺陷的产生、增长及消除规律进行了大量的研究,成为半导体应用基础研究的一个相当集中的课题。已证明这种热氧化缺陷是沿着(111)面的某局部范围外扦了一层原子,其四周被布格斯矢量为1/3(111)的偏位错所包围,是一种非本征堆垛层错,如(图1)所示,朝(111)面看去,这种层错是一园形,而在(100)则形成一特征线缺陷。其走向为〈110〉向。 展开更多
关键词 表面缺陷 偏位错 层错 抛光处理 硅表面 热氧化 表面固定电荷密度
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