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反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计
被引量：
2
1
作者
杜川华
詹峻岭
+1 位作者
许献国
袁国火
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期1247-1250,共4页
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"...
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。
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关键词
反熔丝现场可编程门阵列
Γ射线
瞬时电离辐射效应
铁电存储器
信息
保存
与
恢复
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职称材料
题名
反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计
被引量：
2
1
作者
杜川华
詹峻岭
许献国
袁国火
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期1247-1250,共4页
文摘
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。
关键词
反熔丝现场可编程门阵列
Γ射线
瞬时电离辐射效应
铁电存储器
信息
保存
与
恢复
Keywords
antifuse - based FPGA
γ - ray
transient ionizing radiation effects
FRAM
information saving and resume
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计
杜川华
詹峻岭
许献国
袁国火
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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