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铌酸锂光波导器件保偏尾纤对轴工艺研究
1
作者 黄健 郑帅峰 +2 位作者 雷成龙 田自君 华勇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第3期373-375,共3页
基于采用退火质子交换工艺制备的铌酸锂光波导器件的保偏尾纤具有高偏振消光比这一特性,提出了一种通过偏振消光比测试仪测定器件保偏尾纤的偏振轴并实现与保偏连接头定位键高精度对准的方法。工艺实验证明,采用该方法制作的保偏尾纤连... 基于采用退火质子交换工艺制备的铌酸锂光波导器件的保偏尾纤具有高偏振消光比这一特性,提出了一种通过偏振消光比测试仪测定器件保偏尾纤的偏振轴并实现与保偏连接头定位键高精度对准的方法。工艺实验证明,采用该方法制作的保偏尾纤连接头偏振轴向对准精度优于0.8°,显著优于显微成像定轴方法制作的保偏尾纤接头。 展开更多
关键词 铌酸锂光波导 保偏尾纤对轴 保偏连接头
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